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IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits
IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits
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1.
Multi-Gate pHEMT Modeling for High-Power Operation
机译:
高功率操作的多栅极PhEMT模型
作者:
Ce-Jun. Wei
;
Yu Zhu
;
Dylan Bartle
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2013年
关键词:
pHEMTs;
power step-back;
related hysteresis;
2.
A New Model of Phase Noise Analysis for LC-Tank Quadrature Oscillators
机译:
LC罐正交振荡器的相位噪声分析模型
作者:
Jinhua Liu
;
Guican Chen
;
Jianchao Xu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Phase noise analysis;
QOSC;
Frequency domain;
3.
Superior Contact Properties of Trench Filled Contact for 3D MOSFET
机译:
用于3D MOSFET的沟槽填充触点的卓越接触性能
作者:
Jae-Hyun Jung
;
Heon-Bok Lee
;
Jong-Bong Ha
;
Hee-Sung Kang
;
Jung-Hee Lee
;
Sung-Ho Hahm
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
Contact Resistance;
Source/Drain Junction;
4.
Optimization of Sub-100nm Transistor Gate Sidewall Spacer Process for High-Performance Applications
机译:
优化高性能应用的子100nm晶体管栅极侧壁间隔工艺
作者:
Chun-Jen Weng
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Nano;
Process Integration;
Spacer;
Transistor Gate;
5.
Material engineering in phase-change memory for low power consumption and multi-level storage
机译:
电气变化内存中的材料工程,用于低功耗和多级存储
作者:
You Yin
;
Tomoyuki Noguchi
;
Hiroki Ohno
;
Sumio Hosaka
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
6.
Analysis on the effect of regression and correlation models on the accuracy of Kriging model for IC
机译:
回归和相关模型对IC克里格型模型精度的影响分析
作者:
Wang Hailang
;
You Hailong
;
Jia Xinzhang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
IC modeling;
Kriging;
Correlation model;
Regression model;
7.
RF-DC Power Conversion of Schottky Diode Fabricated on AlGaAs/GaAs Heterostructure for On-Chip Rectenna Device Application in Nanosystem
机译:
在纳米系统中的片上indenna器件应用上的肖特基二极管的RF-DC功率转换,用于纳米系统的片上固定装置
作者:
Farahiyah Mustafa
;
Norfarariyanti Parimon
;
Shaharin Fadzli Abd Rahman
;
Abdul Manaf Hashim
;
Mohd Nizam Osman
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Rectenna;
Coplanar waveguide;
AlGaAs/GaAs;
HEMT;
Schottky diode;
Nanosystem;
8.
Nano magnetic column arrays fabrication for patterned media in magnetic recording using EB lithography and ion milling
机译:
纳米磁柱阵列用于使用EB光刻和离子研磨的磁记录中图案化介质的制造
作者:
Sumio Hosaka
;
Yasunari Tanaka
;
Masumi Shirai
;
Zulfakri Mohamad
;
You Yin
;
Yuji Kondo
;
Jun Ariake
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
9.
A Digital Calibration Design for 10-bit Folding and Interpolating ADC
机译:
10位折叠和插值ADC的数字校准设计
作者:
Rong Fan
;
Kai Zhou
;
Zhuang Ma
;
Zhibiao Shao
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
A/D converter;
Digital calibration;
Nonlinearity;
Offset;
10.
Numerical Simulation of Programming and Read Process for Nano-Scale Phase-Change Memory (PCM) Cell
机译:
纳米级相变存储器(PCM)单元的编程和读工艺的数值模拟
作者:
Yiqun Wei
;
Laidong Wang
;
Wei Wang
;
Xinnan Lin
;
Frank He
;
Mansun Chan
;
Xing Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
11.
Design Optimization in Write Speed of Multi-Level Cell Application for Phase Change Memory
机译:
相变内存的多级单元应用程序写入速度的设计优化
作者:
Jun-Tin Lin
;
Yi-Bo Liao
;
Meng-Hsueh Chiang
;
I-Hsuan Chiu
;
Chia-Long Lin
;
Wei-Chou Hsu
;
Pei-Chia Chiang
;
Shyh-Shyuan Sheu
;
Yen-Ya Hsu
;
Wen-Hsing Liu
;
Keng-Li Su
;
Ming-Jer Kao
;
Ming-Jinn Tsai
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Phase change memory;
PCM;
MLC;
12.
An Optimized Design for a Decimation Filter and Implementation for Sigma-Delta ADC
机译:
Sigma-Delta ADC的抽取滤波器和实现的优化设计
作者:
Yingying Cui
;
Jie Huang
;
Lingjuan Wu
;
Xiaoxin Cui
;
Dunshan Yu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Sigma-delta ADC;
CSD encoding;
Distributed arithmetic;
Decimation filter;
13.
