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High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on
High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on
召开年:
召开地:
London
出版时间:
-
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1.
Noise and gain performance of pseudomorphic-HEMT vs temperature formicrowave low-noise applications
机译:
伪HEMT的噪声和增益性能与温度的关系。微波低噪声应用
作者:
Livreri P.
;
Sannino M.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
2.
Proceedings of the 3rd IEEE International Workshop on HighPerformance Electron Devices for Microwave and OptoelectronicApplications, EDMO 95
机译:
第三届IEEE国际高等技术研讨会论文集微波和光电性能电子器件应用,EDMO 95
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
3.
Analyses of ohmic contacts to GaAs based microwave HBTs
机译:
与基于GaAs的微波HBT的欧姆接触的分析
作者:
Jones K.A.
;
Hilton K.P.
;
Crouch M.A.
;
Hughes B.T.
;
Cole M.W.
;
Han W.Y.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
4.
Design of antireflection coatings for triple heterojunctionAlGaAs-GaAs space solar cells
机译:
三异质结抗反射涂层的设计AlGaAs-GaAs空间太阳能电池
作者:
Al-Bustani A.
;
Feteha M.Y.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
5.
On temperature and hot electron induced degradation inAlGaAs/InGaAs PM-HEMT's
机译:
关于温度和热电子诱导的降解AlGaAs / InGaAs PM-HEMT的
作者:
Meneghesso G.
;
De Bortoli E.
;
Cova P.
;
Menozzi R.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
6.
Technology for monolithic integration of GaInAs MSM photodetectorsand AlGaAs/GaAs/AlGaAs-HEMT electronics
机译:
GaInAs MSM光电探测器的单片集成技术和AlGaAs / GaAs / AlGaAs-HEMT电子产品
作者:
Bronner N.
;
Benz W.
;
Fink T.
;
Grun N.
;
Haupt M.
;
Hurm V.
;
Kohler K.
;
Ludwig M.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
7.
An overview of high frequency circuit design on the GMMT GaAs HBTprocess
机译:
GMMT GaAs HBT高频电路设计概述处理
作者:
McCullagh M.
;
Moult J.
;
Davies R.
;
Wallis B.
;
Wadsworth S.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
8.
The influence of bias conditions upon the intrinsic noiseparameters of short gate length GaAs MESFETs
机译:
偏置条件对固有噪声的影响栅极长度短的GaAs MESFET的参数
作者:
Greaves S.D.
;
Unwin R.T.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
9.
Characterization of directional coupler-based optoelectronicdevices
机译:
基于定向耦合器的光电特性设备
作者:
Rahman B.M.A.
;
Wongcharoen T.
;
Grattan K.T.V.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
10.
A silica-on-silicon integrated optic interface for microwavesub-systems
机译:
用于微波的硅上硅集成光学接口子系统
作者:
Murphy M.M.
;
Rescod C.R.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
11.
A proposal of a broadband high gain block using cascadedsingle-stage distributed amplifiers
机译:
使用级联的宽带高增益模块的建议单级分布式放大器
作者:
Jia Yi Liang
;
Aitchison C.S.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
12.
Non-local effects on the multiplication characteristics of thinGaAs p-i-n and n-i-p diodes
机译:
非局部对稀薄乘法特性的影响GaAs p-i-n和n-i-p二极管
作者:
Plimmer S.A.
;
David J.P.R.
;
Lee T.W.
;
Rees G.J.
;
Houston P.A.
;
Robson P.N.
;
Grey R.
;
Herbert D.C.
;
Higgs A.W.
;
Wight D.R.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
13.
Noise figure and gain of HEMTs vs. bias conditions measured bynoise figure test-set
机译:
HEMT的噪声系数和增益与通过测量的偏置条件噪声系数测试仪
作者:
Di Paola A.
;
Sannino M.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
14.
Characterisation of transparent ITO emitter contact InP/InGaAsheterojunction phototransistors
机译:
透明ITO发射极接触InP / InGaAs的表征异质结光电晶体管
作者:
Bashar S.A.
;
Rezazadeh A.A.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
15.
The electronic behaviour of Si
3
N
4
-GaAsinterfaces
机译:
Si
3 sub> N
4 sub> -GaAs的电子行为介面
作者:
Swanson J.G.
;
Wang Q.H.
;
Bowser M.I.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
16.
The application of end point detection in the fabrication ofoptical and microwave devices
机译:
终点检测技术在激光制造中的应用光学和微波设备
作者:
Bourke M.M.
;
Hilton K.P.
;
Crouch M.A.
;
Kane M.J.
;
Borsing N.
;
Russell T.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
17.
General results of investigation of the excess noise inoptoelectronic devices and their application for improving the deviceperformance
机译:
调查过剩噪音的一般结果光电器件及其在改进器件中的应用性能
作者:
Lukyanchikova N.B.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
18.
Monte Carlo simulations of carrier transport in high speed quantumwell lasers
机译:
高速量子中载流子传输的蒙特卡洛模拟激光井
作者:
Crow G.C.
;
Abram R.A.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
19.
Hot electron degradation effects in Al
0.25
Ga
0.75
As/In
0.2
Ga
0.8
As/GaAs PHEMTs
机译:
Al
0.25 sub> Ga
0.75中的热电子降解效应 sub> As / In
0.2 sub> Ga
0.8 sub> As / GaAs PHEMT
作者:
Cova P.
;
Menozzi R.
;
Lacey D.
;
Baeyens Y.
;
Fantini F.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
20.
Characterization of Pd/Sn ohmic contacts on n-GaAs using electricalmeasurements, EDAX and SIMS
机译:
使用电学表征n-GaAs上Pd / Sn欧姆接触测量,EDAX和SIMS
作者:
Islam M.S.
;
McNally P.J.
;
Cameron D.C.
;
Herbert P.A.F.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
21.
Low turn-on voltage AlGaInP LEDs using thermally evaporatedtransparent conducting Indium-Tin-Oxide (ITO)
机译:
使用热蒸发的低开启电压AlGaInP LED透明导电铟锡氧化物(ITO)
作者:
Aliyu Y.H.
;
Morgan D.V.
;
Thomas H.
;
Bland S.W.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
22.
Distributed amplifiers with embedded signal shaping formultigigabit transmission systems
机译:
具有嵌入式信号整形功能的分布式放大器千兆传输系统
作者:
Borjak A.
;
Monteiro P.
;
Darwazeh I.Z.
;
OReilly J.J.
会议名称:
《High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1995. EDMO., IEEE 1995 Workshop on》
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