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Conference on advances in resist technology and processing
Conference on advances in resist technology and processing
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1.
Track oriented chemically-amplified resist processes for quarter-micron lithography
机译:
轨道面向四分之一微米光刻的化学放大抗蚀剂工艺
作者:
Michael T. Reilly
;
Azalia A. Kraznoperova
;
Quinn T. Leonard
;
James W. Taylor
;
Shaowie Pan
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
2.
Mechanism of dissolution inhibition in phenolic resins
机译:
酚醛树脂中溶出抑制的机制
作者:
Chen-Chy Lin
;
Tung-Feng Yeh
;
Arnost Reiser
;
Kenji Honda
;
Bernard T. Beauchemin
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
3.
Alpha-hydroxymethlbenzoin sulfonic acid esters--a versatile class of photoacid generating compounds for chemically amplified deep-UV photoresists
机译:
α-羟甲苯并苯并辛磺酸酯 - 一种多功能类的光酸生成化合物,用于化学扩增的深紫外光致抗蚀剂
作者:
Horst Roeschert
;
Charlotte Eckes
;
Gerhard Pawlowski
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
4.
Chemical amplification positive deep-UV resist using partially tetrahydropyranyl-protected polyvinylphenol
机译:
使用部分四氢吡喃基保护聚乙烯酚的化学扩增正深紫外线抗蚀剂
作者:
Takashi Hattori
;
Leo Schlegel
;
Akira Imai
;
Nobuaki Hayashi
;
Takumi Ueno
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
5.
Composition of inorganic photoresists and its EBE experiment
机译:
无机光致抗蚀剂的组成及其EBE实验
作者:
Chang Tai Yu
;
Hua Yu
;
Fengzhen Guo
;
Songzu Xu
;
Zhougfu Qi
;
Xiangdong Yu
;
Yongkuan Liu
;
Li Peng
;
Zhongyi Zhang
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
6.
Processing techniques for improving performance of positive-tone silylation
机译:
加工技术,用于提高正音甲硅烷基化的性能
作者:
Edward K. Pavelchek
;
Gary S. Calabrese
;
Bruce W. Dudley
;
Susan K. Jones
;
Peter W. Freeman
;
John F. Bohland
;
Roger F. Sinta
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
7.
New simplified positive-tone DESIRE process using liquid phase silylation in DUV lithography
机译:
使用DUV光刻中使用液相叶片化的新简化正音欲望过程
作者:
Ki-Ho Baik
;
Kurt Ronse
;
Luc Van den hove
;
Bruno Roland
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
8.
Evaluation of a new zirconium-containing negative-working single-layer resist with enhanced oxygen and fluorocarbon reactive-ion etch resistance
机译:
评价具有增强的氧气和氟碳反应离子蚀刻性的新型含有含锆的负加工单层抗蚀剂
作者:
Ashwin S. Ramachandran
;
Treva Long
;
Ferdinand Rodriguez
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
9.
Evaluation of a deep-UV bilayer resist for sub-half micron lithography
机译:
对亚半微米光刻的深紫外线双层抗蚀剂的评价
作者:
William R. Brunsvold
;
Kevin J. Stewart
;
Premlatha Jagannathan
;
Ratnam Sooriyakumaran
;
J.Parrill IBM Corp. Hopewell Junction NY USA
;
Karl P. Muller
;
Harbans S. Sachdev
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
10.
Relationship between resist performance and diffusion in chemically amplified resist systems
机译:
抗蚀剂性能与化学放大抗蚀剂系统扩散的关系
作者:
Theodore H. Fedynyshyn
;
Charles R. Szmanda
;
Robert F. Blacksmith
;
William E. Houck
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
11.
Study of trimethylsilyldiethylmine (TMSDEA) as a vapor priming agent
机译:
三甲基甲硅烷二甲基(TMSDEA)作为蒸气引发剂的研究
作者:
Myron R. Cagan
;
Brad Gushaw
;
Joseph Wiseman
;
David C. Tien
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
12.
Novel novolac resins produced from 26-bishydroxymethyl-p-cresol p-cresol and m-cresol: a method to more evenly distribute p-cresol units throughout a novolac resin
机译:
从26-比氏羟基甲基-P-甲酚P-甲酚和M-甲酚中制备的新型酚醛清漆树脂:一种在酚醛清漆树脂中更均匀地分布p-甲酚单元的方法
作者:
Alfred T. Jeffries
;
David J. Brzozowy
;
Nancy N. Greene
;
Tadayoshi Kokubo
;
Shiro Tan
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
13.