Bit Synchronization Methods and Their Performance for HSGPS Receivers
机译:
位同步方法及其对HSGPS接收器的性能
作者:
Weijun Lu
;
Yongcan Huang
;
Lingjuan Wu
;
Dunshan Yu
;
Xing Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
HSGPS;
Bit synchronization;
Histogram method;
Hard decision method;
Soft decision method;
14.
An Accurate Analytical Model for Current-Voltage Characteristics and TransConductance of Al_mGa_(1-m)/GaN MODFETs
机译:
AL_MGA_(1-M)/ GaN ModFET的电流 - 电压特性和跨导的准确分析模型
作者:
Abtahi Hosseini
;
S. Ehsan
;
Hosseini
;
S. Ebrahim
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
AlGaN/GaN;
MODFET;
Sheet carrier concentration;
Low-field mobility;
15.
A Numerical Model for Solving Two Dimensional Poisson-Schrodinger Equation in Depletion All Around Operation of the SOI Four Gate Transistor
机译:
SOI四门晶体管围绕运行耗尽二维泊松 - Schrodinger方程的数值模型
作者:
Shafat Jahangir
;
Q. D. M. Khosru
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Four gate transistor (G~4FET);
Depletion all around operation (DAA);
Two dimensional Poisson-Schrodinger solver;
Finite element method;
16.
The effect of the surface recombination on current gain for 4H-SiC BJT
机译:
表面重组对4H-SiC BJT电流增益的影响
作者:
Yourun Zhang
;
Bo Zhang
;
Zhaoji Li
;
Xiaochuan Deng
;
Xilin Liu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
17.
Co-extraction Method for DC Model Parameters of BJT Based on Global Optimization and Physical Analysis
机译:
基于全局优化和物理分析的BJT DC模型参数的共提取方法
作者:
Jiwei Sun
;
Xinzhang Jia
;
Zhiyun Li
;
Hailong You
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
BJT;
Model parameter;
Extraction;
Initial values;
Model Editor;
Optimization;
Optimizer tool;
18.
Analytical Modeling of Base Transit Time for a Si_(1-y)Ge_y Heterojunction Bipolar Transistor
机译:
SI_(1-Y)GE_Y异质结双极晶体管基地传输时间的分析建模
作者:
Yeasir Arafat
;
Ziaur Rahman Khan
;
M. M. Shahidul Hassan
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Base transit time;
High injection;
SiGe;
HBT;
19.
Optimization of N Content for High-k LaTiON Gate Dielectric of Ge MOS Capacitor
机译:
GE MOS电容器高k栅极电介质N含量的优化
作者:
H. X. Xu
;
J. P. Xu
;
C. X. Li
;
L. Liu
;
P. T. Lai
;
C. L. Chan
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
20.
An 80-dB linear baseband CMOS VGA with temperature compensation for low-power application
机译:
一个80 dB线性基带CMOS VGA,具有低功耗应用的温度补偿
作者:
Qianqian Lei
;
Zhiming Chen
;
Yin Shi
;
Qiming Xu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
21.
Digital Static Calibration Technology Used for 400MSPS, 16-bit DAC
机译:
数字静态校准技术用于400msps,16位DAC
作者:
Zhu Dongmei
;
Fu Dongbing
;
Shi Jiangang
;
Li Kaicheng
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Digital static calibration;
Current steering DAC;
SAR;
DC resolution;
Mismatch;
DNL;
22.
A New 12-bit Fully Differential SAR ADC for Wireless Implantable Neural Recording System
机译:
用于无线可植入神经记录系统的新12位全差分SAR ADC
作者:
Y. C. Liang
;
Z. H. Wu
;
B. Li
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
23.
A Novel Gate Boosting Circuit for 2-Phase High Voltage CMOS Charge Pump
机译:
用于2相高压CMOS电荷泵的新型栅极升压电路
作者:
Oi-Ying Wong
;
Wing-Shan Tam
;
Chi-Wah Kok
;
Hei Wong
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
24.
A Low-Voltage Low-Power Self-mixer for 3.1-5GHz Non-coherent UWB Receiver
机译:
用于3.1-5GHz非相干UWB接收器的低压低功耗自混合器
作者:
Wei Wu
;
Xiaoya Fan
;
Tingcun Wei
;
Cameron T. Charles
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
25.
