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IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits
IEEE International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits
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1.
Study on a leaf-like bonding pad defect
机译:
研究叶状粘接垫缺陷
作者:
Qi R.J.
;
Duan S.Q.
;
Li M.
;
Chang V.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
2.
Transverse domain wall formation in a free layer: A mechanism for switching failure in a MTJ-based STT-MRAM
机译:
在自由层中形成横域壁形成:一种用于在基于MTJ的STT-MRAM中切换故障的机制
作者:
Makarov Alexander
;
Sverdlov Viktor
;
Selberherr Siegfried
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
MTJ;
STT-MRAM;
failure analysis;
micromagnetic modeling;
switching probability;
3.
Application of TEM for distinguishing the primary and secondary abrasives of undiluted CMP slurry
机译:
TEM在区分未稀释CMP浆料中的初级和二次磨料的应用
作者:
Sun C.J.
;
Tai L.A.
;
Sharma P.
;
Ko Y.F.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
4.
A novel optical structure of numerical aperture increasing lens (NAIL) for resolution improvement in backside failure analysis
机译:
数字孔径增加透镜(钉子)的新型光学结构,用于改进背面故障分析
作者:
Li Tian
;
Kuibo Lan
;
Gaojie Wen
;
Miao Wu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
5.
Reliability evaluation and failure analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistor by photo emission microscope
机译:
光发射显微镜AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性评价与故障分析
作者:
Yuansheng Wang
;
Xiao Hong
;
Chang Zeng
;
Ping Lai
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
AlGaN/GaN;
Failure analysis;
HEMT;
PEM;
Reliability;
6.
Real time observation of nanoscale multiple conductive filaments in RRAM by using advanced in-situ TEM
机译:
使用先进的原位TEM将纳米级多导电长丝的实时观察RRAM
作者:
Sun J.
;
Wu X.
;
Liu Q.
;
Liu M.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Transmission electron microscopy (TEM);
conductive filaments;
in-situ;
resistive random access memory;
7.
Divide and conquer algorithm for parallel reconfiguration of VLSI array with faults
机译:
分割和征服算法,以便与故障进行平行重新配置VLSI数组
作者:
Meiting Zhou
;
Wu Jigang
;
Jiang Guiyuan
;
Xu Wang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
YLSI array;
divide and conquer;
parallel algorithm;
reconfiguration;
8.
A special failure analysis process to save some de-caped recovered cases
机译:
一个特殊的失败分析过程,以节省一些去封闭的恢复案件
作者:
Chunlei Wu
;
Suying Yao
;
Gaojie Wen
;
Li Tian
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
9.
Benefits of dopant profile approach using spreading resistance profiling
机译:
掺杂剂型材方法的优点采用抗锯齿分析
作者:
Lim Saw Sing
;
Lim Siew Ping
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
10.
Dynamic HC-induced degradation in n-type poly-Si thin film transistors under off-state gate pulse voltage
机译:
在断开状态栅极脉冲电压下N型多Si薄膜晶体管中的动态HC引起的劣化
作者:
Wang Huaisheng
;
Wang Mingxiang
;
Zhang Meng
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
dynamic stress;
hot carrier effect;
low temperature polycrystalline silicon (LTPS);
non-equilibrium PN junction;
thin-film transistor (TFT);
11.
Uniform delayering of copper metallization
机译:
铜金属化的均匀延迟
作者:
Siah Y.W.
;
Hong Y.J.
;
Liu Q.
;
Kor H.B.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Delayering;
copper metallization;
polishing;
sample preparation;
12.
Application of transmission EBSD in aluminium metal layer and GaAs/AlAs epitaxial layers
机译:
变速箱EBSD在铝金属层和GaAs / Alas外延层中的应用
作者:
Yi Qiang Shen
;
Lee Esther
;
Shue Yin Chow
;
Bing Sheng Khoo
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
13.
Eliminating the top causes of customer-attributable integrated circuit failures
机译:
消除客户归属集成电路故障的顶部原因
作者:
Olney Andrew H.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
14.