Design of PACs for high-performance photoresists (II): effect of number and orientation of DNQs and -OH of PACs on lithographic performances
机译:
用于高性能光致抗蚀剂(II)的PACS的设计:DNQS和PACS的数量和取向对光刻性能的影响
作者:
Ryotaro Hanawa
;
Yasunori Uetani
;
Makoto Hanabata
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
14.
Negative DUV photoresist for 16Mb-DRAM production and future generations
机译:
负面DUV光刻胶为16MB-DRAM生产和后代
作者:
Willard E. Conley
;
William R. Brunsvold
;
Richard A. Ferguson
;
Jeffrey D. Gelorme
;
Steven J. Holmes
;
Ronald M. Martino
;
Magda Petryniak
;
Paul Rabidoux
;
Ratnam Sooriyakumaran
;
John L. Sturtevant
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
15.
Effect of surface inhibition on process latitudes
机译:
表面抑制对过程纬度的影响
作者:
Casper A. Juffermans
;
Han J. Dijkstra
;
Yvonne Verhulst-van Hout
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
16.
Delay-time effects between exposure and post-exposure bake in acetal-based deep-UV photoresists
机译:
缩醛基深紫外光致抗蚀剂暴露和暴露后烘烤之间的延迟时间效应
作者:
Horst Roeschert
;
Charlotte Eckes
;
Hajime Endo
;
Yoshiaki Kinoshita
;
Takanori Kudo
;
Seiya Masuda
;
H.Okazaki Hoechst Japan Ltd. Kawagoe City Saitama Japan
;
Munirathna Padmanaban
;
Klaus J. Przybilla
;
Walter Spiess
;
Natusmi Suehiro
;
H.Wengenroth Hoechst AG Wiesbaden 1 Federal Republic of Germany
;
Gerhard Pawlowski
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
17.
Solvents in novolak synthesis
机译:
酚醛清漆合成中的溶剂
作者:
Chet J. Sobodacha
;
Tom J. Lynch
;
Dana L. Durham
;
Valerie R. Paradis
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
18.
Advances in deep-UV processing using cluster tools
机译:
使用群集工具进行深度紫外线处理的进步
作者:
Gary C. Escher
;
Gary Tepolt
;
Robert D. Mohondro
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
19.
Physical and chemical factors governing dissolution of novolak resin films
机译:
酚醛清漆树脂薄膜溶解的物理和化学因素
作者:
Kenji Honda
;
Andrew J. Blakeney
;
Rodney J. Hurditch
;
Shiro Tan
;
Tadayoshi Kokubo
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
20.
Electron beam hardening of photo resist
机译:
光束硬化光电抗蚀剂
作者:
William R. Livesay
;
A.L. Rubiales
;
Matthew F. Ross
;
S.Woods Electron Vision Corp. San Diego CA USA
;
S.Campbell Electron Vision Corp. San Diego CA USA.
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
21.
Effect of using a resin coating on KrF chemically amplified positive resists
机译:
使用树脂涂层对kRF化学扩增的阳性抗蚀剂的影响
作者:
Akira Oikawa
;
Nobuaki Santoh
;
Shuichi Miyata
;
Yasunori Hatakenaka
;
Hiroyuki Tanaka
;
Kenji Nakagawa
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
22.
New chemistry in the design of chemically amplified positive resists
机译:
在化学放大抗蚀剂设计中的新化学
作者:
Robert D. Allen
;
Quan P. Ly
;
Gregory M. Wallraff
;
Carl E. Larson
;
William D. Hinsberg
;
Willard E. Conley
;
Karl P. Muller
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
23.
New three-component aqueous base developable negative-resist systems incorporating chemical amplification and tunable sensitivities
机译:
新的三组分含水基础可开发的负抗蚀剂系统,包括化学扩增和可调谐敏感性
作者:
Jean M. Frechet
;
S. Ming Lee
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
24.
Acid-catalyzed single-layer resists for ArF lithography
机译:
酸催化的单层抗蚀剂用于ARF光刻
作者:
Roderick R. Kunz
;
Robert D. Allen
;
William D. Hinsberg
;
Gregory M. Wallraff
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
25.
Effect of ultraviolet curing temperature on the state of stress and mechanical properties of photoresists
机译:
紫外线固化温度对光致抗蚀剂应力和力学性能的影响
作者:
Jeffrey F. Taylor
;
Quinn K. Tong
;
Richard J. Farris
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
26.
