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European Conference on Silicon Carbide & Related Materials
European Conference on Silicon Carbide & Related Materials
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1.
Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during SiC solution growth
机译:
在SiC溶液生长期间,通过癌症对生长表面碰撞引入的基底平面脱位
作者:
T. Hori
;
K. Murayama
;
S. Harada
;
S. Xiao
;
M. Tagawa
;
T. Ujihara
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Crystals;
Face;
Surface morphology;
Surface topography;
Morphology;
Graphite;
2.
Degradation of 600-V 4H-SiC Schottky diodes under irradiation with 0.9 MeV electrons
机译:
用0.9meV电子照射下600V 4H-SiC肖特基二极管的降解
作者:
A. A. Lebedev
;
K. S. Davydovskaya
;
V. V. Kozlovski
;
O. Korolkov
;
N. Sleptsuk
;
J. Toompuu
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Schottky diodes;
Radiation effects;
Degradation;
Resistance;
Silicon;
P-i-n diodes;
3.
Thermo-mechanical reliability and performance degradation of a lead-free RF power amplifier with GaN-on-SiC HEMTs
机译:
具有GaN-On-SiC HEMTS的无铅RF功率放大器的热机械可靠性和性能下降
作者:
J. Lang
;
I. Belov
;
J. Hellén
;
J.-K. Lim
;
B. Schodt
;
T. Nilsson
;
R. Poder
;
M. Bakowski
;
P. Leisner
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Radio frequency;
Power amplifiers;
HEMTs;
MODFETs;
Reliability;
Gallium nitride;
Thermomechanical processes;
4.
3.3 kV 4H-SiC DMOSFET with highly reliable gate insulator and body diode
机译:
3.3 KV 4H-SIC DMOSFET,具有高度可靠的栅极绝缘体和体二极管
作者:
A. Shima
;
H. Shimizu
;
Y. Mori
;
M. Sagawa
;
K. Konishi
;
R. Fujita
;
T. Ishigaki
;
N. Tega
;
K. Kobayashi
;
S. Sato
;
Y. Shimamoto
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Insulators;
Silicon carbide;
MOSFET;
Semiconductor device reliability;
Doping;
5.
Quantitative investigation of near interface traps in 4H-SiC MOSFETs via drain current deep level transient spectroscopy
机译:
通过漏极电流深层瞬态光谱法测量4H-SIC MOSFET近接口陷阱的定量研究
作者:
M. Hauck
;
J. Weisse
;
J. Lehmeyer
;
G. Pobegen
;
H. B. Weber
;
M. Krieger
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Hall effect;
Current measurement;
Transient analysis;
Atmospheric measurements;
Nitrogen;
Pulse measurements;
6.
Formation of D-center in p-type 4H-SiC epi-layers during high temperature treatments
机译:
在高温处理期间P型4H-SiC缺陷层的D-Centre的形成
作者:
H. M. Ayedh
;
N. Iwamoto
;
R. Nipoti
;
A. Hallén
;
B.G. Svensson
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Ion implantation;
Photonic band gap;
Silicon;
Annealing;
Silicon carbide;
Capacitance-voltage characteristics;
7.
Study of etching processes for SiC defect analysis
机译:
SIC缺陷分析蚀刻工艺的研究
作者:
P. Wu
;
X. Xu
;
I. Zwieback
;
J. Hostetler
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Etching;
Silicon carbide;
Temperature measurement;
Stacking;
Crystals;
Nitrogen;
Face;
8.
Switching SiC devices faster and more efficient using a DBC mounted terminal decoupling Si-RC element
机译:
使用DBC安装的终端解耦Si-RC元件,更快更高,更高效地切换SIC器件
作者:
S. Matlok
;
T. Erlbacher
;
F. Krach
;
B. Eckardt
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Switches;
Silicon carbide;
Multichip modules;
Silicon;
Inductance;
Damping;
Capacitance;
9.
Non-contact photo-assisted charge-based characterization of dielectric interfaces in SiC: Evidence of slow states
机译:
基于非联系人的SIC介质接口的基于光辅助电荷的表征:慢态的证据
作者:
Alexandre Savtchouk
;
Marshall Wilson
;
Jacek Lagowski
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Dielectrics;
Interface states;
Silicon;
Corona;
Fabrication;
Lighting;
10.
Very high sustainable forward current densities on 4H-SiC p-n junctions formed by VLS localized epitaxy of heavily Al-doped p++ emitters
机译:
由VLS局部外延形成的4H-SiC P-N结的非常高的可持续前进电流密度,其掺杂的P ++发射器的局部外延
作者:
S. Sejil
;
L. Lalouat
;
M. Lazar
;
D. Carole
;
C. Brylinski
;
F. Jomard
;
D. Planson
;
G. Ferro
;
C. Raynaud
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Doping;
Epitaxial growth;
Current density;
P-n junctions;
Silicon carbide;
Ohmic contacts;
PIN photodiodes;
11.