SiGe profile inspection by using dual beam FIB system in physical failure analysis
机译:
SiGe剖面检查通过使用双梁FIB系统进行物理故障分析
作者:
Shih-Yuan Liu
;
Ying-Chin Hou
;
Chih-Chung Chang
;
Jian-Chang Lin
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
15.
Failure analysis considerations in designing for EOS/ESD robustness
机译:
EOS / ESD鲁棒性设计的故障分析考虑因素
作者:
Hajjar Jean-Jacques
;
Righter Alan
;
Wolfe Ed
;
Olney Andrew
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
16.
A study of the mechanical reliability of a MEMS microphone
机译:
MEMS麦克风的机械可靠性研究
作者:
Fang Wenxiao
;
Huang Qinwen
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
MEMS;
Mechanical Reliability;
Microphone;
17.
Failure analysis of complicated case by functional OBIRCH method
机译:
功能性obirch方法复杂案例的故障分析
作者:
Diwei Fan
;
Li Tian
;
Miao Wu
;
Chunlei Wu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Failure analysis;
Failure mode;
Functional OBIRCH;
Leakage current path;
18.
Building the electrical model of the pulsed photoelectric laser stimulation of a PMOS transistor in 90nm technology
机译:
建立90nm技术中PMOS晶体管的脉冲光电激光激光刺激的电模型
作者:
Sarafianos Alexandre
;
Gagliano Olivier
;
Lisart Mathieu
;
Serradeil Valerie
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
1064nm wavelength;
PMOS transistor;
parasitic bipolar transistor;
pulsed PLS;
19.
Analysis of dynamic retention characteristics of NWL scheme in high density DRAM
机译:
高密度DRAM中NWL方案动态保留特性分析
作者:
Myungjae Lee
;
Hyungshin Kwon
;
Jonghyoung Lim
;
Hongsun Hwang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
20.
SCM application in localized 2D dopant profiling
机译:
SCM应用于本地化的2D掺杂剂分析
作者:
Lee Siew Shyuan
;
Kenny Gan Chye Siong
;
Lee Nean Sern
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
21.
Reliability of AlGaN/GaN HEMTs: Permanent leakage current increase and output current drop
机译:
AlGaN / GaN Hemts的可靠性:永久漏电流增加和输出电流下降
作者:
Marcon D.
;
Viaene J.
;
Favia P.
;
Bender H.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
22.
The example of circuit analysis to assist 2nd-generation hot spot for the failure localization
机译:
电路分析的示例,用于辅助2 nd sup> -geration热点的故障定位
作者:
Guo Shouzhu
;
Pan Andrew
;
Xu Mingjie
;
Sun Tommy
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
23.
Ultra high precision circuit diagnosis through seebeck generation and charge monitoring
机译:
超高精度电路诊断通过塞贝克生成和充电监控
作者:
Boit Christian
;
Helfmeier Clemens
;
Nedospasov Dmitry
;
Fox Alexander
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
24.
Low frequency noise in polycrystalline p-#x03B2;-FeSi2/Ge heterojunction solar cells
机译:
多晶P-β-FESI2 / GE异质结太阳能电池的低频噪声
作者:
Bag A.
;
Mukherjee C.
;
Mallik S.
;
Maiti C.K.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
25.
Thickness measurement of Si substrate with infrared laser of Optical Beam Induced Resistor Change (OBIRCH) in failure analysis
机译:
具有光束诱导电阻器变化(Obirch)的红外激光器在故障分析中的Si衬底的厚度测量
作者:
Li Tian
;
Miao Wu
;
Diwei Fan
;
Chunlei Wu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
26.
Thin silicon wafer processing and strength characterization
机译:
薄硅晶片加工和强度表征
作者:
Gambino Jeffrey P.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
27.
Material contrast identification and compositional contrast mapping using backscattered electron imaging
机译:
使用反向散射电子成像的材料对比度识别和组成对比映射
作者:
Lagar Jason H.
;
Raborar Mary Grace C.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
28.
Characteristic analysis of total dose irradiation annealing effect in SOI NMOSFET
机译:
SOI NMOSFET中总剂量辐射退火效应的特征分析
作者:
He Yujuan
;
Luo Hongwei
;
En Yunfei
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
SOI device;
bias condition;
irradiation;
total dose effect;
29.
