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International symposium on compound semiconductors
International symposium on compound semiconductors
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1.
Structural and magnetic anisotropy of epitaxially grown MaAs on GaAs(001)
机译:
GaAs上外延生长的MAAS的结构和磁各向异性(001)
作者:
F Schippan
;
A trampert
;
G Behme
;
L Daweritz
;
K H Ploog
;
B Dennis
;
K U Neumann
;
K R A Ziebeck
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
2.
Lateral junction photodetector grown by molecular beam epitaxy on a GaAs (311)A-oriented substrate
机译:
通过分子束外延在GaAs(311)面向A的基材上产生的横向结光电探测器
作者:
P O Vaccaro
;
M Uwani
;
T Ohachi
;
M Tani
;
M Kurosawa
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
3.
Superradiance in Semiconductors and Form-Factor of Homogeneous Line Broadening
机译:
半导体的超长和均匀线宽的形状因子
作者:
S.V. Zaitsev
;
N. Yu. Gordeev
;
L. Ya. Karachinsky
;
V. I. Kopchatov
;
I. I. Novikov
;
P. S. Kopev
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
4.
Simulation of AlGaN/GaN-HFETs including spontaneous and piezoelectric polarization charges
机译:
AlGaN / GaN-HFET的仿真,包括自发和压电极化电荷
作者:
R. Stenzel
;
C. Pigorsch
;
W. Klix
;
A. Vescan
;
H. Leier
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
5.
Stacked InAs quantum wires grown on vicinal GaAs (001) surface by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延在邻近GaAs(001)表面上生长的堆积量量子电线
作者:
S.N. Rechkunov
;
A.I. Toropov
;
A.K. Gutakovsky
;
I.A. Panaev
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
6.
GaInP burying growth by MOCVD for a refractiver index guided BH-VCSEL
机译:
GAINP通过MOCVD掩埋增长,用于折射率指数引导BH-VCSEL
作者:
Kouta Tateno
;
Hiroyuki Uenohara
;
Toshiaki Kagawa
;
Chikara Amano
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
7.
Visible-blind ultraviolet photodetectors based on Al_xGa_(1-x)N alloys
机译:
基于AL_XGA_(1-X)N合金的可见盲紫外光探测器
作者:
E Monroy
;
F Calle
;
E Munoz
;
F Omnes
;
B beaumont
;
P Gibart
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
8.
High performance polarization induced AlGaN/GaN HEMTs
机译:
高性能极化诱导Algan / GaN Hemts
作者:
O. Ambacher
;
K. Chu
;
B. Green
;
V. Tilak
;
N. Weimann
;
J. Smart
;
J.R. Shealy
;
L.F. Eastman
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
9.
W-Band MMICs with 0.15 mum Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs Substrate: Performance, Thermal Stability and Reliability
机译:
具有0.15毫米变质Inalas / InGaAs Hemts的W波段MMICS在GaAs衬底:性能,热稳定性和可靠性
作者:
M. Chertouk
;
S. Kudszus
;
M. Dammann
;
R. Reuter
;
K. Kohler
;
G. Weimann
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
10.
Complex Coupled 1.55 mum Tunable Super-Grating DFB Lasers and Photonic Filters
机译:
复合耦合1.55毫米可调超光栅DFB激光器和光子过滤器
作者:
R. Schreiner
;
H. Grabeldinger
;
j. Wiedmann
;
K. Wunstel
;
J. Porsche
;
F. Scholz
;
H. Schweizer
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
11.
Potential of InGaAsP Quantum Well Cells for Thermophotovoltaics
机译:
InGaASP量子阱细胞用于炎热球的潜力
作者:
Carsten Rohr
;
Keith W J Barnham
;
James P Connolly
;
Jenny Nelson
;
Chris Button
;
Janice Clark
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
12.
Two-Dimensional Simulation of Gate-Lag Phenomena in GaAs MESFETs and AlGaAs/GaAs HEMTs
机译:
GaAs Mesfet和Algaas / Gaas Hemts的闸门滞后现象的二维模拟
作者:
K. Horio
;
A. Wakabayashi
;
N. Kurosawa
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
13.
Free-standing and overgrown InGaAs/GaAs nanotubes: fabrication, potential applications
机译:
独立式和长满的InGaAs / GaAs纳米管:制造,潜在的应用
作者:
V.Ya. Prinz
;
V.A. seleznev
;
A.K. Gutakovsky
;
A.V. Chehovskiy
;
V.V. Preobrazenskii
;
M.A. Putyato
;
L.A. Nenasheva
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
14.