Resolving the discrepancy between observed and calculated penetration depths in grazing incidence X-ray topography of 4H-SiC wafers
机译:
解决4H-SiC晶片的涂覆发生率X射线地形中观察和计算的渗透深度之间的差异
作者:
Yu Yang
;
Jianqiu Guo
;
Balaji Raghothamachar
;
Michael Dudley
;
Gill Chung
;
Edward Sanchez
;
Ian Manning
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Crystals;
Surfaces;
X-ray diffraction;
Diffraction;
Geometry;
Absorption;
Synchrotrons;
12.
Combined N2O and phosphorus passivations for the 4H-SiC/SiO2 interface with oxide grown at 1400°C
机译:
与1400℃的氧化物生长的4H-SiC / SiO2界面的N2O和磷钝化组合
作者:
Hua Rong
;
Yogesh Sharma
;
Philip Mawby
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Passivation;
Phosphorus;
Oxidation;
MOSFET;
MOS capacitors;
Annealing;
Fabrication;
13.
An investigation into the impact of surface passivation techniques using metal-semiconductor interfaces
机译:
使用金属半导体界面对表面钝化技术影响的研究
作者:
Y. Bonyadi
;
P. M. Gammon
;
Y. K. Sharma
;
G. Baker
;
P. A. Mawby
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Passivation;
Schottky barriers;
Schottky diodes;
Carbon;
Capacitance-voltage characteristics;
14.
SiC power devices in impedance source converters
机译:
阻抗源转换器中的SIC电源器件
作者:
Jacek Rabkowski
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Impedance;
Switching frequency;
Inverters;
Inductors;
MOSFET;
15.
Comparison of thermal stress during short-circuit in different types of 1.2 kV SiC transistors based on experiments and simulations
机译:
基于实验和仿真的不同类型1.2 kV SiC晶体管短路热应力的比较
作者:
Diane-Perle Sadik
;
Jang-Kwon Lim
;
Juan Colmenares
;
Mietek Bakowski
;
Hans-Peter Nee
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
JFETs;
MOSFET;
Junctions;
Performance evaluation;
Temperature distribution;
16.
Salicide-like process for the formation of gate and source contacts in 4H-SiC TSI-VJFETs
机译:
类似于4H-SiC TSI-VJFET的栅极和源触点的母滑的方法
作者:
Antonios Stavrinidis
;
George Konstantinidis
;
Konstantinos Vamvoukakis
;
Konstantinos Zekentes
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Lithography;
Metals;
Silicides;
JFETs;
Fabrication;
Silicon carbide;
17.
Elementary screw and mixed-type dislocations in 4H-SiC characterized by X-ray topography taken with six equivalent 11–28 g-vectors and a comparison to etch pit evaluation
机译:
4H-SIC中的基本螺钉和混合型脱位,其特征在于X射线地形,X射线地形采用六当量11-28g - 载体和蚀刻坑评估的比较
作者:
Y. Yao
;
Y. Ishikawa
;
Y. Sugawara
;
Y. Takahashi
;
K. Hirano
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Chemicals;
Etching;
Degradation;
Fasteners;
Silicon carbide;
Ceramics;
18.
Universal parameter evaluating SiO2/SiC interface quality based on scanning nonlinear dielectric microscopy
机译:
基于扫描非线性介电显微镜的通用参数评估SiO2 / SiC界面质量
作者:
Norimichi Chinone
;
Alpana Nayak
;
Ryoji Kosugi
;
Yasunori Tanaka
;
Shinsuke Harada
;
Yuji Kiuchi
;
Hajime Okumura
;
Yasuo Cho
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Semiconductor device measurement;
Dielectrics;
Microscopy;
Dielectric measurement;
Fabrication;
Silicon carbide;
Conductivity measurement;
19.
Enhanced-oxidation and interface modification on 4H-SiC(0001) substrate using Alkaline earth metal
机译:
使用碱土金属的4H-SiC(0001)衬底的增强氧化和界面改性
作者:
Kosuke Muraoka
;
Hiroshi Sezaki
;
Seiji Ishikawa
;
Tomonori Maeda
;
Tadashi Sato
;
Takamaro Kikkawa
;
Shin-Ichiro Kuroki
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Barium;
Silicon carbide;
MOSFET;
Substrates;
MOS capacitors;
Oxidation;
20.