Advanced transient thermoreflectance 2D imaging for integrated circuit sub-micron defect detection and thermal analysis
机译:
先进的瞬态热反射2D成像,用于集成电路副微米缺陷检测和热分析
作者:
Kendig Dustin
;
Yan Zhang
;
Yazawa Kazuaki
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Thermoreflectance imaging;
defect detection;
thermal analysis;
transient;
30.
Dopant profiling using various FA techniques
机译:
使用各种FA技术的掺杂剂分析
作者:
Lim Chan Way
;
Lim Siew Ping
;
Lim Saw Sing
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
31.
Photo-induced instability and temperature dependence of amorphous In-Ga-Zn-O thin film transistors
机译:
无定形IN-ZN-O薄膜晶体管的光诱导的不稳定性和温度依赖性
作者:
Jie Chen
;
Jie Xu
;
Mingxiang Wang
;
Lu Cai
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO);
oxygen vacancy;
photo-induced instability;
spontaneous recovery;
temperature dependence;
thin-film transistor (TFT);
32.
Study on low silver Sn-Ag-Cu-P alloy for wave soldering
机译:
波焊的低银Sn-Ag-Cu-P合金的研究
作者:
Junjie Wang
;
Xicheng Wei
;
Wenqi Zhu
;
Jian Wu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
P;
Sn-0.3Ag-0.7Cu;
lead-free solder;
low Ag;
33.
Optimization of TEM sample preparation methods by FIB for the increase of throughput
机译:
FIB通过FIB进行TEM样品制备方法的优化
作者:
Shuqing Duan
;
Ruijuan Qi
;
Ming Li
;
Yanli Zhao
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
TEM;
failure analysis;
sample preparation;
34.
A microwave plasma dry etch technique for failure analysis of Cu and PdCu wire bonds strength
机译:
一种微波等离子体干蚀刻技术,用于Cu和PDCU线粘合强度的故障分析
作者:
Tan Y.Y
;
Ng Melissa
;
Khoo J.L
;
Tan C.H
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Cu;
PdCu;
plasma etching;
pull strength;
shear strength;
35.
Design flow and techniques for fault-tolerant ASIC
机译:
容错ASIC的设计流程和技术
作者:
Stamenkovic Z.
;
Petrovic V.
;
Schoof G.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
ASIC design;
Single event effect;
fault tolerance;
latchup protection switch;
triple and double modular redundancy;
36.
Investigation of Time Domain Reflectometry (TDR) on Power Mosfet semiconductor device
机译:
功率MOSFET半导体器件时时域反射测量仪(TDR)的研究
作者:
Ng K.K.
;
Sin C.K.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
TDR;
backside grinding;
characterization;
laser;
mosfet;
wire configuration;
37.
FIB fast positioning technology and its application
机译:
FIB快速定位技术及其应用
作者:
Lin Xiao-ling
;
Zhang Xiao-wen
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
FIB;
circuit edit;
positioning technology;
38.
Capacitor dielectric defect or damage localization by photon emission microscopy with the combination of OBIRCH
机译:
电容器介电缺陷或光子发射显微镜与obirch组合的损伤定位
作者:
Chunlei Wu
;
Suying Yao
;
Song Grace
;
Gaojie Wen
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
39.
Failure analysis approach For TrenchMOS devices
机译:
Trenchmos设备的故障分析方法
作者:
Oh Chong Khiam
;
Yao Yujin
;
Gao Anna
;
Li Yan
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
40.
Factors that affect hotspot localization in Infrared Lock-in Thermography
机译:
影响红外锁定热成像中热点定位的因素
作者:
Hoe T.M.
;
Tan S.Y.
;
Ng K.K.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
41.
SIMS sample preparation method for GOX analysis with small-size polysilicon patterns
机译:
用小尺寸多晶硅图案的GOX分析样品制备方法
作者:
Zhu Lei
;
Teo H.W.
;
Lee M.T.
;
Ng H.P.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
42.
Channel thermal noise modeling and high frequency noise parameters of tri-gate FinFETs
机译:
Tri-栅极FinFET的信道热噪声建模和高频噪声参数
作者:
Mukherjee C.