Influence on the inclusion of h-GaN domain of the mosaicity in c-GaN epilayer grown on (001) GaAs substrate by rf-MBE
机译:
RF-MBE对(001)GaAs衬底生长的C-GaAs底层果皮中H-GaN结构域的影响
作者:
H. Hayashi
;
A. Hayashida
;
A. W. Jia
;
M. Kobayashi
;
A. Yoshikawa
;
K. Takahashi
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
15.
The Mechanism for Suppression of the Gate Lag in the Novel GaAs Power FET with the Field-Modulating Plate
机译:
具有现场调制板的新型GaAs电力FET中栅极滞后的机制
作者:
K. Ito
;
Y. Mochizuki
;
K. Asano
;
Y. Miyoshi
;
Y. Nashimoto
;
M. Kuzuhara
;
M. Mizuta
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
16.
Optimization of InGaN/GaN quantum wells for violet GaN/InGaN/AlGaN LEDs
机译:
紫杉/甘兰/ ingan / AlGan LED的Ingan / GaN量子孔的优化
作者:
A. Ramakrishnan
;
M. Kunzer
;
P. Schlotter
;
H. Obloh
;
W. Pletschen
;
K. Kohler
;
J. Wagner
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
17.
Microscopic probing of localized excitons in quantum wells
机译:
量子井局部激子的显微镜探测
作者:
N. Usami
;
K. Ota
;
K. Ohdaira
;
Y. Shiraki
;
T. Hasche
;
V. Lyssenko
;
K. Leo
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
18.
Phonons in group-III nitride mixed crystals
机译:
AIC-III族氮化物混合晶体的声子
作者:
H Grille
;
Ch Schnittler
;
F Bechstedt
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
19.
On-state breakdown measurements in GaAs MESFETs and InP-based HEMTs
机译:
在GaAs Mesfet和基于INP的HEMTS中的鼻窦击穿测量
作者:
E. Zanoni
;
G. Meneghesso
;
A. Bortoletto
;
M. Maretto
;
G. Massari
;
D. Buttari
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
20.
Spectrum Analysis of Interband Optical Transmissions and Quantitative Model of Eigen Energies and Absorptions in In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As Multi-Quantum Well Structures
机译:
作为多量子阱结构的IN_(0.53)GA_(0.47)的尖端能量和eIGEN能量的定量模型的光谱分析和in_(0.53)Ga_(0.47)的吸收
作者:
Y. Tanoue
;
Y. Ohno
;
T. Murata
;
K. Shibata
;
K. Tanaka
;
N. Kotera
;
M. Washima
;
H. Nakamura
;
T. Mishima
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
21.
InGaP/GaAs Power HBTs for L-Band Applications
机译:
INGAP / GAAS电源HBT为L波段应用
作者:
M. Achouche
;
S. Kraus
;
T. Spitzbart
;
M. Rudolph
;
P. Kurpas
;
D. Rentner
;
F. Brunner
;
E. Richter
;
T. Bergunde
;
P. Heymann
;
P. Wolter
;
h. Wittrich
;
M. Weyers
;
J. Wurfl
;
G. Trankle
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
22.
Growth of metastable GaAsSb for InP-based type-II emitters
机译:
基于INP的II型发射器的亚稳Gaassb的生长
作者:
M. Peter
;
D. Serries
;
N. Herres
;
F. Fuchs
;
R. Kiefer
;
K. Winkler
;
K.-H. Bachem
;
J. Wagner
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
23.
InAs/GaAs Quantum Dots for 1.3mum emitters
机译:
1.3mum发射器的INAS / GAAS量子点
作者:
Ray Murray
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
24.
Enhanced Peroformance in Surface-Channel Strained-Si n- and p-MOSFETs
机译:
表面通道紧张-SI和P-MOSFET中的性能增强
作者:
K. Rim
;
J. L. Hoyt
;
J. F. Gibbons
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
25.
Electric field effect of GaAs photoluminescence in AlGaAs/GaAs pn heterojunction
机译:
Algaas / GaAs PN异质结中GaAs光致发光的电场效应
作者:
Yukio Ikeda
;
Junichi Noro
;
Atsushi Kawaharazuka
;
Yoshiji Horikoshi
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
26.