4H-SiC PIN diode as high temperature multifunction sensor
机译:
4H-SIC引脚二极管作为高温多功能传感器
作者:
Shuoben Hou
;
Per-Erik Hellstr?m
;
Carl-Mikael Zetterling
;
Mikael ?stling
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature sensors;
Semiconductor diodes;
PIN photodiodes;
Optical sensors;
Plasma temperature;
Metals;
21.
Photoluminescence characterization of carrier recombination centers in 4H-SiC substrates by utilizing below gap excitation
机译:
通过低于间隙激发,在4H-SiC基材中的光致发光表征载体重组中心
作者:
K. Kondo
;
N. Kamata
;
H. Yaguchi
;
S. Yagi
;
T. Fukuda
;
Z. Honda
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Photoluminescence;
Substrates;
Silicon carbide;
Image edge detection;
Wavelength measurement;
Crystals;
22.
Low resistance Ti-Si-C ohmic contacts for 4H-SiC power devices using laser annealing
机译:
使用激光退火的低电阻Ti-Si-C欧姆触点4H-SiC电源装置
作者:
Milantha De Silva
;
Teruhisa Kawasaki
;
Takamaro Kikkawa
;
Shin-Ichiro Kuroki
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Annealing;
Silicon carbide;
Ohmic contacts;
Silicides;
Electrodes;
Carbon;
Nickel;
23.
High-quality 100/150 mm p-type 4H-SiC epitaxial wafer for high-voltage bipolar devices
机译:
高压100/150毫米P型4H-SIC外延晶片,用于高压双极器件
作者:
Naoto Ishibashi
;
Keisuke Fukada
;
Akira Bandoh
;
Kenji Momose
;
Hiroshi Osawa
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Epitaxial growth;
Doping;
Chemical vapor deposition;
Nonhomogeneous media;
Substrates;
Surface treatment;
Insulated gate bipolar transistors;
24.
Al+ ion implanted 4H-SiC vertical p+-i-n diodes: Processing dependence of leakage currents and OCVD carrier lifetimes
机译:
Al +离子植入4H-SiC垂直P + -I-N二极管:处理泄漏电流和OCVD载体寿命的依赖性
作者:
R. Nipoti
;
M. Puzzanghera
;
G. Sozzi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Annealing;
P-i-n diodes;
Charge carrier lifetime;
Leakage currents;
Ions;
Voltage measurement;
Ion implantation;
25.
4.5 kV SiC Junction Barrier Schottky diodes with low leakage current and high forward current density
机译:
4.5 kV SiC结屏障肖特基二极管,具有低漏电流和高前进电流密度
作者:
J. Schoeck
;
J. Buettner
;
M. Rommel
;
T. Erlbacher
;
A. J. Bauer
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Schottky diodes;
Junctions;
Silicon carbide;
Leakage currents;
Current density;
Voltage measurement;
26.
The effect of interfacial charge on the development of wafer bonded silicon-on-silicon-carbide power devices
机译:
界面电荷对晶片粘合硅 - 碳化硅电力装置发展的影响
作者:
P. M. Gammon
;
F. Li
;
C. W. Chan
;
A. Sanchez
;
S. Hindmarsh
;
F. Gity
;
T. Trajkovic
;
V. Kilchytska
;
V. Pathirana
;
G. Camuso
;
K. Ben Ali
;
D. Flandre
;
P. A. Mawby
;
J. W. Gardner
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Silicon carbide;
Substrates;
Performance evaluation;
Transistors;
Schottky diodes;
Physics;
27.
Physical characterisation of 3C-SiC(001)/SiO2 interface using XPS
机译:
使用XPS的3C-SiC(001)/ SiO2接口的物理特征
作者:
F. Li
;
O. Vavasour
;
M. Walker
;
D.M. Martin
;
Y. Sharma
;
S. Russell
;
M. Jennings
;
A. Pérez-Tomás
;
P.A. Mawby
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Oxidation;
Silicon;
MOSFET;
Annealing;
Logic gates;
Threshold voltage;
Substrates;
28.
Investigation of carrot reduction effect on 4H-silicon carbide epitaxial wafers with optimized buffer layer
机译:
用优化缓冲层对4H-碳化硅外延晶片的胡萝卜减少效应研究
作者:
Y. Mabuchi
;
T. Masuda
;
D. Muto
;
K. Momose
;
H. Osawa
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Epitaxial growth;
Silicon carbide;
Buffer layers;
MOSFET;
Substrates;
Surface morphology;
Morphology;
29.
Thermal and lattice misfit stress relaxation in growing AIN crystal with simultaneous evaporation of SiC substrate
机译:
热和格子在生长AIN晶体中产生压力松弛,同时蒸发SiC衬底
作者:
T. S. Argunova
;
M. Yu. Gutkin
;
K. D. Shcherbachev
;
S. S. Nagalyuk
;
O. P. Kazarova
;
E. N. Mokhov
;
J. H. Je
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Aluminum nitride;
III-V semiconductor materials;
Substrates;
Silicon carbide;
Crystals;
Gallium nitride;
Stress;
30.