;
Maiti C.K.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Equivalent noise resistance;
FinFETs;
High frequency noise parameters;
MOSFET channel noise;
Noise;
Noise figure;
Tri-gate MOSFETs;
43.
An unique method to fabricate on-chip capacitors for chip-level EMC evaluation
机译:
用于制造片上电容器的独特方法,用于芯片级EMC评估
作者:
Sheng-Yu Chen
;
Siao Vicky
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
EMC/EMI;
FIB;
circuit edit;
44.
Understanding correlated drain and gate current fluctuations
机译:
了解相关漏极和栅极电流波动
作者:
Goes W.
;
Toledano-Luque M.
;
Baumgartner O.
;
Bina M.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
45.
Geometric effect on InAs/GaAs quantum dot lasers analyzed with the aid of EDX mapping
机译:
借助EDX映射分析INAS / GAAS量子点激光器的几何效果
作者:
Wang Rui
;
Yee Kian Seng
;
Phua Reese
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
46.
Study on the interface properties and reliability of the electric-double-layer gate dielectric for Hf-In-Zn-O MIS capacitors
机译:
HF-In-Zn-O MIS电容器电双层栅极电介质的界面性能和可靠性研究
作者:
Wang Hong-Jiu
;
Li Yao
;
Zou Xiao
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
47.
Channel Hot-Carrier degradation characteristics and trap activities of high-k/metal gate nMOSFETs
机译:
高k /金属门NMOSFET的通道热载波劣化特性和陷阱活动
作者:
Weichun Luo
;
Hong Yang
;
Wenwu Wang
;
Hao Xu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
CHC degradation;
HK/MG;
Nit;
Not;
48.
Analysis of satellite defects formed in photolithograph process by TOF-SIMS and XPS
机译:
TOF-SIMS和XPS在光刻过程中形成的卫星缺陷分析
作者:
Lei Zhu
;
Teo H.W.
;
Hua Y.N.
;
Loh H.L.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
49.
HV PMOSFET Vth (threshold voltage) shift caused by HEIP after HTOL
机译:
H HTOL后Heip引起的HV PMOSFET VTH(阈值电压)换档
作者:
Lee Kyenam
;
Jang Hyunho
;
Kim Kihyun
;
Park Jeonghyeon
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
50.
The variability issues in small scale trigate CMOS devices: Random dopant and trap induced fluctuations
机译:
小规模的可变性问题Trige CMOS器件:随机掺杂剂和陷阱诱导波动
作者:
Chung Steve S.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Reliability;
Trigate CMOS;
Variability;
Variation;
51.
Innovative way of implementing active voltage contrast
机译:
实现主动电压对比度的创新方法
作者:
Sabate Andrew C.
;
Ismail Nurashikin
;
Nordin Norazfar
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
52.
Charge pumping in floating-body SOI FinFETs
机译:
在浮体SOI FinFet中充电泵送
作者:
Fleetwood D.M.
;
Zhang E.X.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
53.
A correlation study of MOL electrical test method with its physical analysis
机译:
摩尔电气试验方法与物理分析的相关研究
作者:
Cahyadi T.
;
Chen F.
;
Jiang H.
;
Mittl S.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
MOL;
Middle-of-Line;
PC-to-CA overlay;
PC-to-CA reliability;
PC-to-CA space;
VRDB;
fatal-area ratio;
global variation;
local variation;
54.
Composition distribution studies of Sn/Ag/Cu solder material using TOF-SIMS, XPS and EDX
机译:
使用TOF-SIMS,XPS和EDX的SN / AG / Cu焊料材料的构成分布研究
作者:
Lee H.S.
;
Xing Z.X.
;
Gui D.
;
Hao M.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
3-D ion image;
EDX;
SnAgCu solder material;
TOF-SIMS;
XPS;
55.
Interconnect reliability assurance for circuits with billions of transistors
机译:
数十亿晶体管的电路互连可靠性保证
作者:
Turner Timothy E.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Electromigration;
ILD TDDB Semiconductor Reliability;
56.
Critical factors on the hermetic characteristics of DC/DC power module
机译:
DC / DC电源模块密封特性的关键因素
作者:
Li Xunping
;
He Xiaoqi
;
En yunfei
;
Guo Qi
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Critical facotr;
DC/DC;
FEA;
Glass insulator;
Hermetic;
57.