Precise structure investigations of heterosystem eptiaxial Si/porous Si/substrate Si.
机译:
异质体ePTIAXIAL SI /多孔Si /底物Si的精确结构研究。
作者:
A.P. Vasilenko
;
A.V. Kolesnikov
;
E.M. Trukhanov
;
L.V. Sokolov
;
A.A. Fedorov
;
O.P. Pchelyakov
;
S.I. Romanov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
27.
1.3 mum Emission from Quantum Dots Formed by 2 ML InAs Deposition in a Wide Band Gap (1.5-1.7 eV) InGaAlAs Matrix
机译:
从宽带隙中由2mL InAs沉积形成的量子点(1.5-1.7eV)Ingaalas矩阵中的量子点突出
作者:
A.F. Tsatsulnikov
;
D.A. Bedarev N.A. Bert
;
A.R. Kovsh
;
P.S. Kopev
;
N.A. Maleev
;
Yu.G. Muskihin
;
M.V. Maximov
;
V.M. Ustinov
;
B.V. Volovik
;
A.E. Zhukov
;
Zh.I. Alferov
;
N.N. Ledentsov
;
D. Bimberg
;
A.A. Suvorova
;
P. Werner
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
28.
Molecular beam epitaxy and properties of GaSb with MnSb clusters
机译:
MNSB簇的分子束外延和气体的性质
作者:
F. Matsukura
;
E. Abe
;
H. Ohno
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
29.
Competitive capture dynamics of photogenerated carriers in a GaAs/Al_(0.17)Ga_(0.83)As triple quantum well with different well thicknesses
机译:
GaAs / Al_(0.17)Ga_(0.83)中光生载体的竞争捕获动力学作为三量子孔,具有不同的孔厚度
作者:
K. Fujiwara
;
M. Ohe
;
M. Matsuo
;
T. Nogami
;
H.T. Grahn
;
K.H. Ploog
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
30.
Photoresponse Dynamics of Uni-Traveling-Carrier and Conventional pin-Photodiodes
机译:
Uni-Travel-载波和传统销光电二极管的光响应动态
作者:
T. Furuta
;
H. Ito
;
T. Tshibashi
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
31.
Long-Wavelength Edge-Emitting alasers on Gallium Arsenide Using InAs Quantum Dots Embedded in InGaAs
机译:
使用Inaas嵌入InaS的砷化镓上的长波长边缘 - 砷化镓上
作者:
A. Fiore
;
U. Oesterle
;
R. Houdre
;
D. Vez
;
R.P. Stanley
;
M. Ilegems
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
32.
GaN/(Al,Ga)N multiple quantum wells grown on 6H-SiC(0001) by reactive MBE
机译:
GaN /(Al,Ga)n通过反应性Mbe在6h-sic(0001)上种植的多量子孔
作者:
A Thamm
;
O Brandt
;
A Trampert
;
U Jahn
;
J Ringling
;
K H Ploog
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
33.
Heterojunction Interband Tunneling FETs: Optimization and Use in Amplifier Circuits
机译:
异质结合间隧道FET:优化和放大器电路中的应用
作者:
Mandar Deshpande
;
nada El-Zein
;
Gary Kramer
;
Jonathan Lewis
;
Vijay Nair
;
Marilyn Kyler
;
Herb Goronkin
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
34.
Coexistence of electric fields and composition fluctuations in (In,Ga)N/GaN quantum wells grown on 6H-SiC(0001)
机译:
在6H-SiC(0001)上生长的电场和组成波动的电场和组成波动的共存(0001)
作者:
P Waltereit
;
O Brandt
;
M Ramsteiner
;
J Ringling
;
A Trampert
;
K H Ploog
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
35.
Electroreflectance Bias-Wavelength Mapping of the GaAs/InGaAs/AlGaAs Structure
机译:
GaAs / InGaAs / Algaas结构的电气反射偏置波长映射
作者:
T. Tomaszewicz
;
A. Babinski
;
D. Suska
;
J. M. Baranowski
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
36.
Direct investigation of low-density localized hole states by optical detection of quantum oscillations in AlGaAs/InGaAs/GaAs
机译:
通过藻类/ ingAAS / GaAs中的量子振荡光学检测直接调查低密度局部孔状态
作者:
H Kissel
;
Yu I Mazur
;
U Muller
;
G G Tarasov
;
Z Ya Zhuchenko
;
C Walther
;
W T Masselink
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
37.
