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Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings
Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings
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1.
Gettering of metals to nanocavities in silicon
机译:
在硅中的纳米覆盖物
作者:
Kinomura A.
;
Wong-Leung J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
2.
Efficient thin epilayer multicrystalline silicon solar cells
机译:
高效的薄膜膜多晶硅硅太阳能电池
作者:
Ballhorn G.
;
Weber K.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
3.
Low-disorder quantum wire with gate-tunable width and electron density
机译:
具有栅极可调宽度和电子密度的低紊量量子线
作者:
Facer G.R.
;
Kane B.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
4.
Effects of carbon impurity on GaAs/AlGaAs multiple quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长碳杂质对GaAs / Algaas多量子孔激光的影响
作者:
Zhang D.H.
;
Li C.Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
5.
The extreme quantum limit of 2D and 3D electron systems in semiconductor heterostructures
机译:
半导体异质结构中的2D和3D电子系统的极度量子极限
作者:
Kane B.E.
;
Dzurak A.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
6.
Diffusion and native defects in GaAs
机译:
GaAs中的扩散和天然缺陷
作者:
Cohen R.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
7.
High efficiency silicon solar cells
机译:
高效硅太阳能电池
作者:
Green M.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
8.
Characteristics of 0.1 /spl mu/m Si MOSFETs with ISRC (Inverted-Sidewall Recessed-Channel) structure for reduced short channel effect
机译:
具有ISRC(倒侧壁凹槽)结构的0.1 / SPL MU / M SI MOSFET的特性,用于减少短沟道效应
作者:
Jeongho Lyu
;
Youngjin Choi
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
9.
Low-temperature chemical vapour deposited semiconducting nitrides
机译:
低温化学气相沉积半导体氮化物
作者:
Tansley T.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
10.
Magnetotransport properties of p-type strained SiGe quantum wells
机译:
P型应变SiGe量子井的MagnetOransport属性
作者:
Coleridge P.T.
;
Feng Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
11.
Surface passivation of III-V compound semiconductors
机译:
III-V复合半导体的表面钝化
作者:
Kapila A.
;
Malhotra V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
12.
Electrical characterization of metal/AlN/6H-SiC (0001) heterostructures
机译:
金属/ ALN / 6H-SIC(0001)异质结构的电学表征
作者:
Aboelfotoh M.O.
;
Kern R.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
13.
Optical properties of III nitrides grown by reactive MBE
机译:
反应性MBE生长的III氮化物的光学性质
作者:
Morkoc H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
14.
Engineering high-performance vertical cavity lasers
机译:
工程高性能垂直腔激光器
作者:
Lear K.K.
;
Hou H.Q.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
15.
Spectroscopic investigation of single quantum well structures of semiconductors
机译:
半导体单量子阱结构的光谱研究
作者:
Shen S.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
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