Failure analysis of P-N junction degradation by high temperature reverse bias operating condition
机译:
高温反向偏置操作条件对P-N结劣化的故障分析
作者:
SungSoon Choi
;
Kwanhoon Lee
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
58.
Failure analysis of a 2.5D stacking using #x03BC;insert technology
机译:
用μinsert技术进行2.5D堆叠的故障分析
作者:
Nowodzinski Antoine
;
Mandrillon Vincent
;
Bouchu David
;
Franiatte Remi
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
3D;
EDX;
STEM;
bonding;
failure analysis;
failure mode;
insert;
59.
A non destructive scan diagnosis based fault isolation technique verification method using infrared laser stimulation on wafer level
机译:
基于破坏性扫描诊断基于晶圆级红外激光刺激的故障隔离技术验证方法
作者:
You G F
;
Goh S H
;
Yeoh B L
;
Hu H.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
ATE (Automatic Test Equipment);
Laser Assisted Device Alteration (LADA);
Scan Chain diagnosis;
Wafer level laser diagnostic;
60.
Investigation of chromium contamination induced TDDB degradation in MOSFET
机译:
MOSFET中铬污染诱导TDDB降解的研究
作者:
Chih-Jen Hsiao
;
An-Shun Teng
;
Wei-Chuan Chang
;
Yi-Yueh Chen
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
61.
Application of Atomic Force Microscopy in IC/discrete failure analysis
机译:
原子力显微镜在IC /离散故障分析中的应用
作者:
Poo Khai Yee
;
Lim Saw Sing
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
62.
A novel analysis method of power signal for integrated circuits Trojan detection
机译:
集成电路特洛伊木马检测电力信号的一种新型分析方法
作者:
Li-wei Wang
;
Hai Xie
;
Hong-wei Luo
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
63.
Analysis of solder bump electromigration reliability
机译:
焊料凸块电迁移可靠性分析
作者:
Ceric H.
;
de Orio R.L.
;
Selberherr S.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
64.
Corrosion failure analysis about package box of aluminum silicon alloy used for microwave module
机译:
用于微波模块的铝硅合金包装盒的腐蚀失效分析
作者:
Hongwei Li
;
Qiantao Cao
;
Zhiming Song
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
65.
Development and application of prognostics and health management technology
机译:
预后和健康管理技术的开发与应用
作者:
Xie Shao-feng
;
En Yun-fei
;
Lin Xiao-ling
;
Lu Yu-dong
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
data mining;
fault model;
prognostics and health management;
sensor;
66.
Advanced methodologies for atomic-scale nanofabrication and dynamic characterization
机译:
原子级纳米制剂和动态特征的先进方法
作者:
Wu Xing
;
Sun Litao
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Dynamic characterization;
Nanodevice;
Nanofabrication;
Transmission electron microscopy;
67.
Failure analysis based on dummy TIVA spot
机译:
基于虚拟TIVA现货的故障分析
作者:
Chen C.Q.
;
Ang G.B.
;
Zhao S.P.
;
Ng H.P.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
68.
Radiation response analyzer of semiconductor dies
机译:
半导体模具的辐射响应分析仪
作者:
Mu Yifei
;
Zhao Cezhou
;
Su Shengmao
;
Zhao Yue
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
high-k dielectrics;
radiation effects;
69.
A sample preparation technique to reveal the implant profile by TEM for IC failure analysis
机译:
通过TEM揭示植入物轮廓的样品制备技术进行IC失效分析
作者:
Ming Li
;
Chien Wei-Ting Kary
;
Shuqing Duan
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
TEM;
defect;
failure analysis;
implant profile;
integrated circuit;
sample preparation;
70.
Analysis of dummy-gate dual-directional SCR (dSCR) device for ESD protection
机译:
用于ESD保护的虚设栅极双向SCR(DSCR)设备分析
作者:
Yuan Wang
;
Guangyi Lu
;
Jian Cao
;
Song Jia
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Electrostatic discharge (ESD);
dual-directional silicon controlled rectifier (dSCR);
holding voltage;
triggering voltage;
71.