An RC Oscillator with Temperature Compensation for Accurate Delay Control in Electronic Detonators
机译:
具有温度补偿的RC振荡器,用于电子雷管中精确延迟控制
作者:
Qinyu Zhou
;
Liming Li
;
Guican Chen
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
RC Oscillators;
Current reference;
Temperature Compensation;
Electronic Detonator;
26.
Enhanced Performance for OTFT on Glass with HfO_2 as Gate Dielectric by UV-Ozone Treatment
机译:
通过UV-ozone治疗将HFO_2作为栅极电介质的玻璃OTFT的性能提高
作者:
W. M. Tang
;
M. G. Helander
;
M. T. Greiner
;
G. Dong
;
W. T. Ng
;
Z. H. Lu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
27.
Ultra Low-Power Full-Adder for Biomedical Applications
机译:
用于生物医学应用的超低功耗全加法器
作者:
Eng Sue Chew
;
Myint Wai Phyu
;
Wang Ling Goh
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
28.
Dual Cycle Shift Data-Weighted Averaging Technique for Multi-Bit Sigma-Delta Modulators
机译:
用于多位Sigma-Delta调制器的双循环移位数据加权平均技术
作者:
Xiaofen Ma
;
Jian Xu
;
Xiaobo Wu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Multi-bit Sigma-Delta modulators;
DAC nonlinearity;
Dual Cycle Shift DWA;
29.
An Analytical Current Model for Lateral Gradual Doping Channel in LDMOS
机译:
LDMOS中横向渐进通道的分析电流模型
作者:
Wenniu Xie
;
Bin Li
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
30.
A High Power Efficiency Class AB Switched-Opamp for Low Voltage Low Power Sigma-Delta Modulators
机译:
用于低压低功耗Sigma-Delta调制器的高功率效率AB级开关op
作者:
Hanqing Wang
;
Jian Xu
;
Xiaobo Wu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Switched opamp (SO);
Sigma-delta modulator (SDM);
Common mode feedback circuit (CMFB);
31.
Multi-node Driving Circuits for Multi-branch Transmission Wires
机译:
用于多分支传输线的多节点驱动电路
作者:
Wu Fengfeng
;
Jia Song
;
Wang Yuan
;
Zhang Ganggang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Multi-node;
Multi-branch;
Low swing;
Low power;
Dynamic current dissipation;
32.
A Novel SOI IGBT for Power-Rail ESD Clamp Circuit
机译:
用于电源轨ESD钳位电路的新型SOI IGBT
作者:
Jing Zhu
;
Qinsong Qian
;
Weifeng Sun
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Silicon On Insulator (SOI);
Lateral insulated gate bipolar transistor (IGBT);
Transient-assisted;
Transmission Line Pulsing (TLP);
Electrostatic discharge (ESD);
33.
GaN Lattice Matched ZnO/Pr_2O_3 Film as Gate Dielectric Oxide Layer for AlGaN/GaN HEMT
机译:
GaN格子匹配ZnO / PR_2O_3薄膜作为AlGaN / GaN Hemt的栅极介电氧化物层
作者:
Che-Kai Lin
;
Ming-Yang Chen
;
Hsiang-Chun Wang
;
Chih-Wei Yang
;
Chao-Wei Chiu
;
Hsien-Chin Chiu
;
Kuang-Po Hsueh
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
34.
A More Accurate Potential-Based Drain Current Model for Bulk-MOSFETs
机译:
批量 - MOSFET的一种更准确的基于潜在的漏极电流模型
作者:
Yucong Huang
;
Xinnan Lin
;
Jian Zhang
;
Hao Zhuang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
35.
A Physical Model Based on Surface Potential for Double-Gate a-Si:H TFTs
机译:
基于双栅极A-Si的表面电位的物理模型:H TFT
作者:
Yuan Liu
;
Ruo-He Yao
;
Bin Li
;
Wen-Niu Xie
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
A-Si:H TFT;
Double gate;
Surface potential;
36.
Integrated DC-DC Converter with an Auxiliary Output Stage for Transient Suppression
机译:
集成DC-DC转换器,具有辅助输出级,用于瞬态抑制
作者:
J. Wang
;
K. Ng
;
T. Kawashima
;
M. Sasaki
;
H. Nishio
;
A. Prodic
;
W. T. Ng
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
37.
Digital Circuit Design for a High-Speed Direct Digital Frequency Synthesizer
机译:
高速直接数字频率合成器的数字电路设计
作者:
Jinshan Yu
;
Ruitao Zhang
;
YuJing Li
;
Dongbing Fu
;
RuZhang Li
;
Yafeng Yao
;
Tun Li
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
CMOS;
DDFS;
CORDIC;
DataPath;
38.