Growth and electrical characterization of GaN hydride VPE layers
机译:
GaN氢化物VPE层的生长和电力表征
作者:
Ch. Zellweger
;
V. Wagner
;
M. A. Py
;
O. Parillaud
;
H. J. Buhlmann
;
M. Ilegems
;
M. Heuken
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
38.
Enhanced Electron-Phonon Interaction in InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots
机译:
INAS / GAAs自组装量子点中增强的电子 - 声子相互作用
作者:
A W E Minnaert
;
A Yu Silov
;
W van der Vleuten
;
J E M Haverkort
;
J H Wolter
;
A Garcia-Cristobal
;
V M Fomin
;
J T Devreese
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
39.
Study of Alloyed and Non-Alloyed Ohmic Contact Doped-Channel In_(0.8)Ga_(0.2)P/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP HFETs with f_T and f_(max) over 170GHz
机译:
研究合金化和非合金欧姆接触掺杂通道IN_(0.8)GA_(0.2)P / IN_(0.53)GA_(0.47),AS / INP HFET,具有超过170GHz的f_t和f_(max)
作者:
Z. Tang
;
H. Hsia
;
H. C. Kuo
;
B. Moser
;
D. Caruth
;
G. E. Stillman
;
M. Feng
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
40.
Electrical properties of InAs/AlSb/GaSb double quantum well structures
机译:
INAS / ALSB / GASB双量子井结构的电性能
作者:
J H Roslund
;
H Yamaguchi
;
Y Hirayama
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
41.
Long-Wavelength Edge-Emitting Lasers on Gallium Arsenide Using InAs Quantum Dots Embedded in InGaAs
机译:
使用INAS嵌入INAS含量的砷化镓上的长波长边缘发光激光器
作者:
A. Fiore
;
U. Oesterle
;
R. Houdre
;
D. Vez
;
R. P. Stanley
;
M. Ilegems
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
42.
Initial Stages of InAs-Quantum Dot Formation Studies by Reflectance-Difference Spectroscopy and Photoluminescence
机译:
反射差异光谱和光致发光的inaS-量子点形成研究的初始阶段
作者:
Kenichi Yamashita
;
Takashi Kita
;
Taneo Nishino
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
43.
Spin relaxation dynamics of drifting electrons in GaAs narrow (10 nm) quantum wires
机译:
GaAs狭窄(10nm)量子线中漂移电子的旋转放松动态
作者:
T. Sogawa
;
H. Ando
;
S. Ando
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
44.
Plasma-Induced Damage in Doped InGaN/GaN Heterostructures
机译:
血浆诱导的掺杂Ingan / GaN异质结构损伤
作者:
Gerhard Franz
;
Robert Averbeck
;
Infineon Technologies
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
45.
New GaAs Schottky Diodes with 180V Blocking Voltage for Power Electronics Realised on 3' Wafers
机译:
新的GaAs肖特基二极管,带180V阻塞电压,用于3“晶圆的电力电子设备
作者:
S Knigge
;
T Bergunde
;
F Brunner
;
A Lindemann
;
M Mai
;
S Mobetaner
;
J Wurfl
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
46.
Suppressed Boron Diffusion in Carbon-Doped SiGe Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
碳掺杂SiGe异质结双极晶体管中抑制硼扩散
作者:
H Rucker
;
B Heinemann
;
D Knoll
;
H J Osten
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
47.
Preparation of (Ga,Fe)As and its photo-magnetic characteristics
机译:
(Ga,Fe)的制备及其光磁特性
作者:
Y. Takatani
;
S. Haneda
;
M. Yamaura
;
M. Tachibana
;
H. Munekata
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
48.
Natural Formation of Square Scale structures on Patterned Vicinal Substrates by MOVPE: Application to the Fabrication of Quantum Structures
机译:
MOVPE采用图案化覆盖基材的平方尺度结构的自然形成:应用于量子结构的制造
作者:
Yasuhiro Oda
;
Takashi Fukui
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
49.
Integratable high-power small-linewidth lambda/4 phase-shifted 1.55mum InGaAsP-InP-Ridge-Waveguide DFB-Lasers
机译:
可集成的大功率小线宽Lambda / 4相移1.55mum IngaAsp-Inp-Ridge-Wave-Web-Lasers
作者:
M. Mohrle
;
A. Sigmund
;
J. Kreissl
;
F. Reier
;
R. Steingruber
;
W. Rehbein
;
H. Roehle
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
50.
