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Royal Microscopical Society conference

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1.Strain relaxation behaviour in In_xGa_(1-x)As quantum wells on misorientated GaAs (111)B substrates

机译：在in_xga_（1-x）中的应变弛豫行为为错机GaAs（111）B基板上的量子孔
- 作者：M Gutierrez;D Gonzalez;G Aragon;M Hopkinson;T Fleischmann;R Garcia;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
2.Chemical profiles in AIGaN/GaN quantum wells: a CTEM, HRTEM and EFTEM comparison

机译：Aigan / GaN量子井中的化学分布：CTEM，HRTEM和EFTEM比较
- 作者：J-L Rouviere;P Bayle-Guillemaud;G Radtke;S Groh;O Briot;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
3.Spatial analysis of dislocation distribution as a means of assessing crystal growth processes

机译：脱位分布的空间分析作为评估晶体生长过程的方法
- 作者：E M Walker;D J Buckley;N M Boyall;K Durose;K Grasza;A Szczerbakow;W Palosz;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
4.An EDX/EELS investigation of an oxygen barrier for integrated ferroelectric devices

机译：用于集成铁电器件的氧气屏障的EDX / EELS
- 作者：A Rucki;N Nagel;I Kasko;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
5.Auto-correlation function analysis of structural transitions in electron-beam evaporated amorphous silicon thin films

机译：电子束蒸发非晶硅薄膜结构转变的自相关函数分析
- 作者：S L Cheng;K S Chi;L J Chen;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
6.Electron beam dissipation volume effects on lateral and depth probing of semiconducting layers

机译：电子束耗散体积效应半导体层的横向和深度探测
- 作者：E Napchan;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
7.Comparative cathodoluminescence and EBIC analysis of partially relaxed InGaAs/GaAs p-i-n structures

机译：对比较的阴离子发光和EBIC分析部分放松的IngaAs / GaAs P-I-N结构
- 作者：S Tundo;M Mazzer;L Nasi;G Salviati;L Lazzarini;C Ferrari;A Passaseo;N J Ekins-Daukes;K W J Barnham;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
8.Synthesis of epitaxial diamond grains in cubic SiC by high temperature carbon implantation

机译：高温碳植入立方SiC中外延金刚石颗粒的合成
- 作者：B Pecz;L Toth;V Heera;W Skorupa;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
9.Chemical mapping of InGaN/GaN LEDs

机译：Ingan / GaN LED的化学映射
- 作者：Nikhil Sharma;Menno Kappers;Jonathan Barnard;Mary Vickers;Colin Humphreys;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
10.The structure of uncapped and capped InAs/GaAs quantum dots

机译：未缩合和盖上inas / gaas量子点的结构
- 作者：D Zhi;D W Pashley;B A Joyce;T S Jones;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
11.Depth resolved cathodoluminescence study of optical transitions in MOVPE grown hexagonal GaN

机译：Movpe种类六角形GaN中光学过渡的深度解决的阴极辐射研究
- 作者：G SaMati;F Rossi;N Armani;L Lazzarini;L Nasi;V Grillo;A Passaseo;R Cingolani;M Longo;O Martinez;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
12.Characterisation of the nanometer-scale mechanical compliance of semiconductors by Ultrasonic Force Microscopy

机译：通过超声波显微镜表征半导体的纳米尺度力学依从性
- 作者：Bryan D Huey;Richard M Langford;G Andrew D Briggs;Oleg V Kolosov;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
13.Structural and chemical studies of novel 1-eV band gap solar cell materials lattice-matched to GaAs

机译：新型1-EV带隙太阳能电池材料格子与GaAs的结构和化学研究
- 作者：A G Norman;D J Friedman;J F Geisz;M M Al-Jassim;Sarah Kurtz;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
14.Compositional analysis based upon electron holography and a chemically sensitive reflection

机译：基于电子全息术和化学敏感反射的组成分析
- 作者：A Rosenauer;D Gerthsen;D Van Dyck;M Arzberger;G Boehm;G Abstreiter;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
15.Composition of InGaN: In distribution and influence of lattice strain

