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European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)
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1.
Optical Characterization of Deep Level Defects in SiC
机译:
SiC中深能级缺陷的光学表征
作者:
Bjoern Magnusson
;
Erik Janzen
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
FTIR;
deep levels;
photoluminescence and absorption;
2.
Optical Centres with Local Vibrational Modes Created by High Temperature Annealing of Electron Irradiated 4H and 6H Silicon Carbide
机译:
电子辐照4H和6H碳化硅的高温退火产生的具有局部振动模的光学中心
作者:
J. W. Steeds
;
S. A. Furkert
;
W. Sullivan
;
J. M. Hayes
;
N. G. Wright
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
optical centres;
local vibrational modes;
high temperature;
3.
Performance of SiC Cascode Switches with Si MOS Gate
机译:
具有Si MOS栅极的SiC级联开关的性能
作者:
G. Brezeanu
;
C. Boianceanu
;
M. Brezeanu
;
A. Mihaila
;
F. Udrea
;
G. Amaratunga
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
cascode switch;
transient response;
transfer characteristics;
SIC-JFET;
4.
Phase Formation at Rapid Thermal Annealing of Nickel Contacts on C-face n-type 4H-SiC
机译:
C面n型4H-SiC镍触点快速热退火时的相形成
作者:
S. Ferrero
;
A. Albonico
;
U. M. Meotto
;
G. Rombola
;
S. Porro
;
F.Giorgis
;
D. Perrone
;
L.Scaltrito
;
E.Bontempi
;
L.E.Depero
;
G. Richieri
;
L. Merlin
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
ohmic contact;
nickel silicides;
μ-XRD;
μ-Raman;
auger;
electrical characterization;
5.
Ni-silicide Contacts to 6H-SiC: Contact Resistivity and Barrier Height on Ion Implanted n-type and Barrier Height on p-type Epilayer
机译:
硅化镍与6H-SiC的接触:离子注入n型的接触电阻率和势垒高度以及p型外延层的势垒高度
作者:
Francesco Moscatelli
;
Andrea Scorzoni
;
Antonella Poggi
;
Mariaconcetta Canino
;
Roberta Nipoti
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
silicon carbide;
barrier height;
Ni contacts;
contact resistivity;
6.
Characterization of Electrical Contacts on Polycrystalline 3C-SiC Thin Films
机译:
多晶3C-SiC薄膜上电触点的表征
作者:
A. Castaldini
;
A. Cavallini
;
M. Rossi
;
M. Cocuzza
;
C. Ricciardi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
cubic 3C(beta)-SiC;
low pressure chemical vapor deposition (LPCVD);
atomic force microscopy (AFM);
surface photovoltage spectroscopy (SPS);
transmission line method (TLM);
specific contact resistivity (ρ_c);
transfer length (Lr);
7.
Characterization of 4H-SiC Epitaxial Layers by Microwave Photoconductivity Decay
机译:
微波光导衰减法表征4H-SiC外延层
作者:
R. J. Kumar
;
P. A. Losee
;
C. Li
;
J. Seiler
;
I. B. Bhat
;
T. P. Chow
;
J. M. Borrego
;
R. J. Gutmann
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
silicon carbide;
carrier lifetime;
non-contacting characterization;
epitaxial growth;
8.
Characterization of SiC Passivation using MOS Capacitor Ultraviolet-Induced Hysteresis
机译:
利用MOS电容器紫外线诱导的磁滞特性表征SiC钝化
作者:
Kevin Matocha
;
Jesse Tucker
;
Ed Kaminsky
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
passivation;
silicon dioxide;
silicon nitride;
fixed oxide charge;
interface-state density;
MOS capacitors;
MESFETs;
9.
Epitaxial Deposition of Silicon Carbide Films in a Horizontal Hot-wall CVD Reactor
机译:
在水平热壁CVD反应器中碳化硅膜的外延沉积
作者:
Alessandro Veneroni
;
Fabrizio Omarini
;
Maurizio Masi
;
Stefano Leone
;
Marco Mauceri
;
Giuseppe Pistone
;
Giuseppe Abbondanza
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
chemical vapor deposition processes;
fluid flows;
semiconductor materials;
theory and models of film growth;
10.
Electron Irradiation Induced Vacancy Defects Detected by Positron Annihilation in 6H-SiC
机译:
正电子ni灭在6H-SiC中检测到的电子辐照空位缺陷
作者:
M.-F. Barthe
;
L. Henry
;
S. Arpiainen
;
G. Blondiaux
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
6H-SiC;
Positron annihilation spectroscopy;
vacancy defects;
electron irradiation;
11.
Capacitance Spectroscopy Study of High Energy Electron Irradiated and Annealed 4H-SiC
机译:
高能电子辐照退火4H-SiC的电容光谱研究
作者:
G.AIfieri
;
E.V. Monakhov
;
M.K.Linnarsson
;
B.G.Svensson
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
DLTS;
electron irradiation;
12.
An In-situ Post Growth Annealing Process for the Improvement of 4H-SiC/SiO_2 MOS Interface Prepared by CVD using TEOS, and its Characteristic Study
机译:
原位生长后退火技术改进TEOS法CVD制备4H-SiC / SiO_2 MOS界面及其性能研究
作者:
Kumaresan Ramanujam
;
Hidetsugu Furuichi
;
Koshi Taguchi
;
Satoshi Yukumoto
;
Shigehiro Nishino
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
SiC;
SiO_2;
MOS;
CVD;
TEOS;
interface;
D_(it);
13.