A Novel Method for Smooth Transition in Step-Up/Step-Down DC-DC Converter
机译:
一种新的升压/降压DC-DC转换器平滑过渡的方法
作者:
Yanzhao Ma
;
Hongyi Wang
;
Guican Chen
;
Fan Qu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Step-up/step-down;
DC-DC converter;
Smooth transition;
39.
Design technique for SMDAC without aperture error for 14-b 100MS/s pipelined ADC applications
机译:
对于SMDAC设计技术无光圈错误14-B 100MS / s的流水线ADC的应用
作者:
Zhaoxin Xiong
;
Min CAI
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Multiplying digital-to-analog converter (MDAC);
Pipelined analog-to-digital converter (ADC);
Capacitor-sharing;
Aperture error;
Low power;
40.
A Dynamic Element Matching Technique for Multi-bit Quadrature Delta-Sigma Modulators
机译:
多比特正交Δ-Σ调制器的动态元素匹配技术
作者:
Chi-Tung Ko
;
Kong-Pang Pun
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
41.
RF front-end ICs for Digital Radio Broadcasting DRM and DAB
机译:
用于数字无线电广播DRM和DAB的RF前端IC
作者:
K. P. Wang
;
Z. G. Wang
;
X. M. Lei
;
J. Z. Zhou
;
X. Cao
;
W. R. Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
42.
1.8 V CMOS Low Noise CPPLL Design
机译:
1.8 V CMOS低噪声CPPLL设计
作者:
Huibin Tao
;
Pengzhan Zhang
;
Zhibiao Shao
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
PLL;
Charge Pump;
Low noise;
43.
GaN Smart Power Chip Technology
机译:
GaN智能电力芯片技术
作者:
Kevin Jing Chen
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
关键词:
Wide Bandgap;
GaN;
Smart power;
Power converter;
Voltage reference and planar integration;
44.
Generic DG MOSFET Analytic Model with Vertical Electric Field Induced Mobility Degradation Effects
机译:
普通DG MOSFET分析模型,具有垂直电场诱导的迁移率劣化效应
作者:
Xingye Zhou
;
Lining Zhang
;
Jian Zhang
;
Frank He
;
Xing Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
45.
A Two-dimensional Analytical Subthreshold Behavior Model for Short-Channel Dual-Material Gate (DMG) AlGaAs/GaAs HFETs
机译:
短通道双层栅极(DMG)ALGAAS / GAAs HFET的二维分析亚阈值行为模型
作者:
T. K. Chiang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
46.
Design Strategy for Two-Phase Switched Capacitor Step-Up Charge Pump
机译:
两相开关电容升压电荷泵的设计策略
作者:
Chi-Wah Kok
;
Oi-Ying Wong
;
Wing-Shan Tam
;
Hei Wong
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2009年
47.
Degradation effects of gate oxide and STI charge in SOI LDMOS
机译:
栅极氧化物和STI电荷在SOI LDMOS中的降解效应
作者:
Zhu Mingda
;
Du Gang
;
Liu Xiaoyan
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Oxide Charge Effect;
SOI LDMOS;
48.
Fabrication of SiC p-i-n betavoltaic cell with 63Ni irradiation source
机译:
用 63 sup> ni辐照源制备SiC P-I-N贝虫细胞
作者:
Guo Hui
;
Shi Yanqiang
;
Zhang Yuming
;
Zhang Yujuan
;
Han Jisheng
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Betavoltaic;
micro nuclear batteries;
p-i-n diode;
silicon carbide;
49.
Design of dual band SiGe HBT LNA with current reuse topology
机译:
具有当前重用拓扑的双频SiGe HBT LNA设计
作者:
Lu Z. Y.
;
Xie H. Y.
;
Zhang W. R.
;
Huo W. J.
;
Guo Z. J.
;
Xing G. H.
;
Ding C. B.
;
Chen L.
;
Zhang Y. J.
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Inductor degeneration;
SiGe HBT;
current reuse;
dual-band;
low noise amplifier;
50.
Label-free protein chip and its detection system realization
机译:
无标记的蛋白质芯片及其检测系统实现
作者:
Liu Jiadai
;
Jia Yunfang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
IgG;
LAPS;
label-free;
protein chip;
51.
Nd-doped Bismuth Titanate based ferroelectric field effect transistor: Design, fabrication, and optimization
机译:
基于Nd-掺杂的钛酸铋铁电场效应晶体管:设计,制造和优化
作者:
Feng Tingling
;
Xie Dan
;
Zang Yongyuan
;
Wu Xaio
;
Luo Yafeng
;
Ren Tianling
;
Bosund Markus
;
Li Shuo
;
Airaksinen Veli-Matti
;
Lipsanen Harri
;
Honkanen Seppo
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
52.