Simulation of self-diffusion effects of silylated polymers during dry development
机译:
干燥发育过程中甲硅烷基化聚合物的自扩散效应的模拟
作者:
Ulrich A. Jagdhold
;
Hartmut H. Erzgraeber
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
27.
Influence of process parameters on the lithographic performance characterization in the top imaging process by silylation
机译:
工艺参数对甲硅烷化瓶盖成像过程中的光谱性能特征的影响
作者:
Tai-Kyung Won
;
Seung Chan Moon
;
Hyeong-Soo Kim
;
Jin-Woong Kim
;
Myung-Seon Kim
;
Dong-Joon Ahn
;
Soo-Han Choi
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
28.
Hydrosiloxane-modified styrene-diene block copolymer resists
机译:
氢硅氧烷改性的苯乙烯 - 二烯嵌段共聚物抗蚀剂
作者:
Allen H. Gabor
;
Eric A. Lehner
;
Guoping Mao
;
Christopher K. Ober
;
Timothy E. Long
;
Brian A. Schell
;
Richard C. Tiberio
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
29.
Characterization and simulation of acid-catalyzed DUV positive photoresist
机译:
酸催化DUV阳性光致抗蚀剂的表征及仿真
作者:
Nicholas K. Eib
;
Eytan Barouch
;
Uwe Hollerbach
;
Steven A. Orszag
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
30.
Base-catalyzed photosensitive polyimide
机译:
基催化光敏聚酰亚胺
作者:
Dennis R. McKean
;
Gregory M. Wallraff
;
Willi Volksen
;
Nigel P. Hacker
;
Martha I. Sanchez
;
Jeff W. Labadie
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
31.
13-dioxolyl acetals as powerful crosslinkers of phenolic resin
机译:
13-二氧基缩醛作为酚醛树脂的强大交联剂
作者:
Ulrich P. Schaedeli
;
Norbert Muenzel
;
H.Holzwarth OCG Microelectronic Materials AG Basel Switzerland.
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
32.
Positive-tone dry-develop resist based on crosslinking a phenolic resin
机译:
基于交联酚醛树脂的正色干燥显膜抗蚀剂
作者:
Scott A. MacDonald
;
Carl E. Larson
;
Hubert Schlosser
;
Phillip J. Brock
;
Nicholas J. Clecak
;
Jean M. Frechet
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
33.
Host-guest effects in the interaction of developers with phenolic resins
机译:
宿主的效果在开发人员与酚醛树脂的相互作用
作者:
Ralph Dammel
;
Mohammad A. Khadim
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
34.
Evaluation of liquid silylated resists for 213-nm exposure
机译:
评价液体甲硅烷甲基化抗蚀剂213nm暴露
作者:
John M. Hutchinson
;
K.Kalpakjian Univ. of California/Berkeley Los Altos CA USA
;
Robert Schenker
;
William G. Oldham
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
35.
Prebake and post-exposure bake effects on the dissolution of AZ-PF
机译:
预烘烤和暴露后烘烤对AZ-PF溶出的影响
作者:
Azalia A. Kraznoperova
;
Michael T. Reilly
;
S.Turner Univ. of Wisconsin/Madison Stoughton WI USA
;
L.Ocola Univ. of Wisconsin/Madison Stoughton WI USA
;
Franco Cerrina
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
36.
193 nm lithography with ultrathin surface imaging resist systems
机译:
193 NM光刻,具有超薄表面成像抗蚀剂系统
作者:
Charles S. Dulcey
;
Tim S. Koloski
;
Walter J. Dressick
;
Mu-San Chen
;
Jacque H. Georger
;
Jeffrey M. Calvert
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
37.
Simulation of spray/puddle resist development
机译:
喷涂/水坑抗蚀剂的仿真
作者:
Stewart A. Robertson
;
J.T. Stevenson
;
Robert J. Holwill
;
Steven G. Hansen
;
Rodney J. Hurditch
;
Mark Thirsk
;
Ivan S. Daraktchiev
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
38.
Thermal properties of state of the art novolak-diazonaphtoquinone systems: differences between bulk and film properties
机译:
艺术艺术状态的热性质酚醛清漆 - 重氮胸泡系统:散装和薄膜性能之间的差异
作者:
Patrick J. Paniez
;
Jean-Paul E. Chollet
;
Michel J. Pons
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
39.
Understanding the novolak synthesis reaction
机译:
了解酚醛清漆合成反应
作者:
Leonard E. Bogan
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
40.