A study of latch-up mechanisms for adjacent pins on multiple power supply circuits
机译:
多电源电路相邻引脚的闩锁机构研究
作者:
Liang Sanan
;
Guo Annie
;
Ji Jackie
;
Chen Jason
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
BJT;
Failure Analysis;
Guard Ring;
Latch-up;
SCR;
72.
A novel methodology for passive voltage contrast fault isolation on ultra thin gate oxide failure
机译:
一种新的超薄栅极氧化物故障被动电压对比故障隔离方法
作者:
Jinyu Tong
;
Kite Li
;
Excimer Gong
;
Qiang Guo
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
73.
Failure analysis for probe mark induced galvanic corrosion and bond degradation during HAST
机译:
探针标志诱导电抗气腐蚀和债券降解的故障分析
作者:
Lai-Seng Yeoh
;
Kok-Cheng Chong
;
Susan Li
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
74.
Stress evolution on tungsten thin-film of an open through silicon via technology
机译:
通过技术通过硅的钨薄膜的压力演变
作者:
Singulani A.P.
;
Ceric H.
;
Langer E.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
75.
The application of fault tree analysis method in electrical component
机译:
故障树分析方法在电气部件中的应用
作者:
Chen Y.
;
He X.Q.
;
Lai P.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
76.
Failure analysis of TaN thin film resistors for microwave circuits
机译:
微波电路棕褐色薄膜电阻器故障分析
作者:
Qiantao Cao
;
Zhiming Song
;
Fei Wang
;
Bin Wang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
77.
Development of failure analysis technique for temperature dependent failures
机译:
温度依赖失败故障分析技术的开发
作者:
Hat Noorsyuhada
;
Sabate Andrew
;
Yusof Khairul Aiman
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
78.
N-type dopant out diffusion induced EEPROM failure
机译:
n型掺杂剂out扩散诱导EEPROM失败
作者:
Tan L.T.
;
Chan Gary H.G.
;
Kho W.F.
;
Wang X.D.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
79.
Failure analysis for via with solder bubble
机译:
焊泡的VIA失效分析
作者:
Wang Yang
;
Luo Daojun
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
PCBA;
SEM;
Solder bubbles;
cross section;
failure;
via;
80.
New capability of laser ablation in failure analysis
机译:
失效分析中的激光消融的新能力
作者:
Liew C.N.
;
Khoo K.L.
;
Tiang L.S.
;
Ng Y.J.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
81.
Using strain to increase the reliability of scaled spin MOSFETs
机译:
使用应变来提高缩放旋转MOSFET的可靠性
作者:
Osintsev D.
;
Sverdlov V.
;
Makarov A.
;
Selberherr S.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
phonon relaxation;
shear strain;
surface-roughness relaxation;
ultra-scaled SOI MOSFETs;
82.
New statistical post processing approach for precise fault and defect localization in TRI database acquired on complex VLSI
机译:
在复杂的VLSI上获取的TRI数据库中的精确故障和缺陷定位的新统计后处理方法
作者:
Chef S.
;
Perdu P.
;
Bascoul G.
;
Jacquir S.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
83.
Evaluation of thermal mapping analysis technique for failure mechanism
机译:
失效机制热映射分析技术评价
作者:
Yusof Yusnani Mohamad
;
Ahmad Izhar Helmi
;
Abd Halim Nur Ainn Hanis
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
84.
Comparative study of different Copper wire decapsulation techniques for failure analysis
机译:
不同铜线解封技术对破坏分析的比较研究
作者:
De La Cruz Em Julius N.
;
Sabate Andrew C.
;
Estrera Shiela Lyn A.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
85.
Impact of cerium oxide's grain size for dielectric relaxation
机译:
氧化铈晶粒尺寸对介电松弛的影响
作者:
Chun Zhao
;
Ce Zhou Zhao
;
Werner Matthew
;
Taylor Steve
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
cerium oxide;
dielectric relaxation;
grain size;
high-A dielectric;
86.
ISTFA best paper: FemtoFarad/TeraOhm endpoint detection for microsurgery of integrated circuit devices
机译:
ISTFA最佳纸张:集成电路器件显微外科的Femtofarad / Teraohm终点检测
作者:
Colvin Jim
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
87.