Prediction of high-density and high-mobility two-dimensional electron gas at AlxGa1?xN/4H-SiC interface
机译:
ALXGA1 XN / 4H-SIC界面在ALXGA1的高密度和高迁移率二维电子气体预测
作者:
Zhanwei Shen
;
Feng Zhang
;
Sima Dimitrijev
;
Jisheng Han
;
Lixin Tian
;
Guoguo Yan
;
Zhengxin Wen
;
Wanshun Zhao
;
Lei Wang
;
Xingfang Liu
;
Guosheng Sun
;
Yiping Zeng
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Scattering;
Silicon carbide;
Mathematical model;
Photonic band gap;
Nanotechnology;
31.
SEM and ECC imaging study of step-bunched structure on 4H-SiC epitaxial layers
机译:
SEM和ECC成像研究在4H-SIC外延层上的阶梯结构
作者:
Yuki Tabuchi
;
Masashi Sonoda
;
Koji Ashida
;
Tadaaki Kaneko
;
Noboru Ohtani
;
Masakazu Katsuno
;
Shinya Sato
;
Hiroshi Tsuge
;
Tatsuo Fujimoto
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Surface morphology;
Epitaxial layers;
Silicon carbide;
Scanning electron microscopy;
Substrates;
32.
Functional oxide as an extreme high-k dielectric towards 4H-SiC MOSFET incorporation
机译:
朝向4H-SiC MOSFET掺入的功能氧化物作为极端高k电介质
作者:
Stephen A. O. Russell
;
Michael R. Jennings
;
Tianxiang Dai
;
Fan Li
;
Dean P. Hamilton
;
Craig A. Fisher
;
Yogesh K. Sharma
;
Philip A. Mawby
;
Amador Pérez-Tomás
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Aluminum oxide;
Silicon carbide;
High K dielectric materials;
Dielectrics;
MOSFET;
Buffer layers;
Fans;
33.
Demonstration of 13-kV class junction barrier Schottky diodes in 4H-SiC with three-zone junction termination extension
机译:
三区结终止延伸,4H-SIC中13 kV类结障肖特基二极管的演示
作者:
Hidenori Kitai
;
Yasuo Hozumi
;
Hiromu Shiomi
;
Masaki Furumai
;
Kazuhiko Omote
;
Kenji Fukuda
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Schottky diodes;
Junctions;
Silicon carbide;
PIN photodiodes;
Silicon;
Computational modeling;
Predictive models;
34.
High frequency power supply with 3.3 kV SiC-MOSFETs for accelerator application
机译:
具有3.3 kV SiC-MOSFET的高频电源,用于加速器应用
作者:
Katsuya Okamura
;
Ken Takayama
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Switches;
Prototypes;
Resistors;
Power supplies;
MOSFET;
Acceleration;
Performance evaluation;
35.
Investigation on wet etching 4H-SiC damaged by ion implantation
机译:
离子植入湿蚀刻4H-SIC的研究
作者:
Sophie Guillemin
;
Romain Esteve
;
Christian Heidom
;
Gerald Unegg
;
Gerald Reinwald
;
Marcella Hartl
;
Daniel Kueck
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Wet etching;
Silicon carbide;
Ions;
Scanning electron microscopy;
Ion implantation;
36.
High temperature bipolar master-slave comparator and frequency divider in 4H-SiC technology
机译:
4H-SIC技术的高温双极主机比较器和分频器
作者:
Raheleh Hedayati
;
Luigia Lanni
;
Muhammad Shakir
;
Arash Salemi
;
Carl-Mikael Zetterling
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Frequency conversion;
Master-slave;
Temperature sensors;
CMOS integrated circuits;
Junctions;
37.
Investigation of the surface morphology and stacking fault nucleation on the (000-1)C facet of heavily nitrogen-doped 4H-SiC boules
机译:
氮掺杂4H-SiC槽(000-1)C面对(000-1)C面的表面形态和堆垛机成核的研究
作者:
Kohei Ohtomo
;
Nana Matsumoto
;
Koji Ashida
;
Tadaaki Kaneko
;
Noboru Ohtani
;
Masakazu Katsuno
;
Shinya Sato
;
Hiroshi Tsuge
;
Tatsuo Fujimoto
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Stacking;
Crystals;
Nitrogen;
Surface morphology;
Morphology;
Decision support systems;
Silicon carbide;
38.