Positive chemically amplified resist for deep-UV lithography
机译:
深紫色光刻的正化学放大抗蚀剂
作者:
Omkaram Nalamasu
;
Allen G. Timko
;
May Cheng
;
Janet M. Kometani
;
Mary E. Galvin
;
S.Heffner ATamp
;
T Bell Labs. New Providence NJ USA
;
Sydney G. Slater
;
Andrew J. Blakeney
;
N.Munzel OCG Microelectronic Materials AG Basel Switzerland
;
Reinhard Schulz
;
H.Holzwarth OCG Microelectronic Materials AG Basel Switzerland
;
Carlo Mertesdorf
;
Hans-Thomas Schacht
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
41.
Plasma deposition characterization and photochemistry of organosilicon hydride network polymers: versatile resists for all-dry mid-deep UV photolithography
机译:
有机硅氧化铝网络聚合物的血浆沉积表征和光化学:全透干细胞紫外光光刻的通用抗蚀剂
作者:
Timothy W. Weidman
;
Ajey M. Joshi
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
42.
Evaluation of a 193-nm resist and imaging system
机译:
评估193纳米抗蚀剂和成像系统
作者:
Donald W. Johnson
;
David J. Elliott
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
43.
Novel negative resists using thermally stable crosslinkers based on phenolic compounds
机译:
基于酚类化合物的热稳定交联剂新的阴性抗蚀剂
作者:
Toru Kajita
;
Eiichi Kobayashi
;
Toshiyuki Ota
;
Takao Miura
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
44.
Experimental investigation of high-focus latitude concepts
机译:
高焦纬度概念的实验研究
作者:
Medhat A. Toukhy
;
Sydney G. Slater
;
John Ferri
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
45.
Effects of absorptive dye loading and substrate reflectivity on a 0.5-micron i-line photoresists process
机译:
吸收染料加载和底物反射率对0.5微米I线光致抗蚀剂工艺的影响
作者:
Jeffrey R. Johnson
;
Gregory J. Stagaman
;
John C. Sardella
;
Charles R. Spinner
;
F.T. Liou
;
Peter Trefonas
;
Catherine C. Meister
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
46.
Comparison between equilibrium cooling and thermal shock
机译:
平衡冷却和热冲击之间的比较
作者:
Jeffrey F. Taylor
;
Quinn K. Tong
;
Richard J. Farris
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
47.
Statistical experimental design on the optimization of high-performance photoresist
机译:
高性能光致抗蚀剂优化的统计实验设计
作者:
Stanley A. Ficner
;
Ping-Hung Lu
;
Thomas Kloffenstein
;
Hans-Joachim Merrem
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
48.
Influence of residual casting solvent on the dissolution behavior of diazonaphthoquinone resists
机译:
残留铸造溶剂对重氮萘醌抗蚀剂溶出行为的影响
作者:
Veena Rao
;
William D. Hinsberg
;
Curtis W. Frank
;
R. Fabian W. Pease
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
49.
Molecular design for stabilization of chemical amplification resist toward airborne contamination
机译:
用于稳定化学放大抗蚀剂对空气污染的分子设计
作者:
Hiroshi Ito
;
William P. England
;
Nicholas J. Clecak
;
Gregory Breyta
;
Hoosung Lee
;
Do Y. Yoon
;
Ratnam Sooriyakumaran
;
William D. Hinsberg
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
50.
High-resolution pattern formation featuring excellent dimension correlation by enhanced wettability development technology
机译:
通过增强的润湿性开发技术,高分辨率图案形成具有出色的尺寸相关性
作者:
Shigeki Shimomura
;
Hisayuki Shimada
;
Rita Au
;
Mamoru Miyawaki
;
Tadahiro Ohmi
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
51.
Process optimization of positive novolac resists for electron-beam lithography resist characterization using single or multiple development steps with either a sodium-hydroxide or metal ion-free dev
机译:
使用单次或多种开发步骤的电子束光刻抗蚀剂抗蚀剂抗蚀剂抗蚀剂的过程优化,使用氢氧化钠或金属离子防渗
作者:
Robert L. Dean
;
Gary E. Flores
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
52.
Model of the process of dissolution and swelling of thin polymethylmethacrylate films
机译:
薄聚甲基丙烯酸薄膜溶解和溶胀过程的模型
作者:
Vladimir N. Genkin
;
M.Y. Mylnikov
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
53.
Comparison of liquid- and vapor-phase silylation processes for 193-nm positive-tone lithography
机译:
液相和气相甲硅烷基化工艺对193-NM正音色光刻的比较
作者:
Mark A. Hartney
;
Roderick R. Kunz
;
Lynn M. Eriksen
;
Douglas C. LaTulipe
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
54.