Annealing of Aluminum Implanted 4H-SiC: Comparison of Furnace and Lamp Annealing
机译:
铝注入4H-SiC的退火:炉和灯退火的比较
作者:
M. Rambach
;
A.J. Bauer
;
L. Frey
;
P. Friedrichs
;
H. Ryssel
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
annealing;
ion implantation;
sheet resistance;
surface roughness;
14.
Ar Annealing at 1600℃ and 1650℃ of Al~+ Implanted p~+ 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V Characteristics Versus Annealing Temperature
机译:
注入Al〜+的p〜+ / n 4H-SiC二极管在1600℃和1650℃下的Ar退火:J-V特性与退火温度的关系分析
作者:
Fabio Bergamini
;
Francesco Moscatelli
;
Mariaconcetta Canino
;
Antonella Poggi
;
Roberta Nipoti
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
silicon carbide;
ion implantation;
annealing;
p~+ junction diode;
15.
Ab Initio Study of Dopant Ihterstitials in 4H-SiC
机译:
从头算研究4H-SiC中的掺杂杂质
作者:
Alexander Mattausch
;
Michel Bockstedte
;
Oleg Pankratov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
dopant diffusion;
boron;
aluminum;
nitrogen;
phosphorus;
16.
Aluminium Implantation Induced Linear Surface Faults in 4H-SiC
机译:
铝注入引起的4H-SiC线性表面缺陷
作者:
N.G.Wright
;
K.V.Vassilevski
;
I.Nikitina
;
A.B.Horsfall
;
C.M.Johnson
;
P.Bhatnagar
;
P. Tappin
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
implantation;
aluminium;
surface defects;
17.
Challenge to 200 mm 3C-SiC Wafers Using SOI
机译:
使用SOI挑战200 mm 3C-SiC晶圆
作者:
Motoi Nakao
;
Hirofumi Iikawa
;
Katsutoshi Izumi
;
Takashi Yokoyama
;
Sumio Kobayashi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
200 mm wafer;
SOI;
SiC;
3C-SiC;
UHV-CVD;
carbonization;
seed layer;
18.
Characterisation of 4H - SiC pin Diodes by Micro-Raman Scattering and Photoemission
机译:
显微拉曼散射和光发射表征4H-SiC pin二极管
作者:
A. Thuaire
;
M. Mermoux
;
A. Crisci
;
N. Camara
;
E. Bano
;
F.Baillet
;
E. Pernot
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
silicon carbide;
pin diode;
structural defects;
raman imaging;
electroluminescence;
19.
A Thermal Model for Flash Lamp Annealing of 3C-SiC/Si Multi-layer Systems (i-FLASiC)
机译:
3C-SiC / Si多层系统(i-FLASiC)闪光灯退火的热模型
作者:
M. Smith
;
R. A. McMahon
;
W. Skorupa
;
M. Voelskow
;
J. Stoemenos
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
FLASiC;
thermal modeling;
flash lamp annealing;
20.
A Study of 6H-seeded 4H-SiC Bulk Growth by PVT
机译:
PVT对6H-种4H-SiC块体生长的研究
作者:
Eugene Y. Tupitsyn
;
Arulchakkaravarthi Arjunan
;
Robert T. Bondokov
;
Robert M. Kennedy
;
Tangali S. Sudarshan
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
4H-SiC;
6H-SiC;
polytypic transition;
crystal growth;
X-ray rocking curve;
KOH etching;
modified lely technique;
PVT;
21.
4H-SiC DMOSFETs for High Speed Switching Applications
机译:
用于高速开关应用的4H-SiC DMOSFET
作者:
Sei-Hyung Ryu
;
Sumi Krishnaswami
;
Mrinal Das
;
James Richmond
;
Anant Agarwal
;
John Palmour
;
James Scofield
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
power MOSFET;
DMOSFET;
switching speed;
switching losses;
22.
4H-SiC MOSFETs Using Thermal Oxidized Ta_2Si Films as High-k Gate Dielectric
机译:
使用热氧化Ta_2Si薄膜作为高k栅极介电层的4H-SiC MOSFET
作者:
A. Perez-Tomas
;
P. Godignon
;
N. Mestres
;
J. Montserrat
;
J. Millan
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
4H-SiC;
MOSFET;
high-k dielectric;
Ta_2Si;
Ta_2O_5;
23.
Homoepitaxial Growth on 4H-SiC (0338) Face by Sublimation Close Space Technique
机译:
升华近空间技术在4H-SiC(0338)面上的同质外延生长
作者:
S. Yoneda
;
T. Furusho
;
H. Takagi
;
S. Ohta
;
S. Nishino
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
4H-SiC(0338);
sublimation;
epitaxy;
oxidation;
micropipe;
24.
Hole-like Defects in n-Channel 4H-SiC MESFETs Observed by Current Transient Spectroscopy
机译:
电流瞬态光谱法观察n沟道4H-SiC MESFET中的孔状缺陷
作者:
J.M. Bluet
;
M. Gassoumi
;
I. Dermoul
;
F. Chekir
;
H. Maaref
;
G.Guillot
;
E. Morvan
;
C. Dua
;
C. Brylinski
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
MESFETs;
Current-DLTS;
Traps;
25.
Defect Evolution in Ion Irradiated 6H-SiC Epitaxial Layers
机译:
离子辐照6H-SiC外延层中的缺陷演化
作者:
A.Ruggiero
;
M.Zimbone
;
F Roccaforte
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S.Libertino
;
F. La Via
;
R.Reitano
;
L.Calcagno
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
ion irradiation;
defects;
annealing;
luminescence;
DLTS;
26.