Optimization of 4H-SiC photodiodes as selective UV sensors
机译:
优化4H-SIC光电二极管作为选择性UV传感器
作者:
Christian D. Matthus
;
Alex Burenkov
;
Tobias Erlbacher
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Photodiodes;
Numerical models;
Optimization;
Numerical simulation;
Doping profiles;
Sensor systems;
39.
Growth and temperature-depending Raman characterization of different nitrogen-doped 4H-SiC crystals
机译:
增长和温度取决于不同氮掺杂的4H-SiC晶体的拉曼表征
作者:
X. L. Yang
;
X. F. Chen
;
Y. Peng
;
X. J. Xie
;
X. B. Hu
;
X. G. Xu
;
P. Yu
;
R. P. Wang
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Nitrogen;
Crystals;
Silicon carbide;
Temperature;
Temperature dependence;
Current measurement;
40.
Micro-Raman scattering study of strain fields in homo-epitaxial layer on nitrogen-doped 4H-SiC substrate
机译:
氮掺杂4H-SiC衬底同源外延层中应变场的微拉曼散射研究
作者:
Daisuke Fukunaga
;
Noboru Ohtani
;
Masakazu Katsuno
;
Shinya Sato
;
Hiroshi Tsuge
;
Tatsuo Fujimoto
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Substrates;
Strain;
Nitrogen;
Epitaxial growth;
Epitaxial layers;
Stress;
Surface treatment;
41.
Two-dimensional imaging of trap distribution in SiO2/SiC interface using local deep level transient spectroscopy based on super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy
机译:
基于超高级扫描非线性介电显微镜的局部深层瞬态光谱,SiO2 / SiC界面中陷阱分布的二维成像
作者:
Norimichi Chinone
;
Ryoji Kosugi
;
Yasunori Tanaka
;
Shinsuke Harada
;
Hajime Okumura
;
Yasuo Cho
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Microscopy;
Dielectrics;
Transient analysis;
Spectroscopy;
Semiconductor device measurement;
Electron traps;
42.
The effect of charge redistribution on flat-band voltage turnaround in 4H-SiC MOS capacitors
机译:
电荷再分配对4H-SIC MOS电容器平带电压旋转的影响
作者:
Hamid Amini Moghadam
;
Sima Dimitrijev
;
Jisheng Han
;
Daniel Haasmann
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOS capacitors;
Threshold voltage;
Logic gates;
MOSFET;
Australia;
Voltage measurement;
Temperature measurement;
43.
Design and simulation of 4H-SiC MESFET ultraviolet photodetector with gain
机译:
具有增益的4H-SIC MESFET紫外光探测器的设计与仿真
作者:
Yun Bai
;
Chengzhan Li
;
Huajun Shen
;
Chengyue Yang
;
Yidan Tang
;
Xinyu Liu
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
MESFETs;
Detectors;
Photodetectors;
Logic gates;
Microelectronics;
Doping;
Photoconductivity;
44.
Correlation between local strain distribution and microstructure of grinding-induced damage layers in 4H-SiC(0001)
机译:
4H-SiC磨削诱导损伤层局部应变分布与微观结构的相关性(0001)
作者:
Susumu Tsukimoto
;
Tatsuhiko Ise
;
Genta Maruyama
;
Satoshi Hashimoto
;
Tsuguo Sakurada
;
Junji Senzaki
;
Tomohisa Kato
;
Kazutoshi Kojima
;
Hajime Okumura
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Strain;
Microstructure;
Backscatter;
Diffraction;
Surface treatment;
Silicon carbide;
Lattices;
45.
DLTS study on Al+ ion implanted and 1950°C annealed p-i-n 4H-SiC vertical diodes
机译:
DLTS研究Al +离子植入和1950°C退火P-I-N 4H-SiC垂直二极管
作者:
H. M. Ayedh
;
M. Puzzanghera
;
B. G. Svensson
;
R. Nipoti
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Annealing;
P-i-n diodes;
Silicon carbide;
Electron traps;
Ions;
Ion implantation;
Transient analysis;
46.
Implementation of 4H-SiC pin-diodes as nearly linear temperature sensors up to 800 K towards SiC multi-sensor integration
机译:
实现4H-SiC引脚二极管,作为几乎线性的温度传感器,高达800 k朝向SiC多传感器集成
作者:
Christian D. Matthus
;
Tobias Erlbacher
;
Bernhard Sch?fer
;
Anton J. Bauer
;
Lothar Frey
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Temperature sensors;
Semiconductor device measurement;
Semiconductor diodes;
Sensitivity;
Current density;
Voltage measurement;
47.