JESSI Project E 162: status of the deep-UV resist
机译:
Jessi项目E 162:深紫色抵抗的状态
作者:
Dirk J. Funhoff
;
H.Binder BASF AG Ludwigshafen Federal Republic of Germany
;
Han J. Dijkstra
;
Mieke Goethals
;
A.Krause Siemens AG Muenchen Federal Republic of Germany
;
Holger Moritz
;
Marian E. Reuhman-Huisken
;
Reinhold Schwalm
;
Veerle Van Driessche
;
Francoise Vinet
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
55.
Role of surface tension in silylation processes
机译:
表面张力在甲硅烷基过程中的作用
作者:
Andre P. Weill
;
Patrick J. Paniez
;
Olivier P. Joubert
;
Francoise Debaene
;
Daniel Sage
;
Gilles R. Amblard
;
Michel J. Pons
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
56.
Blended novolac resins with improved lithographic performance
机译:
具有改善的光刻性能的混合酚醛清漆树脂
作者:
Tom J. Lynch
;
Chet J. Sobodacha
;
Valerie R. Paradis
;
Dana L. Durham
;
Anthony Canize
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
57.
Effects of fluorescence on the spatial resolution of photoresist materials
机译:
荧光对光致抗蚀剂材料空间分辨率的影响
作者:
J.J. Vleggaar
;
A.H. Huizer
;
C. A. G. Varma
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
58.
Influence of polymer properties on airborne chemical contamination of chemically amplified resists
机译:
聚合物性质对化学扩增抗蚀剂的空气传播污染的影响
作者:
William D. Hinsberg
;
Scott A. MacDonald
;
Nicholas J. Clecak
;
Clint D. Snyder
;
Hiroshi Ito
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
59.
Resist materials design: base-catalyzed chemical amplification
机译:
抗蚀材料设计:碱催化的化学放大
作者:
C.G. Willson
;
J.F. Cameron
;
Scott A. MacDonald
;
C.P. Niesert
;
Jean M. Frechet
;
M.K. Leung
;
Aaron J. Ackman
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
60.
Delay-time stable chemically amplified deep-UV resist
机译:
延迟时间稳定化学放大深紫外线抗蚀剂
作者:
Klaus J. Przybilla
;
Yoshiaki Kinoshita
;
Takanori Kudo
;
Seiya Masuda
;
Hiroshi Okazaki
;
Munirathna Padmanaban
;
Gerhard Pawlowski
;
Horst Roeschert
;
Walter Spiess
;
Natusmi Suehiro
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
61.
Photoresist surface induction and its effect on swing behavior
机译:
光致抗蚀剂表面诱导及其对摆动行为的影响
作者:
Steven G. Hansen
;
Rodney J. Hurditch
;
David J. Brzozowy
;
Stewart A. Robertson
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
62.
Modeling of silylated resist profile in DESIRE process
机译:
寿甲硅烷化抗蚀剂在欲望过程中的建模
作者:
B.P. Mathur
;
Khalil I. Arshak
;
J.Braddell National Microelectronics Research Ctr. Cork Ireland
;
D.McDonough Univ. of Limerick Limerick Ireland
;
A.Arshak Univ. of Limerick Limerick Ireland.
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
63.
New silicon-containing negative resist for bilayer lithography
机译:
用于双层光刻的含新硅负抗蚀剂
作者:
Premlatha Jagannathan
;
Ratnam Sooriyakumaran
;
Harbans S. Sachdev
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
64.
Advanced i-line lithography: evaluation of a new chemical amplification negative resist
机译:
先进的I型光刻:评估新的化学放大负抗蚀剂
作者:
Gilles R. Amblard
;
Andre P. Weill
;
Christophe Brault
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
65.
Dissolution rate modeling of a chemically amplified positive resist
机译:
化学放大抗蚀剂的溶出速率建模
作者:
Takeshi Ohfuji
;
Allen G. Timko
;
Omkaram Nalamasu
;
Douglas R. Stone
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
66.
Scaling law for the dissolution of phenolic resins in aqueous base
机译:
酚醛树脂溶解中酚醛树脂溶解法
作者:
Tung-Feng Yeh
;
Arnost Reiser
;
Ralph Dammel
;
Gerhard Pawlowski
;
Horst Roeschert
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
67.
Dissolution kinetics of chemically amplified resists
机译:
化学放大抗蚀剂的溶出动力学
作者:
Toshiro Itani
;
Katsuyuki Itoh
;
Kunihiko Kasama
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1993年
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