Demonstration of High-power X-band Oscillation in p~+~-~+ 4H-SiC IMPATT Diodes with Guard-ring Termination
机译:
具有保护环端接的p〜+ / n〜-/ n〜+ 4H-SiC IMPATT二极管的高功率X波段振荡演示
作者:
Ono S.
;
Arai M.
;
Kimura C.
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
IMPATT;
X-band;
oscillation;
SiC;
guard-ring;
27.
Design, Fabrication, and Characterization of 1.5 mΩcm~2, 800 V 4H-SiC n-type Schottky Barrier Diodes
机译:
1.5mΩcm〜2、800 V 4H-SiC n型肖特基势垒二极管的设计,制造和表征
作者:
M. Furno
;
F. Bonani
;
G. Ghione
;
S. Ferrero
;
S. Porro
;
P. Mandracci
;
L. Scaltrito
;
D. Perrone
;
G. Richieri
;
L. Merlin
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
4H-SiC power devices;
schottky diode;
fabrication;
characterization;
physic based simulation;
temperature modeling;
28.
Current Gain of 4H-SiC Bipolar Transistors Including the Effect of Interface States
机译:
包括界面状态的影响的4H-SiC双极晶体管的电流增益
作者:
M. Domeij
;
E. Danielsson
;
H-S. Lee
;
C-M. Zetterling
;
M. Oestling
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
bipolar junction transistor;
current gain;
interface states;
device simulation;
29.
CVD Growth and Characterization of 4H-SiC Epitaxial Film on (1120) As-cut Substrates
机译:
(1120)原切衬底上4H-SiC外延膜的CVD生长和表征
作者:
Zehong Zhang
;
Ying Gao
;
Arul C. Arjunan
;
Eugene Y. Toupitsyn
;
Priyamvada Sadagopan
;
Robert Kennedy
;
Tangali S. Sudarshan
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
chemical vapor deposition;
SiC;
(1120);
KOH etching;
AFM;
EBIC;
30.
Comparison of High-Voltage 4H-SiC Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) and MOS-Gated Bipolar Transistor (MGT)
机译:
高压4H-SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)和MOS门控双极晶体管(MGT)的比较
作者:
Lin Zhu
;
Santosh Balachandran
;
T. Paul Chow
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
4H;
SiC;
IGBT;
transistor;
MGT;
simulation;
31.
Evaluation of On-state Resistance and Boron-related Levels in n-type 4H-SiC
机译:
n型4H-SiC的导通电阻和硼相关能级的评估
作者:
R.R. Ciechonski
;
S. Porro
;
M. Syvaejaervi
;
R. Yakimova
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
On-state resistance;
Ⅰ-Ⅴ;
C-V;
MCTS;
sublimation;
high-speed epitaxy;
deep levels;
boron;
compensation;
32.
Evolution of Defect and Hydrogen-Related Low Temperature Photoluminescence Spectra with Annealing for Hydrogen or Helium Implanted 6H SiC
机译:
注入氢或氦气的6H SiC退火过程中缺陷及与氢有关的低温光致发光光谱的演化
作者:
F. Yan
;
R.P. Devaty
;
W.J. Choyke
;
A. Gali
;
F. Schmid
;
G. Pensl
;
G. Wagner
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
hydrogenl helium;
D_Ⅰ;
D_Ⅱ;
implantation;
Photoluminescence;
defects;
33.
Evolution Roots of Growth-induced Polytype Domains in 6H-SiC Single Crystals
机译:
6H-SiC单晶中生长诱导的多型域的演化根
作者:
Soo-Hyung Seo
;
Joon-Suk Song
;
Myung-Hwan Oh
;
Yen-Zen Wang
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
6H-SiC;
polytype domain;
4H-SiC;
15R-SiC;
micropipe;
34.
Excitation Power Dependence of Al-related Features in the LTPL Spectra of 4H-SiC
机译:
4H-SiC LTPL光谱中Al相关特征的激发功率依赖性
作者:
M. Zielinski
;
C. Balloud
;
S. Juillaguet
;
B. Boyer
;
V. Souliere
;
J. Camassel
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
photoluminescence;
Al doping;
compensation;
35.
Growth of 2 Inches 6H-SiC Single Crystals by Sublimation Method: the Comparison of α- and β-SiC Powders
机译:
升华法生长2英寸6H-SiC单晶:α-和β-SiC粉末的比较
作者:
Soo-Hyung Seo
;
Joon-Suk Song
;
Myung-Hwan Oh
;
Yen-Zen Wang
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
6H-SiC;
sublimation;
α-SiC;
β-SiC;
polycrystal;
polytype;
36.
Heteroepitaxy of GaN on Silicon: In Situ Measurements
机译:
硅上GaN的异质外延:原位测量
作者:
A. Krost
;
A. Dadgar
;
F. Schulze
;
R. Clos
;
K. Haberland
;
T. Zettler
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
GaN on silicon;
in situ monitoring;
metal organic vapor phase epitaxy;
group-III-nitrides;
stresses;
true temperature;
37.
J-V Characteristics of Al~+ Ion Implanted p~+ 4H-SiC Diodes Annealed in Silane Ambient at 1600℃
机译:
硅烷环境下退火温度为1600℃的Al〜+离子注入p〜+ / n 4H-SiC二极管的J-V特性
作者:
Fabio Bergamini
;
Shailaja P. Rao
;
Stephen E. Saddow
;
Roberta Nipoti
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
silicon carbide;
ion implantation;
silane;
annealing;
p~+ junction diode;
38.