A method to adjust polycrystalline silicon carbide etching rate profile by chlorine trifluoride gas
机译:
用三氟化氯调节多晶硅碳化硅蚀刻速率谱的方法
作者:
Ken Nakagomi
;
Shogo Okuyama
;
Hitoshi Habuka
;
Yoshinao Takahashi
;
Tomohisa Kato
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Etching;
Silicon carbide;
Chlorine;
Substrates;
Ions;
48.
Density functional theory on NV center in 4H SiC
机译:
4H SIC中NV中心的密度功能理论
作者:
András Csóré
;
ádám Gali
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Diamond;
Biomedical optical imaging;
Optical polarization;
Density functional theory;
Quantum computing;
Stationary state;
49.
Electrical stability impact of gate oxide in channel implanted SiC NMOS and PMOS transistors
机译:
栅极氧化物在植入式SiC NMOS和PMOS晶体管中的电稳定性撞击
作者:
M. I. Idris
;
M. H. Weng
;
H.-K. Chan
;
A. E. Murphy
;
D. A. Smith
;
R. A. R. Young
;
E. P. Ramsay
;
D. T. Clark
;
N. G. Wright
;
A. B. Horsfall
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Performance evaluation;
Logic gates;
Interface states;
Stability analysis;
50.
4H-SiC pseudo-CMOS logic inverters for harsh environment electronics
机译:
用于苛刻环境电子产品的4H-SIC伪CMOS逻辑逆变器
作者:
S-I. Kuroki
;
T. Kurose
;
H. Nagatsuma
;
S. Ishikawa
;
T. Maeda
;
H. Sezaki
;
T. Kikkawa
;
T. Makino
;
T. Ohshima
;
M. ?stling
;
C.-M. Zetterling
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Pulse inverters;
MOSFET circuits;
MOS devices;
Integrated circuits;
Logic gates;
51.
4H-SiC trench structure fabrication with Al2O3 etching mask
机译:
4H-SIC沟槽结构用AL2O3蚀刻面罩制造
作者:
T. Dai
;
Z. Mohammadi
;
S. A. O. Russell
;
C. A. Fisher
;
M. R. Jennings
;
P. A. Mawby
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Aluminum oxide;
MOSFET;
Nickel;
Fabrication;
Silicon carbide;
Dry etching;
52.
Depth-resolved carrier lifetime measurements in 4H-SiC epilayers monitoring carbon vacancy elimination
机译:
在4H-SIC脱节剂监测碳空位消除中的深度分辨载波寿命测量
作者:
Augustinas Galeckas
;
Hussein M. Ayedh
;
J. Peder Bergman
;
Bengt G. Svensson
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Charge carrier lifetime;
Carbon;
Epitaxial layers;
Monitoring;
Limiting;
Temperature measurement;
Annealing;
53.
0.97 mΩcm2/820 V 4H-SiC super junction V-groove trench MOSFET
机译:
0.97MΩCM2/ 820 V 4H-SIC超结V槽沟MOSFET
作者:
T. Masuda
;
R. Kosugi
;
T. Hiyoshi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Face;
Doping;
Resistance;
Junctions;
Logic gates;
Semiconductor device reliability;
54.
Observation of basal plane dislocation in 4H-SiC wafer by mirror projection electron microscopy and low-energy SEM
机译:
镜投影电子显微镜和低能量SEM在4H-SiC晶片中的基础平面位错观察
作者:
Toshiyuki Isshiki
;
Masaki Hasegawa
;
Yoshihisa Orai
;
Atsushi Miyaki
;
Takahiro Sato
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Scanning electron microscopy;
Surface morphology;
Silicon carbide;
Mirrors;
Surface charging;
55.
Comparative evaluation of commercial 1200 V SiC power MOSFETs using diagnostic I-V characterization at cryogenic temperatures
机译:
使用诊断I-V在低温温度下使用诊断I-V鉴别的商业1200V SiC功率MOSFER的比较评价
作者:
Sauvik Chowdhury
;
Collin W. Hitchcock
;
T. Paul Chow
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Silicon carbide;
Silicon;
Temperature;
Cryogenics;
Logic gates;
Capacitance;
56.
Challenges on drive circuit design for series-connected SiC power transistors
机译:
串联SIC电源晶体管驱动电路设计挑战
作者:
Peftitsis Dimosthenis
;
Rabkowski Jacek
;
Nee Hans-Peter
;
Undeland Tore
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Transistors;
Power transistors;
Power systems;
Logic gates;
Switching circuits;
Fabrication;
57.
Improved 4H-SiC N-MOSFET interface passivation by combining N2O oxidation with Boron diffusion
机译:
通过将N2O氧化与硼扩散相结合,改善了4H-SiC N-MOSFET接口钝化
作者:
M. Cabello
;
V. Soler
;
N. Mestres
;
J. Montserrat
;
J. Rebollo
;
J. Millan
;
P. Godignon
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Boron;
MOSFET;
Oxidation;
Silicon carbide;
MOSFET circuits;
Passivation;
58.