MBE growth of pseudomorphic InGaAs/GaPAsSb quantum well son GaAs
机译:
MBE Pseudomorphic Ingaas / Gapassb量子井儿子Gaas的成长
作者:
Wolfgang Braun
;
Phil Dowd
;
David J Smith
;
Chang-Myung Ryu
;
Ulrich Koelle
;
Shane R Johnson
;
Chang-Zhi Guo
;
Yong-Hang Zhang
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
51.
Self-consistent analysis of high-temperature effects on InGaAsP/InP lasers
机译:
INGAASP / INP激光器高温效应自一致分析
作者:
Joachim Piprek
;
Patrick Abraham
;
John E Bowers
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
52.
An Electron Wave Interference Transistor with a Novel Recess-Etched Grating Structure Fabricated Using Electron Beam Lithography
机译:
具有使用电子束光刻制造的新型凹陷蚀刻光栅结构的电子波干涉晶体管
作者:
T. Murata
;
S. Kishimoto
;
K. Maezawa
;
T. Mizutani
;
T. Ishi
;
T. Tamamura
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
53.
Microlasers for Planar Monolithic Integration
机译:
平面整体集成的微加工器
作者:
J P Reithmaier
;
E Hofling
;
F. schafer
;
A Forchel
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
54.
Electric field induced recombination centers in GaAs
机译:
电场诱导的GaAs中的重组中心
作者:
JunIchi Noro
;
Kei Machida
;
Yukio Ikeda
;
Atsushi Kawaharazuka
;
Yoshiji Horikoshi
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
55.
LP-MOVPE Growth of Carbon Doped In_(0.48)Ga_(0.52)P/GaAs HBT Using an All-Liquid-Source Configuration
机译:
使用全液源配置,LP-MOVPE碳掺杂(0.48)GA_(0.52)P / GAAS HBT
作者:
P. Velling
;
M. Agethen
;
E. Herenda
;
W. Prost
;
W. Stolz
;
F.-J. Tegude
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
56.
Process defect studies in dry-etch recessed gate AlGaN/GaN HEMTs
机译:
干蚀刻嵌入式栅极AlGaN / GaN Hemts中的过程缺陷研究
作者:
O Breitschadel
;
J T Hsieh
;
B Kuhn
;
F Scholz
;
H Schweizer
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
57.
Small Facet High Power 670nm AlGaInP/GaInP Lasers
机译:
小型高功率670nm AlgainP / GainP激光器
作者:
L Fu
;
L Wu
;
F Gao
;
O Gfrorer
;
A Hangleiter
;
F Scholz
;
H Schweizer
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
58.
Titanium Doping of GaSb MBE-layers
机译:
钛掺杂Gasb MBE层
作者:
P Cristea
;
D G Ebling
;
K W Benz
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
59.
Extremely low-resistance PdIn ohmic contacts to p-GaAs for use in base contacts of GaAs-based HBTs
机译:
用于P-GaAs的极低电阻Pdin欧姆触点,用于GaAs基HBT的基础触点
作者:
Yasushi Shiraishi
;
Hidenori Shimawaki
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
60.
Hall coefficient singularity observed from p-SiGeC grown on n~--Si substrate
机译:
从P-Sigec种植在N〜-SI衬底上观察的霍尔系数奇点
作者:
M. Ahoujja
;
Y. K. Yeo
;
M. R. Smith
;
R. L. Hengehold
;
G. S. Pomrenke
;
Jim Huffman
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
61.
Ga~+ion beam induced compositional intermixing in MBE grown Al_xGa_(1-x)As/GaAs quantum wells: optimization of the structural parameters for low dose applications
机译:
Ga〜+离子束诱导MBE生长AL_XGA_(1-X)AS / GAAs量子阱中的组成混合:优化低剂量应用的结构参数
作者:
Soheyla Eshlaghi
;
Dirk Reuter
;
Dieter Suter
;
Andreas Wieck
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
62.
Selective formation and alignment of InAs quantum dots over mesa stripes on GaAs(100) substrates studied by spatially resolved photoluminescence spectroscopy
机译:
通过空间分辨的光致发光光谱研究的GaAs(100)基板上的MESA条纹上的选择性形成和对准的INAS量子点
作者:
M. Ramsteiner
;
R. Zhang
;
R. Tsui
;
K. Shiralagi
;
J. tresek
;
H. Goronkin
;
K.H. Ploog
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
63.