Kinetic Aspects of the Interstitial-mediated Boron Diffusion in SiC
机译:
碳化硅中间隙介导的硼扩散的动力学方面
作者:
Michel Bockstedte
;
Alexander Mattausch
;
Oleg Pankratov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
boron diffusion;
deep acceptor;
kick-out mechanism;
39.
Lateral Epitaxial Overgrowth of 3C-SiC on Si Substrates by CVD Method
机译:
CVD法在Si衬底上横向生长3C-SiC
作者:
S.Sugishita
;
A.Shoji
;
Y.Mukai
;
T.Nishiguchi
;
K.Michikami
;
T.lssiki
;
S.Ohshima
;
S.Nishino
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
3C-SiC;
CVD;
epitaxial growth;
hetero-epitaxial growth;
lateral epitaxial overgrowth;
40.
Large Area SiC Epitaxial Layer Growth in a Warm-Wall Planetary VPE Reactor
机译:
温壁行星式VPE反应器中大面积SiC外延层的生长
作者:
A. A. Burk
;
M. J. OLoughlin
;
M. J. Paisley
;
A. R. Powell
;
M. F. Brady
;
R. T. Leonard
;
St. G. Mueller
;
S. T. Allen
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
SiC epitaxy;
warm-wall;
planetary;
41.
Influence of Substrate Roughness on the Formation of Defects in 3C-SiC Grown on Si(110) Substrate by Hetero-epitaxial CVD Method
机译:
衬底粗糙度对异质外延CVD法在Si(110)衬底上生长3C-SiC缺陷形成的影响
作者:
T. Isshiki
;
M. Nakamura
;
T. Nishiguchi
;
K. Nishio
;
S. Ohshima
;
S. Nishino
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
3C-SiC;
Hetero-epitaxial CVD growth;
substrate roughness;
HRTEM;
42.
Investigation of Microwave Switching 4HSiC p-i-n Diodes in the 20/500℃ Temperature Range
机译:
20/500℃温度范围内微波开关4HSiC p-i-n二极管的研究
作者:
Boltovets M.S.
;
Basanets V.V.
;
Camara N.
;
Krivutsa V.A.
;
Zekentes K.
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
switching 4HSiC p-i-n diode;
high-temperature-resistant package;
diode resistance;
minority charge carrier lifetime;
diode switching;
epitaxial structures;
blocking voltage;
temperature sensor.;
43.
Ion-beam Induced Modifications of Titanium Schottky Barrier on 4H-SiC
机译:
离子束诱导的4H-SiC钛肖特基势垒修饰
作者:
F. Roccaforte
;
F. Giannazzo
;
C. Bongiorno
;
S. Libertino
;
F. La Via
;
V. Raineri
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
schottky barrier;
Ti/4H-SiC;
ion irradiation;
44.
Is the Al Solubility Limit in SiC Temperature Dependent or not?
机译:
SiC温度中的Al溶解度极限是否取决于?
作者:
C. Jacquier
;
G. Ferro
;
M. Zielinski
;
E.K. Polychroniadis
;
A. Andreadou
;
J. Camassel
;
Y. Monteil
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
Al doping;
solubility;
vapour-liquid-solid;
epitaxy;
45.
Interface States at the SiO_2/4H-SiC(0001) Interface from First-principles: Effects of Si-Si Bonds and of Nitrogen Atom Termination
机译:
第一性原理在SiO_2 / 4H-SiC(0001)界面上的界面态:Si-Si键和氮原子终止的影响
作者:
T. Ohnuma
;
H. Tsuchida
;
T. Jikimoto
;
A. Miyashita
;
M. Yoshikawa
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
first-principles calculations;
SiO_2/SiC interface;
interface states;
nitrogen annealing;
46.
A Short Synopsis of the Current Status of Porous SiC and GaN
机译:
多孔SiC和GaN电流状态的简要概述
作者:
Y. Shishkin
;
Y. Ke
;
R.P. Devaty
;
W.J. Choyke
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
porous;
anodization;
morphology;
history;
applications;
47.
High Temperature Hydrocarbon Sensing with Pt-thin Ga_2O_3-SiC Diodes
机译:
Pt薄Ga_2O_3-SiC二极管的高温碳氢化合物感测
作者:
A. Trinchi
;
W. Wlodarski
;
G. Faglia
;
A. Ponzoni
;
E. Comini
;
G. Sberveglieri
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
diode;
Ga_2O_3;
Gas;
hydrocarbon;
MOS;
sensor;
schottky;
SiC;
48.
High Temperature Contacts to GaN and SiC Based on TiB_x Nanostructure Layers
机译:
基于TiB_x纳米结构层的GaN和SiC的高温接触
作者:
M.S. Boltovets
;
V.N. Ivanov
;
A.Yu. Avksentyev
;
A.E. Belyaev
;
A.G. Borisenko
;
O.A. Fedorovitsh
;
R.V. Konakova
;
Ya.Ya. Kudryk
;
P.M. Lytvyn
;
V.V. Milenin
;
A.V. Sachenko
;
Yu.N. Sveschnikov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
high-temperature contacts;
interphase boundary;
schottky barriers;
GaN;
6H-SiC monocrystals;
TiB_x films;
49.