An On-Chip Bus modeling and parameter simulation method based on utilization analysis
机译:
基于利用分析的片上总线建模与参数仿真方法
作者:
Shi Zaifeng
;
Li Yuanqing
;
Chen Xing
;
Yao Suying
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Bus Utilization;
First-In-First-Out;
On-Chip Bus;
Parameter Simulation;
53.
DC characteristics of large gate periphery InAlN/GaN HEMT on sapphire substrate
机译:
蓝宝石衬底上大型闸门外围inn / gan hemt的直流特性
作者:
Sheng Xie
;
Zhi-hong Feng
;
Shi-lin Zhang
;
Bo Liu
;
Lu-hong Mao
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Aluminum indium nitride;
DC characteristics;
gallium nitride;
high electron mobility transistor;
54.
Investigation and optimization of low-power techniques in X-band CMOS LC-VCO design
机译:
X波段CMOS LC-VCO设计中低功率技术的研究和优化
作者:
Tian Xin-Cheng
;
Liu Szu-Ling
;
Chen Kuan-Han
;
Hao Yue
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
X-band;
forward body-bias;
low-power;
low-voltage;
transformer-feedback;
55.
Evaluation of quasi-ballistic transport in nano-MOSFETs by deterministic solver of the time dependent multi-subbands Boltzmann Transport Equation
机译:
纳米MOSFET在时间依赖性多亚带Boltzmann传输方程中的纳米MOSFET中的准弹性传输评估
作者:
Wang Yong
;
Lu Tiao
;
Liu Xiaoyan
;
Du Gang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Boltzmann Transport Equation;
Quasi-ballistic transport;
Virtual Source;
56.
A circuit of configurable skin tone adjusting method base on exact skin color region detection
机译:
一种可配置的肤色调整方法基础,精确的肤色区域检测
作者:
Tao Luo
;
Shi Zaifeng
;
Ying Gao
;
Jing Gao
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
YCgCr color space;
YIQ color space;
morphological process;
skin tone adjust;
texture;
57.
A low-power and low-complexity chopper-stabilized amplifier
机译:
低功耗和低复杂性斩波器稳定放大器
作者:
Wang K.
;
Wu Z. H.
;
Zhao M. J.
;
Li B.
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
CMOS chopper amplifier;
Chopper stabilization technique;
DC offset;
flicker noise;
low complexity;
low power;
58.
Effects of nitrogen implant on ultra-thin gate dielectric breakdown
机译:
氮素植入物对超薄栅极介电击穿的影响
作者:
Feng Junhong
;
Gan Zhenghao
;
Chang Lifu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Gate leakage;
NMOS;
TDDB;
nitrogen;
59.
Quasi-ballisticity of the electron transport in a 16nm silicon double-gate nMOSFET
机译:
16nm硅双栅极NMOSFET中电子传输的准爆发性
作者:
Zhao Kai
;
Jungemann Christoph
;
Liu Xiaoyan
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
60.
Simulation of dual-stage charge management circuit used in stand-alone photovoltaic (PV) systems
机译:
独立光伏(PV)系统中使用的双级充电管理电路模拟
作者:
Hou Jianfu
;
Xiao Xia
;
Wang Zhao
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
61.
The influence of the input capacitor on the ESD behavior
机译:
输入电容对ESD行为的影响
作者:
Wei Shouming
;
Qian Qinsong
;
Sun Weifeng
;
Zhu Jing
;
Liu Siyang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Electro-static discharge;
improved structure;
input capacitor;
62.
Investigation of InGaP/InGaAs pseudomorphic triple doped-channel field-effect transistors
机译:
Ingap / Ingaas Pseudomorphic三重掺杂通道场效应晶体管的研究
作者:
Tsai Jung-Hui
;
Jhou Jia-Cing
;
Ou-Yang Jhih-Jhong
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
InGaP/InGaAs;
field-effect transistor;
gate voltage swing;
pseudomorphic;
transconductance;
63.
Compact modeling of interconnect reliability
机译:
紧凑的互连可靠性建模
作者:
de Orio R. L.
;
Selberherr S.
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
64.
The effect of bandgap engineering on I
C
-V
BE
fly-back characteristic of power SiGe heterojunction bipolar transistor
机译:
带隙工程对I
C INF> -V
BE INF>电源SiGe异质结双极晶体管的逆向特性
作者:
Liang Chen
;
Wan-rong Zhang
;
Dong-yue Jin
;
Chun-bao Ding
;
Yu-jie Zhang
;
Zhi-yi Lu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Bandgap Engineering;
SiGe HBTs;
fly-back characteristic;
65.