机译：ingan的组成：晶格菌株的分布与影响
- 作者：M Schowalter;P Pfundstein;E Hahn;B Neubauer;A Rosenauer;D Gerthsen;A Allam;B Schineller;O Schon;M Heuken;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
16.Barrier thickness influence on plastic relaxation in (111)B misoriented InGaAs/GaAs double quantum wells

机译：屏障厚度对塑料松弛的影响（111）B错误Ingaas / GaAs双量子孔
- 作者：M Herrera;M Gutierrez;D Gonzalez;G Aragon;M Hopkinson;R Garcia;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
17.Relaxation of Si_(1-x)Ge_x buffer layers on Si(100) through helium ion implantation

机译：通过氦离子植入放松Si_（1-x）Ge_x缓冲层Si（100）上的缓冲层
- 作者：M Luysberg;D Kirch;H Trinkaus;B Hollaende;St Lenk;S Mantl;H-J Herzog;T Hackbarth;P F P Fichtner;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
18.Stability of twist interfacial dislocations in (001) silicon bonded films

机译：（001）硅键合膜中扭曲界面脱位的稳定性
- 作者：K Rousseau;J L Rouviere;F Fournel;N Magnea;H Moriceau;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
19.Energy filtered TEM analyses of Ge snowploughing during oxidation of SiGe/Si MOSFET device structures

机译：高温氧化过程中GE氧化过程中的能量滤波器TEM分析
- 作者：D J Norris;A G Cullis;G Braithwaite;T J Grasby;T E Whall;E H C Parker;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
20.Nanoscale characterization of stresses in semiconductor devices

机译：半导体器件中应力的纳米级表征
- 作者：J Demarest;R Hull;K T Schonenberg;K G F Janssens;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
21.Characterisation of 3C-SiC crystallites grown on Si (001) by CO annealing

机译：CO退火对Si（001）生长的3C-SiC结晶的表征
- 作者：O H Krafcsik;G Z Radnoczi;L Toth;B Pecz;P Deak;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
22.The structure of damage layers in transmission electron microscope specimens in elemental and compound semiconductors after FIB fabrication

机译：元素和化合物半导体中透射电子显微镜样品中损伤层的结构
- 作者：P R Munroe;S Rubanov;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
23.Structure and composition of (GaMn)As formed by MOVPE

机译：由MOVPE形成的（GAMN）的结构和组成
- 作者：K Volz;M Lampalzer;A Schaper;J Zweck;W Stolz;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
24.Structural evolution of carbon nanotubes grown on Fe-deposited Si substrates by thermal chemical vapour deposition

机译：热化学气相沉积在Fe沉积Si基材上生长的碳纳米管的结构演变
- 作者：C-J Choi;JI Sohn;S Lee;T-Y Seong;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
25.Characterisation of ALCVD ZrO_2 thin films by TEM

机译：ALCVD ZRO_2薄膜的表征TEM
- 作者：O Richard;H Bender;M Honssa;C Zhao;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
26.Composition-variations and phase-segregation in InGaAsN grown by CBE

机译：由CBE生长的INGAASN中的组成变化和相位偏析
- 作者：S Thomas;T J Bullough;T B Joyce;J-G Zheng;P R Chalker;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
27.Characterization of GaN based MESFETs by comparing electroluminescence, photoionization and cathodoluminescence spectroscopy

机译：通过比较电致发光，光相和阴极发光光谱法的表征GaN基丝孔
- 作者：N Armani;A Chini;M Manfredi;G Meneghesso;M Pavesi;V Grillo;G Salviati;E Zanoni;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
28.Quantitative ultra shallow dopant profile measurement by scanning capacitance microscopy

机译：通过扫描电容显微镜测量定量超浅掺杂剂轮廓测量
- 作者：Yoshio Kikuchi;Tomohiro Kubo;Masataka Kase;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
29.Investigation of impurity enrichment and electronic properties of macrocrystalline silicon thin films

机译：宏晶硅薄膜杂质富集和电子性质的研究
- 作者：M Stoeger;A Breymesser;P Schattschneider;V Schlosser;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
30.ACCURATE ULTRA LOW FINES CONVEYING OF CARBON BLACK