Theoretical Investigations of Complexes of p-type Dopants and Carbon Interstitial in SiC: Bistable, Negative-U Defects
机译:
SiC中p型掺杂物和碳间隙的配合物的理论研究:双稳态,负U缺陷
作者:
A. Gali
;
T. Hornos
;
P. Deak
;
N. T. Son
;
E. Janzen
;
W. J. Choyke
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
dopant activation;
carbon interstitials;
B+C complexes;
Al+C complexes;
energy levels;
50.
Two-dimensional Model of Conjugate Heat and Mass Transport in the Isothermal Chemical Vapour Infiltration of 3D-preform by SiC Matrix
机译:
SiC基体在等温化学气相渗透中的共轭传热传质的二维模型
作者:
V.I. Kulik
;
A.V. Kulik
;
M.S. Ramm
;
A.S. Nilov
;
M.V. Bogdanov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
chemical vapour infiltration;
numerical modelling;
conjugate heat and mass transport;
51.
Effective-Mass Theory of Shallow Donors in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中浅层施主的有效质量理论
作者:
I.G. Ivanov
;
A. Stelmach
;
M. Kleverman
;
E. Janzen
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
effective-mass theory;
nitrogen donor;
52.
High Temperature NO Annealing of Deposited SiO_2 and SiON Films on N-type 4H-SiC
机译:
N型4H-SiC上沉积的SiO_2和SiON膜的高温NO退火
作者:
H. Yano
;
T. Hatayama
;
Y. Uraoka
;
T. Fuyuki
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
MOS;
interface state density;
NO annealing;
nitridation;
deposited oxide;
oxynitride;
53.
High Temperature Rapid Thermal Oxidation and Nitridation of 4H-SiC in Diluted N_2O and NO Ambient
机译:
N_2O和NO稀环境中4H-SiC的高温快速热氧化和氮化
作者:
Ryoji Kosugi
;
Kenji Fukuda
;
Kazuo Arai
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
MOS;
MOSFET;
oxidation;
nitridation;
RTP;
NO;
N_2O;
interface trap density;
D_(it);
channel mobility;
54.
Wannier-Stark Localization Effects in 6H-SiC JFETs
机译:
6H-SiC JFET中的Wannier-Stark本地化效应
作者:
V.I. Sankin
;
P.P. Shkrebiy
;
A.A. Lebedev
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
silicon carbide;
JFET;
natural superlattice;
miniband;
bragg reflection;
electrical field;
wannier-stark localisation;
field induced localisation;
negative differential conduction;
55.
Specific Aspects of Type Ⅱ Heteropolytype Stacking Faults in SiC
机译:
SiC中Ⅱ型杂多型堆叠缺陷的特定方面
作者:
S. Juillaguet
;
J. Camassel
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
4H-SiC;
stacking faults;
3C-SiC;
quantum wells;
56.
High-reliability ONO Gate Dielectric for Power MOSFETs
机译:
功率MOSFET的高可靠性ONO栅极电介质
作者:
Satoshi Tanimoto
;
Hedeaki Tanaka
;
Tetsuya Hayashi
;
Yoshio Shimoida
;
Masakatsu Hoshi
;
Teruyoshi Mihara
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
SiC;
MOSFET;
Gate Oxide;
Reliability;
ONO;
Dielectric Breakdown;
TDDB;
57.
High-Purity Versus High-Defect-Density Semiinsulating Substrates for SiC MESFET: Simulation of Device Characteristics
机译:
SiC MESFET的高纯度与高缺陷密度半绝缘衬底:器件特性的仿真
作者:
Yaroslav Koshka
;
Igor Sankin
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
simulation;
MESFET;
deep levels;
trapping;
semi-insulating substrate;
surface states;
58.
The Role of Nitrogen in the Annealing of Vacancies in 4H-SiC
机译:
氮在4H-SiC空位退火中的作用
作者:
S. Dannefaer
;
V. Avalos
;
R.Yakimova
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
nitrogen;
SiC;
vacancies;
positron annihilation;
59.
The Role of Formation and Dissolution of C Clusters on the Oxygen Incorporation during Dry Thermal Oxidation of 6H-SiC
机译:
C团簇的形成和溶解对6H-SiC干热氧化过程中氧结合的作用
作者:
C. Radtke
;
I.J.R. Baumvol
;
B.C. Ferrera
;
F.C. Stedile
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
SiO_2/SiC interface;
oxidation mechanisms;
atomic transport;
isotopic tracing;
narrow nuclear resonant reaction profiling;
carbon clusters;
60.
The Reactive Neutral Beam Etching of SiC and its Application in p-n Junction Periphery Protection
机译:
SiC的反应性中性束刻蚀及其在p-n结外围保护中的应用
作者:
G.Sarov
;
T.Cholakova
;
R.Kakanakov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
SiC etching;
saddle field source;
p-i-n diode;
junction periphery protection;
breakdown voltage;
61.
The Search for Near Interface Oxide Traps - First-principles Calculations on Intrinsic SiO_2 Defects
机译:
寻找近界面氧化物陷阱-本征SiO_2缺陷的第一性原理计算
作者:
J.M. Knaup
;
P. Deak
;
A. Gali
;
Z. Hajnal
;
Th. Frauenheim
;
J.W. Choyke
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
near interface traps;
oxide;
SiO_2 intrinsic defects;
62.
The V_(Si)C_(Si)(Si_CC_(Si)) Complex in Electron-irradiated 6H-SiC
机译:
电子辐照6H-SiC中的V_(Si)C_(Si)(Si_CC_(Si))络合物
作者:
M.V.B. Pinheiro
;
E. Rauls
;
U. Gerstmann
;
S. Greulich-Weber
;
J.-M. Spaeth
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
V_(Si)C_(Si)(Si_CC_(Si)) complex;
EPR;
Si-vacancy;
annealing;
electron-irradiation;
SiC;
63.