Analysis of noise of current accumulator in Time-Delay-Integration CMOS image sensor
机译:
时滞 - 集成CMOS图像传感器电流蓄能器噪声分析
作者:
Gao Cen
;
Yao Suying
;
Xu Jiangtao
;
Gao Jing
;
Nie Kaiming
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Time-Delay-Integration (TDI);
accumulation noise;
current accumulator;
model;
66.
Verilog-A modeling and design of a micromachined capacitive accelerometer
机译:
Verilog-微机械电容式加速度计的建模与设计
作者:
Haojiong Li
;
Mingming Zhang
;
Zhongjian Chen
;
Jingqing Huang
;
Xiangyun Meng
;
Wengao Lu
;
Yacong Zhang
;
Weiguo Su
;
Song Li
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Capacitive accelerometer;
Interface circuit;
Low noise;
Verilog-A model;
67.
Improving the electrical properties of lanthanum oxide gate dielectric film by using nitrogen and aluminum doping
机译:
用氮气和铝掺杂改善氧化镧介电膜的电性能
作者:
Wong H.
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
68.
3D Monte Carlo simulation of Gate-All-Around Germanium nMOSFET
机译:
3D Monte Carlo仿真门 - 全环锗NMOSFET
作者:
Zhu Shufang
;
Wei Kangliang
;
Du Gang
;
Liu Xiaoyan
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
3D full band Monte Carlo simulation;
Gate-All-Around mosfet;
Germanium;
Nanowire;
effective potential method;
69.
Effect of ICP etching on InP-based multiple quantum wells microring lasers
机译:
ICP蚀刻对基于INP的多量子阱微型激光器的影响
作者:
Sheng Xie
;
Zhiming Chen
;
Xin Yu
;
Shilin Zhang
;
Xianjie Li
;
Yan Chen
;
Weilian Guo
;
Lifang Qi
;
Luhong Mao
;
Jinlong Yu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Dry etching;
indium phosphide;
inductively coupled plasma;
microring laser;
waveguide;
70.
Nano-scale leakage characterizations of the #x03B3;-APTES/ silica nanoparticles bionanocomposite
机译:
γ-Aptes /二氧化硅纳米粒子二酮多种复合材料的纳米尺度泄漏表征
作者:
Hsu Po-Yen
;
Lin Jing-Jenn
;
Jhuang Jheng-Jia
;
Wu You-Lin
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
3-aminopropyltriethoxysilane;
atomic-force-microscopy;
leakage;
polydimethylsiloxane;
post-UV;
71.
Analysis and simulation of inverter employing SiC Schottky diode
机译:
采用SIC肖特基二极管的变频器分析与仿真
作者:
Gu Yang
;
Zhang Yuming
;
Zhang Yimen
;
Lu Hongliang
;
Jia Renxu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Inverter;
PSpice;
SiC Schottky diode;
reverse recovery characteristics;
switching loss;
72.
The hot-carrier degradation mechanism of p-DDDMOS transistor with different p-drift dosage
机译:
不同P漂移剂量的P-DDDMOS晶体管的热载流量降解机理
作者:
Liu Siyang
;
Sun Weifeng
;
Wan Weijun
;
Qian Qinsong
;
Sun Hu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Hot-carrier Degradation;
p-DDDMOS;
p-drift Dosage;
73.
Noise analysis of the CG-CS low noise transconductance amplifier
机译:
CG-CS低噪声跨导放大器的噪声分析
作者:
Xu Jiangtao
;
Saavedra Carlos E.
;
Chen Guican
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
74.
Monte Carlo analysis of a 2nd-order curvature-compensated CMOS bandgap voltage reference
机译:
Monte Carlo分析2nd阶曲率补偿CMOS带隙电压参考
作者:
Song Yiwei
;
Zhao Yiqiang
;
Geng Junfeng
;
Gao Jing
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Monte Carlo analysis;
bandgap voltage reference;
constant current technique;
curvature compensated;
75.
A design and realization of FPGA-based IMU data acquisition system
机译:
基于FPGA的IMU数据采集系统的设计与实现
作者:
Bai Changrui
;
Zhang Zhou
;
Han Xiaoying
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Data Acquisition;
FPGA;
IMU;
76.
Preparation of micro fluidic chip based on SU-8 mold
机译:
基于SU-8模具的微流体芯片的制备
作者:
Wu Yuan-Qing
;
Yao Su-Ying
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
PDMS;
SU-8;
micro fluidics;
77.