机译：精确的超低罚款炭黑输送
- 作者：R. G. Yarwood
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
31.Critical dimensions for the formation of misfit dislocations in In_(0.6)Ga_(0.4)As islands on GaAs(001)

机译：在GaAs（001）上的IN_（0.6）GA_（0.4）中形成错误位错的关键尺寸
- 作者：K Tillmann;A Foerster;L Houben;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
32.Radiative 1D exciton recombination at B(g)-type dislocations in ZnSe and CdTe

机译：在ZnSe和CdTe中的B（g）型脱位辐射1d激子重组
- 作者：J Schreiber;U Hilpert;L Hoering;L Worschech;M Ramsteiner;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
33.The generation of misfit dislocations in AlGaN/GaN films

机译：AlGaN / GaN电影中错位脱位的产生
- 作者：C G Jiao;D Cherns;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
34.Epitaxially stabilized structures of ultrathin iridium silicide

机译：超薄硅化物外延稳定的结构
- 作者：U Hoermann;T Remmele;H P Strunk;H Gruenleitner;M Schulz;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
35.High resolution transmission electron microscope investigation of solid state amorphization in metal-Si systems

机译：高分辨率透射电子显微镜调查金属SI系统固态非稳定性
- 作者：L J Chen;S L Cheng;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
36.Localisation and transport in quantum wires with longitudinal bandgap variation

机译：具有纵向带隙变化的量子线的定位和运输
- 作者：K Leifer;B Dwir;Y Ducommun;D Y Oberli;E Kapon;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
37.TEM analysis of strained MQW laser diodes

机译：紧张MQW激光二极管的TEM分析
- 作者：T Matsuda;S Seo;K Mitose;T Saito;S Hattori;F Iwase;Y Murakami;D Shindo;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
38.Correlating compositional, structural and optical properties of InGaN quantum wells by transmission electron microscopy

机译：通过透射电子显微镜将IngaN量子阱的组成，结构和光学性能相关
- 作者：M Albrecht;V Grillo;J Borysiuk;T Remmele;H P Strunk;T Walther;W Mader;P Prystawko;M Leszczynski;I Grzegory;S Porowski;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
39.Interdiffusion in GaSb/Al_xGa_(1-x)Sb heterostructures

机译：在Gasb / Al_xga_（1-x）Sb异质结构中的间隔
- 作者：B Jahnen;M Luysberg;K Urban;H Bracht;R Schmidt;C Ungermanns;T Bleuel;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
40.Defect dynamics in ZnSe/GaAs (001) epilayers : TEM in-situ heating experiments

机译：ZnSE / GaAs（001）缺陷动态（001）脱落器：TEM原位加热实验
- 作者：S Lavagne;C Levade;G Vanderschaeve;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
41.Strain analysis in sub-micron silicon devices by TEM/CBED

机译：TEM / CBED亚微米硅装置的应变分析
- 作者：A Armigliato;R Balboni;S Frabboni;A Benedetti;A G Cullis;G Pavia;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
42.Profiling of low energy implanted As distributions in Si by using HAADF and EDX techniques in the transmission electron microscope

机译：通过在透射电子显微镜中使用HAADF和EDX技术将低能量分析为SI的分布
- 作者：T-S Wang;A G Cullis;E J H Collart;A J Murrell;M A Foad;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
43.Optical response of semiconductor nanostructure with free charge carriers in scanning near-field optical microscope

机译：在扫描近场光学显微镜中与游离电荷载流子半导体纳米结构的光学响应
- 作者：A B Evlyukhin;R M Bantser;S G Lyovkin;N N Parphenova;E V Evlyukhina;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年
44.Investigation of microstructural evolution during the growth of epitaxial GaN by correlated in situ optical monitoring, TEM and AFM techniques

机译：通过原位光学监测，TEM和AFM技术与外延GaN生长过程中微观结构演变研究
- 作者：M Lada;A G Cullis;P J Parbrook;D A Wood;D J Norris;G Duggan;Institute of Physics Conference Series Number 169
- 会议名称：《Royal Microscopical Society conference》 | 2001年