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Computational semiconductor materials science
Computational semiconductor materials science
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1.
Ferromagnetism in undoped semiconductors
机译:
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作者:
Yandong Ma
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Baibiao Huang
会议名称:
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2.
Electronic Structure of O-vacancy in High-k Dielectrics and Oxide Semiconductors
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作者:
Kee Joo Chang
;
Byungki Ryu
;
Hyeon-Kyun Noh
;
Junhyeok Bang
;
Eun-Ae Choi
会议名称:
《Computational semiconductor materials science》
|
2011年
3.
Multiscale Modeling of a Quantum Dot lleterostructure
机译:
量子点字母结构的多尺度建模
作者:
P. Sengupta
;
S. Lee
;
S. Steiger
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会议名称:
《Computational semiconductor materials science》
|
2011年
4.
Structural, Electronic and Defect Properties of Cu2ZnSn(S,Se)4 Alloys
机译:
Cu2ZnSn(S,Se)4合金的结构,电子和缺陷性能
作者:
Shiyou Chen
;
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会议名称:
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5.
Magnetic Properties of Polar ZnO Surfaces from Ab-initio Calculations
机译:
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作者:
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6.
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作者:
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Koji Sueoka
会议名称:
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2011年
7.
Effects of direct lateral Current Injection on the Performance, Overall Efficiency and Emission Distribution in GaN LED structures: a 2D Computational Study
机译:
直接横向电流注入对GaN LED结构的性能,整体效率和发射分布的影响:二维计算研究
作者:
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8.
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机译:
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9.
Temperature Dependent Optical Response of Si(100): Theory vs. Experiment
机译:
Si(100)的随温度变化的光学响应:理论与实验
作者:
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;
J. Heron
;
J.L. Cabellos
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N. Witkowski
;
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;
B.S. Mendoz
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会议名称:
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2011年
10.
Electronic Structure Calculations Using A Modified Thomas-Fermi Approximation
机译:
使用修正的Thomas-Fermi近似进行电子结构计算
作者:
Gregory C. Dente
;
Michael Tilton
会议名称:
《Computational semiconductor materials science》
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2011年
11.
Electron position: jumping in double concentric quantum rings
机译:
电子位置:在双同心量子环中跳跃
作者:
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;
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;
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2011年
12.
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机译:
砷化铝(AIAs)内在缺陷的第一性原理预测
作者:
Peter A. Schultz
会议名称:
《Computational semiconductor materials science》
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2011年
13.
The Absorption of Diamondoids from Time-dependent Density Functional Calculations
机译:
随时间变化的密度泛函计算的类固醇吸收
作者:
Marton Voeroes
;
Tamas Demjen
;
Adam Gali
会议名称:
《Computational semiconductor materials science》
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2011年
14.
Electronic Structure and Optical Absorption of Fluorographene
机译:
荧光烯的电子结构和光吸收
作者:
Yufeng Liang
;
Li Yang
会议名称:
《Computational semiconductor materials science》
|
2011年
15.
Electronic Excitation Induced Solid-State Amorphization in Ge-Sb-Te Alloy
机译:
Ge-Sb-Te合金中电子激发诱导的固态非晶化
作者:
Xian-Bin Li
;
X.Q. Liu
;
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;
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;
Z. Zhang
;
X.D. Han
;
S. B. Zhang
会议名称:
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2011年
16.
Defect-free and Defective Surfaces of the Pyrochlore Oxide La_2Zr_2O_7: A Theoretical Study
机译:
烧绿石氧化物La_2Zr_2O_7的无缺陷和有缺陷的表面:理论研究
作者:
Yves A. Mantz
会议名称:
《Computational semiconductor materials science》
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2011年
17.
Temperature Induced Evolution of Bond-Centered Hydrogen (BCH) Defects in Crystalline Silicon: Dynamical, Electronic, Vibrational and Optical Signatures
机译:
温度诱导结晶硅中键合中心氢(BCH)缺陷的演化:动态,电子,振动和光学特征
作者:
Zahraa A. Ibrahim
;
Anatoli I. Shkrebtii
;
Frederic Zimmer-De Iuliis
;
Franco Oaspari
会议名称:
《Computational semiconductor materials science》
|
2011年
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