A qualitative comparison study of analog performance of junction and junctionless poly-Si TFTs
机译:
结和无连接多Si TFT的模拟性能的定性比较研究
作者:
Wang Shih-Wei
;
Lin Jyi-Tsong
;
Eng Yi-Chuen
;
Chang Yu-Che
;
Lin Chia-Hsien
;
Chen Hsuan-Hsu
;
Lin Po-Hsieh
;
Tai Chih-Hsuan
;
Pai Ching-Yao
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Analog operation;
junctionless (JL) transistor;
thin-film transistor (TFT);
78.
Dc characteristics of proton radiated SiGe power HBTs at cryogenic temperature
机译:
质子辐射SiGe功率Hbts在低温温度下的直流特性
作者:
Qin Guoxuan
;
Jiang Ningyue
;
Ma Jianguo
;
Ma Zhenqiang
;
Ma Pingxi
;
Racanelli Marco
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Cryogenic temperature;
SiGe power HBTs;
dc characteristics;
liquid nitrogen;
proton radiation;
79.
Studies on I-V performance enhancements of ZnO thin film transistors by vacuum treatments below 300#x00B0;C
机译:
用低于300°C真空处理的ZnO薄膜晶体管I-V性能增强的研究
作者:
Li Yong-Qi
;
Sun Lei
;
Liu Xiao-Yan
;
Wang Yi
;
Han De-Dong
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
I-V Characteristics;
RF magnetron sputtering;
Thin Film Transistor;
Vacuum Annealing;
ZnO;
80.
The effects of gamma irradiation on GaAs HBT
机译:
γ辐照对GaAs HBT的影响
作者:
Shi Yang
;
Hong-Liang Lu
;
Yu-Ming Zhang
;
Yi-Men Zhang
;
Jin-Can Zhang
;
Hai-Peng Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
GaAs HBT;
gamma irradiation;
radiation effects;
81.
Modeling of advanced memories
机译:
高级记忆建模
作者:
Makarov A.
;
Selberherr S.
;
Sverdlov V.
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
82.
A new type of 4H-SiC epitaxial channel IEMOSFET
机译:
一种新型的4H-SIC外延通道IEMOSFET
作者:
Tang Xiaoyan
;
Zhang Chao
;
Zhang Yuming
;
Zhang Yimen
;
Yang Fei
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
IEMOSFET;
Silicon Carbide;
channel mobility;
epitaxial;
83.
Effects of different Ar/O
2
ratios on the electrical properties of CuPc-based TFTs with ZrO
2
gate dielectric
机译:
不同AR / O INF>比率对ZRO
2 IM>栅极电介质的基于Cupc基TFT的电性能的影响
作者:
Tang W. M.
;
Greiner M. T.
;
Helander M. G.
;
Lu Z. H.
;
Ng W. T.
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
CuPc;
High-k dielectric ZrOlt;
infgt;
2lt;
/infgt;
OTFT;
84.
Effects of fluorine incorporation on the electrical properties of silicon MOS capacitor with La
2
O
3
gate dielectric
机译:
氟掺入对LA
2 INF> O
3 INF>栅极电介质的硅MOS电容器电性能的影响
作者:
Qian L. X.
;
Huang X. D.
;
Lai P. T.
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
MOS;
fluorine;
high-k dielectric;
interfacial layer;
lanthanum oxide;
85.
Study on transport characteristics of CNTFET based on NEGF theory
机译:
基于NegF理论的CNTFET运输特性研究
作者:
Xinghui Liu
;
Junsong Zhang
;
Zhong Qin
;
Fanguang Zeng
;
Jiwei Wang
;
Chunhua Ge
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Carbon Nanotube;
Drain Induced Barrier Lowering;
Field Effect Transistor;
Hot Electron;
86.
a DC-DC boost converter based on SiC MOSFET and SiC SBD
机译:
基于SIC MOSFET和SIC SBD的DC-DC升压转换器
作者:
Chao Zhang
;
Xiao-Yan Tang
;
Yu-Ming Zhang
;
Wen Wang
;
Yi-Men Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
DC-DCboost converter;
MOSFET;
Schottky Barrier Diode(SBD);
Silicon Carbide(SiC);
87.
Design and implementation of a NAND Flash controller in SoC
机译:
SOC中NAND闪存控制器的设计与实现
作者:
Xin Gong
;
Zibin Dai
;
Wei Li
;
Lulu Feng
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
ECC;
NAND Flash;
NAND Flash Controller;
SoC;
88.
Vertical integration of light-emitting diode chips
机译:
发光二极管芯片的垂直整合
作者:
Choi H. W.
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
LED;
chip-stacking;
laser-micromachining;
89.