Reflectance difference spectroscopy for growth control and characterization of low-temperature grown (Al,Ga) As materials
机译:
用于生长控制的反射率差异光谱和低温生长(Al,Ga)作为材料的表征
作者:
G Apostolopoulos
;
J Herfort
;
W Ulrici
;
L Daweritz
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
64.
MOVPE growth of (AlGa)As and (INGa)P on GaAs-based trenches
机译:
在基于GaAs的沟槽上的(藻类)和(inga)p的Movpe生长
作者:
L Hofmann
;
A Knauer
;
I Rechenberg
;
M Weyers
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
65.
Control of Doped InGaN/GaN Quantum Well Structures in Production Type Multiwafer MOCVD Reactors
机译:
控制生产型多件移动MOCVD反应器中的掺杂Ingan / GaN量子阱结构
作者:
H. Protzmann
;
M. Heuken
;
R. Beccard
;
O. Schoen
;
M. Luenenbuerger
;
H. Juergensen
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
66.
Technology and Characterization of AlGaN/Gan Field Effect Transistors
机译:
Algan / GaN场效应晶体管的技术与表征
作者:
A.Vescan
;
R. Dietrich
;
A. Wieszt
;
H. Leier
;
N. Kab
;
E. Kohn
;
J. M. Van Hove
;
P. P. Chow
;
A. M. Wowchack
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
67.
Problems and remedies in the MBE growth of (Al,Ga)N/GaN heterojunction field-effect transistor structures on SiC(0001)
机译:
(Al,Ga)N / GaN异质结现场效应晶体管结构的MBE成长中的问题及疗程(0001)
作者:
R Muralidharan
;
O Brandt
;
H von Kiedrowski
;
K H Ploog
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
68.
Complementary HFETs on GaAs with 0.2mum gate length
机译:
GaAs上的互补HFET,具有0.2mum栅极长度
作者:
A. Leuther
;
A. Thiede
;
K. Kohler
;
Th. Jakobus
;
G. Weimann
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
69.
Light-hole Stark-ladder photoluminescence induced by hole injection from a remote heavy-hole state in a GaAs/InAlAs superlattice
机译:
通过空穴注入从GaAs / Inalas Superlatice中的远程沉重孔状态引起的光孔凝视梯子光致发光
作者:
K. Kuroyanagi
;
N. Ohtani
;
N. Egami
;
K. Tominaga
;
M. Hosoda
;
H. Takeuchi
;
M. Nakayama
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
70.
A novel approach towards reduced growth temperatures and hydrogen incorporation in the MOVPE of ZnSe, ZnS and ZnSSe for blue LEDs and lasers
机译:
一种新的ZnSe,ZnS,ZnSSE中增长温度和氢气掺入的新方法
作者:
P Prete
;
N Lovergine
;
L Tapfer
;
A M Mancini
;
C Zanotti-Fregonara
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
71.
Spontaneous emission control of single quantum dots
机译:
单量子点的自发排放控制
作者:
G. S. Solomon
;
M. Pelton
;
Y. Yamamoto
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
72.
Excitation density dependence of Fermi edge singularity in pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
机译:
Fermi边缘奇异性在假形调制掺杂藻类/ ingaAs / GaAs异质结构中的激发密度依赖性
作者:
Yu I Mazur
;
G G Tarasov
;
H Kissel
;
U Muller
;
Z Ya Zhuchenko
;
G Yu Rudko
;
M Ya Valakh
;
V Malyarchuk
;
C Walther
;
W T Masselink
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
73.
High output power CW operation of a quantum dot laser
机译:
量子点激光器的高输出功率CW操作
作者:
V M Ustinov
;
A R Kovsh
;
D A Livshits
;
A E Zhukov
;
A Yu Egorov
;
M V Maximov
;
I S Tarasov
;
N N Ledentsov
;
P S Kop ev
;
Zh I Alferov
;
D Bimberg
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
74.
Engineering of growth selectivity on patterned GaAs (311)A substrates for novel lateral semiconductor nanostructures
机译:
图案GaAs(311)对新型横向半导体纳米结构的底物的生长选择性
作者:
Richard Notzel
;
Jorg Fricke
;
Uwe Jahn
;
Manfred Ramsteiner
;
Hans-Peter Schonherr
;
Klaus H Ploog
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
75.