On electrons mobility in heavily nitrogen doped 4H-SiC
机译:
关于掺杂4H-SiC的电子氮气中的电子移动性
作者:
Konstantin V. Vasilevskiy
;
Sandip K. Roy
;
Neal Wood
;
Alton B. Horsfall
;
Nick G. Wright
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Nitrogen;
Electron mobility;
Temperature measurement;
Crystals;
Ion implantation;
Epitaxial layers;
Conductivity;
59.
Ni-Al-Ti ohmic contacts on Al implanted 4H-SiC
机译:
Ni-Al-Ti Ohmic接触inal植入4h-sic
作者:
P. Fedeli
;
M. Puzzanghera
;
F. Moscatelli
;
R. A. Minamisawa
;
G. Alfieri
;
U. Grossner
;
R. Nipoti
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Alloying;
Ohmic contacts;
Contact resistance;
Nickel;
Films;
Temperature measurement;
60.
Detection of crystal defects in high doped epitaxial layers and substrates by photoluminescence
机译:
通过光致发光检测高掺杂外延层和基材中的晶体缺陷
作者:
Hrishikesh Das
;
Swapna Sunkari
;
Hans Naas
;
Martin Domeij
;
Andrei Konstantinov
;
Fredrik Allerstam
;
Thomas Neyer
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Epitaxial layers;
Substrates;
Photoluminescence;
Buffer layers;
Grain boundaries;
Fasteners;
61.
CVD growth of graphene on SiC (0001): Influence of substrate offcut
机译:
石墨烯的CVD生长SiC(0001):基板摘机的影响
作者:
Roy Dagher
;
Benoit Jouault
;
Matthieu Paillet
;
Maxime Bayle
;
Luan Nguyen
;
Marc Portail
;
Marcin Zielinski
;
Thierry Chassagne
;
Yvon Cordier
;
Adrien Michon
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Graphene;
Substrates;
Silicon carbide;
Buffer layers;
Silicon;
Strain;
Atmosphere;
62.
150mm Silicon carbide selective embedded epitaxial growth technology by CVD
机译:
CVD 150mm碳化硅选择性嵌入式外延生长技术
作者:
Kazukuni Hara
;
Hiroaki Fujibayashi
;
Yuuichi Takeuchi
;
Shoichiro Omae
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Epitaxial growth;
Silicon carbide;
MOSFET;
Doping;
Junctions;
Performance evaluation;
63.
Investigation of direct water photoelectrolysis process using III-N structures
机译:
用III-N结构调查直接水光电解过程
作者:
Alexander Usikov
;
Alexey Nikiforov
;
Oleg Khait
;
Oleg Medvedev
;
Ivan Ermakov
;
Boris Papchenko
;
Mike Puzyk
;
Andrei Antipov
;
Iosif Barash
;
Sergey Kurin
;
Alexander Roenkov
;
Heikki Helava
;
Yuri Makarov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Corrosion;
Electrodes;
Photonic crystals;
Electrochemical processes;
Gallium nitride;
Semiconductor device measurement;
Hydrogen;
64.
Detection of crystallographic defects in 3C-SiC by micro-Raman and micro-PL analysis
机译:
微拉曼和微平移分析检测3C-SiC中的晶体缺陷
作者:
Grazia Litrico
;
Nicolò Piluso
;
Francesco La Via
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Charge carrier density;
Laser modes;
Optical films;
Optical scattering;
Phonons;
Laser excitation;
65.
A built-in high temperature half-bridge power module with low stray inductance and low thermal resistance for in-wheel motor application
机译:
内置高温半桥电源模块,具有低流浪电感和用于轮内电机的低热电阻
作者:
Tatsuhiro Suzuki
;
Mari Yamashita
;
Tetsuya Mori
;
Sawa Araki
;
Satoshi Tanimoto
;
Shota Iizuka
;
Yuuta Niitsuma
;
Kan Akatsu
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Multichip modules;
Inductance;
Thermal resistance;
Substrates;
Inverters;
Temperature measurement;
66.
10+ kV implantation-free 4H-SiC PiN diodes
机译:
10+ kV植入无4H-SiC引脚二极管
作者:
Arash Salemi
;
Hossein Elahipanah
;
Carl-Mikael Zetterling
;
Mikael ?stling
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
PIN photodiodes;
Junctions;
Conductivity;
Voltage measurement;
Current measurement;
Silicon carbide;
Ion implantation;
67.