Technological Aspects of Ion Implantation in SiC Device Processes
机译:
SiC器件工艺中离子注入的技术方面
作者:
Y. Negoro
;
T. Kimoto
;
H. Matsunami
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
implantation;
device process;
annealing;
diffusion;
(11-20) face;
graphite cap;
64.
Suppression of the Twin Formation in CVD Growth of (111) 3C-SiC on (110) Si Substrate
机译:
(110)Si衬底上(111)3C-SiC CVD生长中孪晶形成的抑制
作者:
T. Nishiguchi
;
M. Nakamura
;
K. Nishio
;
T. lsshiki
;
S. Ohshima
;
S. Nishino
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
3C-SiC;
chemical vapor deposition;
hetero-epitaxy;
(110);
off-axis;
twin;
65.
Surface band structure studies of Si rich reconstructions on 4H-SiC(1100)
机译:
4H-SiC(1100)上富硅重构物的表面能带结构研究
作者:
K.V. Emtsev
;
Th. Seyller
;
L. Ley
;
A. Tadich
;
L. Broekman
;
E. Huwald
;
J.D.Riley
;
R.G.C. Leckey
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
photoelectron spectroscopy;
a-planes;
reconstruction;
66.
Steady-State and Transient Characteristics of High-Voltage 4H-SiC Junction Diodes
机译:
高压4H-SiC结二极管的稳态和瞬态特性
作者:
P.A. Ivanov
;
M.E. Levinshtein
;
T.T. Mnatsakanov
;
J.W. Palmour
;
R. Singh
;
K.G. Irvin
;
M. Das
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
silicon carbide;
junction diodes;
base modulation;
minority carrier lifetime;
emitter injection coeffecient;
67.
Structural and Electronic Properties of Si_(1-x)C_xO_2
机译:
Si_(1-x)C_xO_2的结构和电子性质
作者:
J. F. Justo
;
C. R. S. da Silva
;
I. Pereyra
;
L. V. C. Assali
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
oxidation;
interfaces;
ab initio methods;
68.
Structure and Energy of the 90° Partial Dislocations in Wurtzite-GaN
机译:
纤锌矿型GaN中90°部分位错的结构和能量
作者:
G. Savini
;
M.I. Heggie
;
C.P. Ewels
;
N. Martsinovich
;
R. Jones
;
A. T. Blumenau
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
GaN;
dislocations;
deep levels;
yellow luminescence;
charge;
69.
Study of Ion Induced Damage in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中离子诱导损伤的研究
作者:
A. Lo Giudice
;
P.Olivero
;
F. Fizzotti
;
C.Manfredotti
;
E.Vittone
;
S. Bianco
;
G.Bertuccio
;
R.Casiraghi
;
M.Jaksic
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
4H silicon carbide;
ion beam induced charge collection;
radiation damage;
70.
Silicon Carbide for Alpha, Beta, Ion and Soft X-Ray High Performance Detectors
机译:
用于Alpha,Beta,离子和软X射线高性能探测器的碳化硅
作者:
G. Bertuccio
;
S. Binetti
;
S. Caccia
;
R. Casiraghi
;
A. Castaldini
;
A. Cavallini
;
C. Lanzieri
;
A. Le Donne
;
F. Nava
;
S. Pizzini
;
L. Rigutti
;
G. Verzellesi
;
E. Vittone
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
radiation detector;
radiation spectroscopy;
x-ray spectroscopy;
71.
Improved Surface Morphology and Background Doping Concentration in 4H-SiC(000-1) Epitaxial Growth by Hot-wall CVD
机译:
热壁CVD改善4H-SiC(000-1)外延生长中的表面形态和背景掺杂浓度
作者:
Keiji Wada
;
Tsunenobu Kimoto
;
Kimito Nishikawa
;
Hiroyuki Matsunami
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
hot-wall CVD;
C face;
homoepitaxy;
deep level;
72.
SiC and III-nitride Growth in a Hot-wall CVD Reactor
机译:
热壁CVD反应器中SiC和III氮化物的生长
作者:
E. Janzen
;
J.P. Bergman
;
Oe. Danielsson
;
U. Forsberg
;
C. Hallin
;
J. ul Hassan
;
A. Henry
;
I.G. Ivanov
;
A. Kakanakova-Georgieva
;
P. Persson
;
Q. ul Wahab
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
SiC;
III-nitride;
CVD;
epitaxial growth;
hot-wall;
thick layers;
on-axis;
growth simulation;
high-purity;
phosphorus;
73.
SiC Crystal Growth by Sublimation Method with Modification of Crucible and Insulation Felt Design
机译:
坩埚和绝缘毡设计的升华法生长SiC晶体
作者:
Jung-Gyu Kim
;
Kap-Ryeol Ku
;
Dong-Jin Kim
;
Sang-Phil Kim
;
Won-Jae Lee
;
Byoung-Chul Shin
;
Geun-Hyoung Lee
;
Il-Soo Kim
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
SiC;
sublimation;
PVT;
crystal boules;
crucible;
TEM;
structure;
74.
Numerical Simulation and Optimization for 900V 4H-SiC DiMOSFET fabrication
机译:
900V 4H-SiC DiMOSFET制造的数值模拟和优化
作者:
S. C. Kim
;
W. Bahng
;
N. K. Kim
;
E. D. Kim
;
T. Ayalew
;
T. Grasser
;
S. Selberherr
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
DiMOSFET;
edge termination;
silicon carbide;
MINIMOS-NT;
75.