Improvement of structural and optical properties of GaN and AlGaN using isoelectronic In doping
机译:
使用异形掺杂的GaN和AlGaN结构和光学性质的提高
作者:
Shigeo Yamaguchi
;
Michihiko Kariya
;
Shugo Nitta
;
Hiroshi Amano
;
Isamu Akasaki
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
76.
MBE Regrowth on Al_xGa_(1-x)As Cleaned by Arsenic-free High Temperature Surface Cleaning Method
机译:
MBE再生在AL_XGA_(1-X)上,如无砷的高温表面清洁方法清洁
作者:
T.Nishioka
;
K.Nakamura
;
G.Funatsu
;
K.Iizuka
;
H.Okamoto
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
77.
DC and Microwave Performance Evaluation of 100GHz Ion-Implanted MESFETs and MOCVD Epitaxial Doped-channel HFETs
机译:
100GHz离子植入的MESFET和MOCVD外延掺杂通道HFET的DC和微波性能评估
作者:
Z. Tang
;
H. Hsia
;
R. Shimon
;
D. Caruth
;
D. Becher
;
S. Shen
;
M. Feng
;
Yuichi Sasajima
;
M. Hata
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
78.
Integratable high-power small-linewidth λ/4 phase-shifted 1.55μm InGaAsP-InP-Ridge-Waveguide DFB-Lasers
机译:
可集成大功率小线宽λ/ 4相移1.55μmingaAsp-inp-ridge-widge-wide-widb-lasers
作者:
M. Mohrle
;
A. Sigmund
;
J. Kreissl
;
F. Reier
;
R. Steingruber
;
W. Rehbein
;
H. Roehle
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
79.
Selective MBE Growth of InGaAs Quantum Wire-Dot Coupled Structures with Controlled Double-Barrier Potential Profiles
机译:
具有受控双屏障电位型材的InGaAs量子线耦合结构的选择性MBE成长
作者:
Tsutomu Muranaka
;
hajime Fujikura
;
Hideki Hasegawa
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
80.
Reactive-ion-etching (Al_xGa_(1-x))_(0.5)In_(0.5)P Quaternary Compounds Using Chlorine and Fluorine Mixing Plasma
机译:
使用氯和氟混合等离子体的反应性离子蚀刻(Al_xga_(1-x))_(0.5)in_(0.5)季化合物
作者:
S.C. Yang
;
Y.J. Chan
;
K.H. Chang
;
K.C. Lin
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
81.
Conformal growth of III-Vs on Si: from low defect density materials to advanced devices
机译:
Si的III-VS的共形生长:从低缺陷密度材料到先进器件
作者:
B. Gerard
;
D. Pribat
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
82.
Technology and performance of AlGaN/GaN based polarization induced HEMTs with improved contact design
机译:
基于AlGan / GaN的极化诱导垫的技术与性能改进接触设计
作者:
J. Hilsenbeck
;
W. Rieger
;
J. Wurfl
;
R. Dimitrov
;
O. Ambacher
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
83.
GaN Static Induction Transistor Fabrication
机译:
Gan static induction transistor fabrication
作者:
N G Weimann
;
L F Eastman
;
H Obloh
;
K Kohler
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
84.
1.3 mum CW Operation of InGaAsN Lasers
机译:
1.3毫米CW运行IngaAsn激光器
作者:
A.Yu. Egorov
;
D. Bernklau
;
D.Livshits
;
V.Ustinov
;
Zh.I.Alferov
;
H. Riechert
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
85.
Blue-green BeMgZnSe/ZnCdSe injection lasers: peculiarities of radiative recombination
机译:
蓝绿色Bemgznse / Zncdse注射激光器:辐射重组的特点
作者:
N. Yu. Gordeev
;
V. I. Kopchatov
;
S. V. Ivanov
;
P.S. Kopev
;
H.-J. Lugauer
;
G. Reuscher
;
A. Waag
;
G. Landwehr
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
86.
300 GHz continuously tunable high power three section DBR laser diode at 1060 nm
机译:
300 GHz连续调谐高功率三截面DBR激光二极管1060nm
作者:
A Klehr
;
F Bugge
;
G Erbert
;
L Hofmann
;
A Knauer
;
J Sebastian
;
V B Smirnitski
;
H Wenzel
;
G Trankle
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
87.