Contamination assessment of inductive couple plasma etching chamber under mixture of recipes using statistical method
机译:
用统计法测定食谱混合物下电感耦合等离子体蚀刻室的污染评估
作者:
Tan Cher Ming
;
Le Minh Due
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
inductive couple plasma etching;
negative binomial distribution;
particle count;
particle per wafer pass;
90.
The verification of network processor Fast Bus Interface using SystemVerilog
机译:
使用SystemVerilog验证网络处理器快速总线接口的验证
作者:
Pei-Jun Ma
;
Wen-Bo Ma
;
Kang Li
;
Jiang-Yi Shi
;
Yong Jiang
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
FBI;
Fast Bus Interface;
SystemVerilog;
VMM;
assertion;
verification;
91.
Design of configurable LFSR instructions targeted at stream cipher processing
机译:
设计在流密码处理中的可配置LFSR指令
作者:
Nan Longmei
;
Dai Zibin
;
Yang Xuan
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Configurable;
Instruction Level Parallel;
LFSR;
VLIW;
92.
Design and simulation of THz filters embedded in LTCC multi-layer substrate
机译:
LTCC多层基板嵌入THz滤波器的设计与仿真
作者:
Miao Min
;
Zhang Xiaoqing
;
Zhang Yang
;
Xu Shufang
;
Liang Lei
;
Li Zhensong
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Low temperature co-fired ceramic;
filter;
micromachining;
substrate integrated waveguide;
terahertz;
vacuum microelectronics;
93.
Design and implementation of a modified high performance and low power CIC interpolation filter
机译:
改进的高性能和低功耗CIC插值滤波器的设计与实现
作者:
Liu Xiaopeng
;
Han Yan
;
Liang Guo
;
Wang Mingyu
;
Liao Lu
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
cascaded integral comb (CIC) interpolation filter;
interpolator;
low power;
poly-phase decomposition;
94.
Analysis and architecture design of block matching in BM3D image denoising
机译:
BM3D图像去噪中块匹配的分析与架构设计
作者:
Chen Hongming
;
Liu Wenjiang
;
Liu Taizhi
;
Cheng Yuhua
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
BM3D;
Image denoising;
SSD tree;
pipeline stage;
slip window;
95.
Reliability analysis of weak signal detection based on Duffing oscillator
机译:
基于Duffing振荡器的弱信号检测可靠性分析
作者:
Chen Xinguo
;
Yang Xiaofei
;
Wang Jieyun
;
Han Weiwei
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
96.
Effects of non-uniform grains distribution of the intrinsic n-channel polycrystalline silicon TFTs
机译:
非均匀晶粒分布的效果固有N沟道多晶硅TFT
作者:
Ren Yicheng
;
Han Dedong
;
Sun Lei
;
Du Gang
;
Zhang Shengdong
;
Liu Xiaoyan
;
Wang Yi
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
TFT;
density of states;
intrinsic;
non-uniformity;
polysilicon;
silicon;
97.
Comparison of multiple-polysilicon-nanowire pH-sensors coated with different ALD-deposited high-k dielectric materials
机译:
涂有不同ALD沉积的高k介电材料的多多晶硅纳米线PH传感器的比较
作者:
Hsu Po-Yen
;
Wu Chun-Yu
;
Cheng Huang-Chung
;
Wu You-Lin
;
Chang Wei-Tzu
;
Shen Yuan-Lin
;
Chang Che-Ming
;
Wang Chia-Chung
;
Lin Jing-Jenn
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Atomic-layer-deposition;
FIB-processed C-AFM tip;
high-k dielectric materials;
multiple polysilicon nanowires;
pH sensor;
98.
Design of SiGe HBT UWB low noise amplifier employing broadband noise canceling
机译:
采用宽带噪声取消的SiGe HBT UWB低噪声放大器设计
作者:
Ding Chunbao
;
Zhang Wanrong
;
Xie Hongyun
;
Chen Liang
;
Shen Pei
;
Zhang Donghui
;
Liu Boyu
;
Zhou Yongqiang
;
Guo Zhengjie
;
Lu Zhiyi
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
Low noise amplifier;
Noise canceling;
SiGe heterojunction bipolar transistor;
99.
A novel structure of high voltage SOI device with Composite Dielectric buried layer
机译:
具有复合电介质覆盖层的高压SOI装置的新颖结构
作者:
Fan Jie
;
Luo Xiaorong
;
Zhang Bo
;
Li Zhaoji
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2011年
关键词:
SOI;
breakdown voltage;
composite dielectric;
self-heating effect;
100.
The Future of Computing is Mobile
机译:
计算的未来是移动的
作者:
Nick Yu Vice
会议名称:
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2013年
关键词:
CPU;
GPU;
GPS;
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