Numerical Analysis of Growth Condition on SiC-CVD in the Horizontal Hot-Wall Reactor
机译:
卧式热壁反应器中SiC-CVD生长条件的数值分析
作者:
Shin-ichi Nishizawa
;
Michel Pons
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
growth model;
etching;
doping;
growth rate;
simulation;
chemical vapor deposition;
76.
Numerical Analysis of SiC Merged PiN Schottky Diodes
机译:
SiC合并的PiN肖特基二极管的数值分析
作者:
T. Ayalew
;
S. C. Kim
;
T. Grasser
;
S. Selberherr
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
simulation;
SiC;
power rectifier;
MPS diode;
switching speed;
leakage current;
77.
Nonequilibrium Carrier Diffusion and Recombination in Heavily-doped and Semi-insulating Bulk HTCVD Grown 4H-SiC Crystals
机译:
重掺杂和半绝缘块状HTCVD生长的4H-SiC晶体中的非平衡载流子扩散和复合作用
作者:
L. Storasta
;
R. Aleksiejunas
;
M. Sudzius
;
A. Kadys
;
T. Malinauskas
;
K. Jarasiunas
;
B. Magnusson
;
E. Janzen
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
Four-wave mixing;
4H-SiC;
carrier transport;
78.
Hydrogen-saturated SiC-surfaces: Model Systems for Studies of Passivation, Reconstruction, and Interface Formation
机译:
氢饱和的SiC表面:用于钝化,重建和界面形成的模型系统
作者:
Th. Seyller
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
hydrogen;
reconstruction;
surface;
interface;
photoelectron spectroscopy;
synchrotron radiation;
low-energy electron diffraction;
infrared absorption;
79.
Hyperfine Interaction of Nitrogen Donor in 4H-SiC Studied by Pulsed-ENDOR
机译:
脉冲ENDOR研究4H-SiC中氮供体的超细相互作用
作者:
N. T. Son
;
J. Isoya
;
S. Yamasaki
;
E. Janzen
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
shallow N donor;
spin-echo detected EPR;
pulsed-ENDOR;
hyperfine interaction;
spin density;
80.
Measurements of Charge Collection Efficiency of p~+ Junction SiC Detectors
机译:
p〜+ / n结SiC探测器的电荷收集效率的测量
作者:
Francesco Moscatelli
;
Andrea Scorzoni
;
Antonella Poggi
;
Mara Bruzzi
;
Stefano Lagomarsino
;
Stefano Mersi
;
Silvio Sciortino
;
Mihai Lazar
;
Annalisa Di Placido
;
Roberta Nipoti
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
silicon carbide;
detectors;
p+ junctions;
simulations;
81.
Manganese Impurity in Boron Nitride and Gallium Nitride
机译:
氮化硼和氮化镓中的锰杂质
作者:
L. V. C. Assali
;
W. V. M. Machado
;
J. F. Justo
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
manganese;
magnetic impurities;
ab initio methods;
82.
Low Density of Interface States in n-type 4H-SiC MOS Capacitors Achieved by Nitrogen Implantation
机译:
氮注入实现n型4H-SiC MOS电容器界面态的低密度
作者:
Florin Ciobanu
;
Gerhard Pensl
;
Valeri Afanasev
;
Adolf Schoener
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
4H-SiC MOS capacitor;
low density of interface states;
nitrogen implantation;
83.
Low Temperature Chemical Vapor Deposition of 3C-SiC on Si Substrates
机译:
硅衬底上3C-SiC的低温化学气相沉积
作者:
Ch. Foerster
;
V. Cimalla
;
O. Ambacher
;
J. Pezoldt
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
3C-SiC;
chemical vapor deposition;
low temperature;
84.
Low On-Resistance in Normally-Off 4H-SiC Accumulation MOSFET
机译:
常关4H-SiC累积MOSFET的低导通电阻
作者:
Eiichi Okuno
;
Takeshi Endo
;
Hideo Matsuki
;
Toshio Sakakibara
;
Hiroaki Tanaka
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
normally-off;
Accumulation MOSFET;
epitaxial layer channel (epi-channel);
85.
Metal Bonding in SiC Based Substrates
机译:
SiC基衬底中的金属键合
作者:
I. Matko
;
B. Chenevier
;
R. Madar
;
H. Roussel
;
S. Coindeau
;
F. Letertre
;
C. Richtarch
;
L. Di Cioccio
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
QuaSiC ™substrates;
metal bonding;
transmission electron microscopy;
X-ray diffraction;
86.
Low and High Temperature Performance of 600V 4H-SiC Epitaxial Emitter BJTs
机译:
600V 4H-SiC外延发射极BJT的低温和高温性能
作者:
S. Balachandran
;
T.P. Chow
;
A. Agarwal
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
bipolar junction transistor;
4H-SiC;
emitter injection efficiency;
base transport factor;
minority carrier lifetime;
87.
New High-Voltage Unipolar Mode p~+ Si~- 4H-SiC Heterojunction Diode
机译:
新型高压单极模式p〜+ Si / n〜-4H-SiC异质结二极管
作者:
Tetsuya Hayashi
;
Hideaki Tanaka
;
Yoshio Shimoida
;
Satoshi Tanimoto
;
Masakatsu Hoshi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
4H-SiC;
heterojunction diode;
high voltage;
unipolar action;
88.