Capacitance spectroscopy of Si-doped GaAs grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
机译:
由原子氢辅助分子束外延生长的Si掺杂GaAs的电容光谱
作者:
P Krispin
;
M Asghar
;
H-P Schonherr
;
H Kostial
;
R Notzel
;
K H Ploog
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
88.
Comparative X-HREM study of (311)A and (100) GaAs/AlAs superlattices
机译:
(311)A和(100)GaAs / Alas超晶格的比较X-HEM研究
作者:
A.B. vorobev
;
A.K. Gutakovsky
;
V.Ya. Prinz
;
V.V. Preobrazhenskii
;
B.R. Semyagin
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
89.
Optimizing Fe-Doped Semi-insulating Optical Waveguide Layers: Detection of Interface Layer Conduction
机译:
优化Fe掺杂的半绝缘光波导层:接口层传导检测
作者:
H.-G. Bach
;
W. Ebert
;
A. Umbach
;
C. Schramm
;
R. Hubsch
;
A. Seeger
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
90.
Optic - Optic switching with DFB resonators
机译:
具有DFB谐振器的光学 - 光学切换
作者:
M. Jetter
;
M. Korbl
;
U.A. Griesinger
;
J. Porsche
;
F. Scholz
;
H. Schweizer
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
91.
GSMBE Growth of Compressively Strained and Strain-compensated InAsP/IngaAsP Quantum Wells for 1.3mum Wavelength Lasers
机译:
GSMBE对压缩紧张和应变补偿的生长和压制的压缩性孔隙/ INGAASP量子阱进行1.3mum波长激光器
作者:
Jianxin Chen
;
Aizhen Li
;
Yiqiao Chen
;
Yonggang Zhang
;
Ming Qi
;
Xinru Lin Krister Frojdh
;
Bjorn Stoltz
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
92.
Free-standing conductive GeSi/Si helical microcoils, micro- and nanotubes
机译:
独立式导电GESI / SI螺旋微粒,微型和纳米管
作者:
V.Ya. Prinz
;
S.V. Golod
;
V.I. Mashanov
;
A.K. Gutakovsky
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
93.
On the origin of strain relaxation in MOVPE InGaAs/GaAs SQWs by <010> aligned misfit dislocations
机译:
在Movpe IngaAs / GaAs SQWS中的应变松弛起源<010>对齐的错配脱位
作者:
C Frigeri
;
A Brinciotti
;
D M Ritchie
;
G P Donzelli
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
94.
MBE growth of single crystalline AlInAs/GaInAs MQWs at the low growth temperature limit
机译:
MBE在低生长温度限制下单晶alinas / Gainas MQW的生长
作者:
K Biermann
;
H Kunzel
;
T Elsasser
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
95.
Transport through Quasi 1DEG Channels Having Periodic Potential Modulation Induced by Self-Organized GaAs Multiatomic Steps
机译:
通过自组织GaAs多种步骤诱导具有周期性潜在调制的准1DEG通道的运输
作者:
M. Akabori
;
K. Yamatani
;
J. Motohisa
;
T. Fukui
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
96.
Multiple Gate-Controlled Peaks in a Zero Dimensional Resonant Tunnelling Transistor
机译:
零维谐振隧道晶体管中的多个栅极控制峰
作者:
L.-E. Wernersson
;
K. Furuya
;
B. Gustafson
;
L. Samuelson
;
W. Seifert
;
M. Suhara
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
97.
GaAs quantum wire transistors and single electron transistors using Schottky wrap gates for quantum integrated circuits
机译:
GaAs量子线晶体管和使用肖特基包装栅极的单电子晶体管用于量子集成电路
作者:
S. Kasai
;
Y. Satoh
;
H. Hasegawa
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
98.
Growth and electrical characterization of self-organized InAs quantum wires on InP
机译:
在INP上自组织INAS量子线的生长和电气表征
作者:
C Walther
;
J Erxmeyer
;
E Schippel
;
L Hoering
;
W T Masselink
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
99.
Tunable GHz oscillations in weakly coupled GaAs/AlAs superlattices
机译:
在弱耦合GaAs / Alas Supertrices中调谐GHz振荡
作者:
M Rogozia
;
R Hey
;
H Kostial
;
H T Grahn
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
2000年
100.
Heterostructures Tomorrow: From Physics to Moore's Law
机译:
异质结构明天:从物理到摩尔定律
作者:
Herbert Kroemer
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Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
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2000年
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