New technique of sample preparation for 3DIC micro_bumps observation
机译:
用于3DIC微_bumps观察的新型样品制备技术
作者:
Chun-An Huang
;
Han-Yun Long
;
King-Ting Chiang
;
Li Chuang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
88.
Real-time analysis of ultra-thin gate dielectric breakdown and recovery - A reality
机译:
超薄栅极介电击穿和恢复的实时分析 - 现实
作者:
Pey K.L.
;
Raghavan N.
;
Liu W.H.
;
Wu X.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Breakdown;
Filamentation;
Percolation;
Post breakdown;
Soft breakdown;
Thermal runaway;
89.
Optical Probing of FinFETs
机译:
FINFET的光学探测
作者:
Fine J.
;
Young C.D.
;
Hobbs C.
;
Bersuker G.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
90.
ESD detection circuit with reverse-used RC network in a 90-nm CMOS process
机译:
ESD检测电路,具有90nm CMOS过程中的具有反向使用的RC网络
作者:
Yang Z.N.
;
Liu H.X.
;
Wang S.L.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
91.
Anomalous degradation behavior of p-type polycrystalline silicon thin film transistors under negative gate bias stress
机译:
负栅极偏压下P型多晶硅薄膜晶体管的异常降解行为
作者:
Zhang Meng
;
Zhou Wei
;
Chen Rongsheng
;
Wong Man
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
92.
Investigation of EOS damage issue induced by failure analysis on back-end test vehicle
机译:
后端试验车失效分析诱导eos损伤问题的调查
作者:
Hong Bo Zhang
;
Kaeng Nan Liew
;
Ren De Lin
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
93.
Thermal effect on die warpage during back-side die polishing of flip-chip BGA device
机译:
倒装芯片BGA器件背面模具抛光过程中模具翘曲的热效应
作者:
Monjur M.Mezanur Rahman
;
Wei M.S.
;
Chong H.B.
;
Nasar-Abdat L
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
94.
Nondestructive analysis solution using combination of lock-in thermography(LIT) and 3D oblique X-ray CT technology
机译:
使用锁定热成像(点亮)和3D斜X射线CT技术的组合的无损分析解决方案
作者:
Seimiya Naoki
;
Watanabe Takuhei
;
Ichinomiya Takashi
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
95.
A failure analysis technique using the Nano Electrostatic field Probe Sensor (NEPS)
机译:
使用纳米静电场探针传感器(Neps)的故障分析技术
作者:
Ito Seigo
;
Matsumoto Toru
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
96.
Bias-temperature instability of Si and Si(Ge)-channel sub-1nm EOT p-MOS devices: Challenges and solutions
机译:
Si和Si(GE)的偏置 - 温度不稳定性-Channel Sub-1nm EOT P-MOS设备:挑战和解决方案
作者:
Groeseneken G.
;
Aoulaiche M.
;
Cho M.
;
Franco J.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
NBTI;
Si(Ge) devices;
charge trapping;
logic device;
sub 1-nanometer EOT;
97.
Voltage dependence and AC life time of PMOS HCI
机译:
PMOS HCI的电压依赖性和AC生命时间
作者:
Jia James Yingbo
;
Liu Patty
;
Xue Fengliang
;
Tien Jon
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
98.
A study of substrate damage issue caused SRAM device soft failure
机译:
基材损伤问题的研究导致SRAM器件软件失败
作者:
Yu Hsiang Shu
;
Chun Ming Chen
;
Chia Hsing Chao
;
Song Chao Gang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Contact volcano;
Nanoprobing;
SRAM soft failure;
99.
Strain measurement of Fin structure using TEM objective lens dark-field off-axis holography
机译:
使用TEM物镜镜片暗场脱轴全息术的翅片结构的应变测量
作者:
Zhu J.
;
Tan H.
;
Bello A.
;
Pham D.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
100.
Novel approach in selective area chemical etching of copper metallization for electrical failure analysis
机译:
电气故障分析铜金属化学蚀刻中的新方法
作者:
Lim Wei Chuan
;
Zakaria Nurhanani Binti
;
Stephan Meinhardt
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
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