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European solid-state device research conference
European solid-state device research conference
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1.
Lattice-Gauge Theoretical Modeling of Back-End Structures
机译:
背端结构的格子仪表理论建模
作者:
Peter Meuris
;
Wim Schoenmaker
;
Wim Magnus
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
2.
The Role of Technology CAD in Early Process Development
机译:
技术CAD在早期过程开发中的作用
作者:
Helmut Puchner
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
3.
Investigations and Physical Modelling of Saturation Effects in Lateral DMOS Transistor Architectures Based on the Concept of Intrinsic Drain Voltage
机译:
基于固有漏极电压概念的横向DMOS晶体管架构饱和效应的研究和物理建模
作者:
C. Anghel
;
N. Hefyene
;
A.M. lonescu
;
M. Vermandel
;
B. Bakeroot
;
J. Doutreloigne
;
R. Gillon
;
C. Maier
;
Y. Mourier
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
4.
600V bipolar power devices on thick SOI
机译:
厚SOI上的600V双极电源设备
作者:
L. Clavelier
;
A. Dartigues
;
C. Buj
;
B. Charlet
;
P. Gidon
;
B. Giffard
;
S. Gimonet
;
M. Roy
;
C. Schaeffer
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
5.
Physical Modeling of Deep-Submicron Devices
机译:
深度亚微米器件的物理建模
作者:
Andreas Schenk
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
6.
Advanced Source/Drain Architecture using Very Low Schottky Barriers: Device Design and Material Engineering
机译:
使用非常低的肖特基障碍的高级源/漏极架构:设备设计和材料工程
作者:
Emmanuel Dubois
;
Guilhem Larrieu
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
7.
Evaluation of Soft Errors in DRAM and SRAM using Nuclear Microprobe and Neutron Source
机译:
使用核微探针和中子源评估DRAM和SRAM的软误差
作者:
M. Takai
;
Y. Arita
;
S. Abo
;
T. Iwamatsu
;
S. Maegawa
;
H. Sayama
;
Y. Yamaguchi
;
M. Inuishi
;
T. Nishimura
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
8.
Impact of Shallow Trench Liner Oxidation Scheme on Junction Leakage
机译:
浅沟槽衬里氧化方案对结漏电的影响
作者:
V. P. Gopinath
;
H. Puchner
;
M. Mirabedini
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
9.
Design of Wide MOSFETs on Re-crystallized Polysilicon Film with Multigigahertz Cut-off Frequency
机译:
具有多功能剪切频率的重结晶多晶硅膜上宽MOSFET的设计
作者:
Sang Lam
;
Hongmei Wang
;
Singh Jagar
;
Mansun Chan
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
10.
A 50nm channel vertical MOSFET concept incorporating a retrograde channel and a dielectric pocket
机译:
包含逆行通道和介电口袋的50nm通道垂直MOSFET概念
作者:
A.C. Lamb
;
L.S. Riley
;
S. Hall
;
V.D. Kunz
;
C.M. de Groot
;
P.Ashburn
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
11.
A Trench DRAM Gain Cell for High Signal Charge at Reduced Cell Area
机译:
降低电池区域的高信号电荷的沟槽DRAM增益单元
作者:
W.H. Krautschneider
;
F. Hofmann
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
12.
Optimization of Industrial High Voltage Structures by Three-Dimensional Diffusion Simulation
机译:
三维扩散仿真优化工业高压结构
作者:
Johann Cervenka
;
Peter Fleischmann
;
Siegfried Selberherr
;
Martin Knaipp
;
Franz Unterleitner
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
13.
ILD Development for Embedded 0.18μm FLASH Technology
机译:
ILD开发嵌入式0.18μm闪光技术
作者:
A.Cacciato
;
G. van de Ven
;
P. Habas
;
M. de Keijser
;
C. Deuper
;
X.M. Zhang
;
D. Dormans
;
R. Verhaar
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
14.
Optimized Si/SiGe notched gates for CMOS
机译:
CMOS优化的Si / SiGe Notched栅栏
作者:
S. Monfray
;
C.Julien
;
P.Ribot
;
F.Boeuf
;
D.Dutartre
;
J.Martins
;
E.Sondergard
;
T. Skotnicki
会议名称:
《European solid-state device research conference》
|
2001年
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