Nickel-vacancy Complexes in Diamond: an Ab-initio Investigation
机译:
钻石中的镍空位配合物:从头算调查
作者:
L. V. C. Assali
;
R. Larico
;
W. V. M. Machado
;
J. F. Justo
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
synthetic diamond;
impurities;
transition metals;
89.
Modified Physical Vapor Transport Growth of SiC - Control of Gas Phase Composition for Improved Process Conditions
机译:
SiC改进的物理气相迁移生长-改善工艺条件的气相组成控制。
作者:
P.J. Wellmann
;
T.L. Straubinger
;
P. Desperrier
;
R. Mueller
;
U. Kuenecke
;
S.A. Sakwe
;
H. Schmitt
;
A. Winnacker
;
E. Blanquet
;
J.-M. Dedulle
;
M. Pons
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
M-PVT growth;
numerical modeling;
doping;
90.
Modeling of Lattice Site-Dependent Incomplete lonization in α-SiC Devices
机译:
α-SiC器件中取决于晶格的不完全电离的建模
作者:
T. Ayalew
;
T. Grasser
;
H. Kosina
;
S. Selberherr
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
simulation;
SiC;
incomplete lonization;
activation energy;
inequivalent sites;
91.
Modeling of Photon Recycling in GaN-Devices
机译:
GaN器件中光子回收的建模
作者:
Enn Velmre
;
Andres Udal
;
Mihhail Klopov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
GaN;
GaAs;
photon recycling;
recombination radiation reabsorption;
1D drift-diffusion simulations;
radiative recombination transfer function;
p-i-n structures;
bipolar transistor structures;
92.
ALD Deposited Al_2O_3 Films on 6H-SiC(0001) after Annealing in Hydrogen Atmosphere
机译:
氢气氛下ALD在6H-SiC(0001)上ALD沉积Al_2O_3薄膜
作者:
K.Y. Gao
;
Th. Seyller
;
K. Emtsev
;
L. Ley
;
F. Ciobanu
;
G. Pensl
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
atomic layer deposition;
Al_2O_3, 6H-SiC;
hydrogen annealing;
93.
Characterization of Aluminum and Titanium Oxides Deposited on 4H SiC by Atomic Layer Deposition Technique
机译:
原子层沉积技术表征沉积在4H SiC上的铝和钛氧化物
作者:
Maciej Wolborski
;
Mietek Bakowski
;
Viljami Pore
;
Mikko Ritala
;
Markku Leskelae
;
Adolf Schoener
;
Anders Hallen
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
4H-SiC;
passivation;
aluminum oxide;
titanium oxide;
ALD;
atomic layer deposition;
94.
BV_(CEO) versus BV_(CBO) for 4H and 6H Polytype SiC Bipolar Junction Transistors
机译:
BV_(CEO)与BV_(CBO)的4H和6H多型SiC双极结型晶体管
作者:
S. Balachandran
;
T.P. Chow
;
A. Agarwal
;
S.Scozzie
;
K.A. Jones
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
SiC;
poly-type;
ionization integral;
impact ionization coefficient;
bipolar junction transistor;
breakdown;
95.
Characteristics of Trench-Refilled 4H-SiC P-N Junction Diodes Fabricated by Selective Epitaxial Growth
机译:
选择性外延生长制备的沟槽填充4H-SiC P-N结二极管的特性
作者:
C. Li
;
P. Losee
;
J. Seiler
;
I. Bhat
;
T.P. Chow
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
4H-SiC;
selective epitaxial growth;
junction diodes;
chemical vapor deposition;
96.
Characteristics of Post-Nitridation Rapid-Thermal Annealed Gate Oxide Grown on 4H SiC
机译:
在4H SiC上生长的氮化后快速热退火栅氧化物的特性
作者:
K.Y. Cheong
;
W. Bahng
;
N.-K. Kim
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
rapid thermal annealing;
nitrided gate oxide;
electron trap;
oxide breakdown field;
interface trap density;
97.
Analysis of SiC Islands Formation During First Steps of Si Carbonization Process
机译:
硅碳化过程第一步碳化硅岛的形成分析
作者:
D. Mendez
;
A. Aouni
;
D. Araujo
;
E. Bustarret
;
G. Ferro
;
Y. Monteil
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
Si carbonisation;
Strain;
TEM;
ATR;
98.
Analysis of Low On-Resistance in 4H-SiC Double-Epitaxial MOSFET
机译:
4H-SiC双外延MOSFET低导通电阻的分析
作者:
Shinsuke Harada
;
Mitsuo Okamoto
;
Tsutomu Yatsuo
;
Kenji Fukuda
;
Kazuo Arai
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
DEMOSFET;
MOSFET;
Buried channel;
on-resistance;
99.
Aluminium Doping of 4H-SiC Grown with HexaMethylDiSilane
机译:
六甲基二硅烷生长的4H-SiC铝掺杂
作者:
C. Sartel
;
V. Souliere
;
M. Zielinski
;
Y. Monteil
;
J. Camassel
;
S. Rushworth
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
p doping;
aluminium;
4H-SiC;
hexamethyldisilane;
HMDS;
CVD;
100.
A New Model for the D_I-luminescence in 6H-SiC
机译:
6H-SiC中D_I发光的新模型
作者:
E. Rauls
;
U. Gerstmann
;
M.V.B. Pinheiro
;
S. Greulich-Weber
;
J.-M. Spaeth
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2004); 20040831-0904; Bologna(IT)》
|
2004年
关键词:
D1 luminescence;
antisites;
intrinsic defects;
theory;
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