Improved switching characteristics obtained by using high-k dielectric layers in 4H-SiC IGBT: Physics-based simulation
机译:
通过在4H-SiC IGBT中使用高k电介质层获得的改进改进的开关特性:基于物理的仿真
作者:
Vidya Naidu
;
Sivaprasad Kotamraju
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Dielectrics;
Insulated gate bipolar transistors;
High K dielectric materials;
Hafnium compounds;
Electric fields;
Switches;
68.
Three dimensional dislocation analysis of threading mixed dislocation using multi directional scanning transmission electron microscopy
机译:
多向扫描透射电子显微镜用微型扫描混合脱位的三维脱位分析
作者:
Takahiro Sato
;
Yuya Suzuki
;
Hiroyuki Ito
;
Toshiyuki Isshiki
;
Kuniyasu Nakamura
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Scanning electron microscopy;
Surface morphology;
Transmission electron microscopy;
Surface treatment;
Power electronics;
69.
An electrical and physical study of crystal damage in high-dose Al- and N-implanted 4H-SiC
机译:
高剂量Al-和N-植入的4H-SiC晶体损伤的电气和物理研究
作者:
C. A. Fisher
;
R. Esteve
;
S. Doering
;
M. Roesner
;
M. De Biasio
;
M. Kraft
;
W. Schustereder
;
R. Rupp
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Annealing;
Temperature;
Crystals;
Resistance;
Silicon carbide;
Implants;
Plasma temperature;
70.
Analysis of thin thermal oxides on (0001) SiC epitaxial layers
机译:
(0001)SiC外延层上的薄耐热氧化物分析
作者:
Judith Woerle
;
Massimo Camarda
;
Christof W. Schneider
;
Hans Sigg
;
Ulrike Grossner
;
Jens Gobrecht
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Oxidation;
Silicon carbide;
Thermal analysis;
Thermal conductivity;
Epitaxial layers;
Interface states;
Capacitance measurement;
71.
Silicon carbide radiation detectors for medical applications
机译:
用于医疗应用的碳化硅辐射探测器
作者:
N. S. Mohamed
;
M. I. Idris
;
N. G. Wright
;
A. B. Horsfall
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Sensitivity;
Schottky diodes;
Linearity;
Voltage measurement;
Medical services;
Biomedical equipment;
Temperature measurement;
72.
Experimentally observed electrical durability of 4H-SiC JFET ICs operating from 500 °C to 700 °C
机译:
实验观察到4H-SiC JFET IC的电耐用性从500°C工作到700°C
作者:
Philip G. Neudeck
;
David J. Spry
;
Liangyu Chen
;
Dorothy Lukco
;
Carl W. Chang
;
Glenn M. Beheim
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Integrated circuits;
JFETs;
Testing;
NASA;
Metals;
Packaging;
Junctions;
73.
Effect of annealing on the characteristics of Ti/Al ohmic contacts to p-Type 4H-SiC
机译:
退火对Ti / Al欧姆触点特性的影响,P型4H-SiC
作者:
Tang Yi-Dan
;
Shen Hua-Jun
;
Zhang Xu-Fang
;
Guo Fei Bai Yun
;
Peng Zhao-Yang
;
Liu Xin-Yu
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Ohmic contacts;
Silicon carbide;
Annealing;
X-ray scattering;
Temperature measurement;
Microstructure;
Metals;
74.
A study on 3C-SiC carbonization on misoriented Si substrates: From research to production scale reactors
机译:
错于Si基材的3C-SiC碳化研究:从生产尺度反应器的研究
作者:
M. Bos
;
C. Ferrari
;
D. Nilsson
;
P. J. Ward
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Substrates;
Silicon;
Inductors;
Heating;
Production;
Silicon carbide;
Performance evaluation;
75.
Collector conductivity modulation in 1200-V 4H-SiC BJTs (Modeling)
机译:
1200V 4H-SIC BJT(建模)中的集电极电导率调制
作者:
P. A. Ivanov
;
V. S. Yuferev
;
M. E. Levinshtein
;
Jon Q. Zhang
;
J. W. Palmour
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Resistance;
Modulation;
Junctions;
Transistors;
Conductivity;
Switching circuits;
76.
Influence of growth temperature on site competition effects during chemical vapor deposition of 4H-SiC layers
机译:
4H-SIC层化学气相沉积过程中生长温度对现场竞争影响的影响
作者:
Marcin Zielinski
;
Thierry Chassagne
;
Roxana Arvinte
;
Adrien Michon
;
Marc Portail
;
Sylvie Contreras
;
Sandrine Juillaguet
;
Hervé Peyre
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Films;
Silicon carbide;
Carbon;
Nitrogen;
Chemical vapor deposition;
Doping;
Surface treatment;
77.
Negative bias temperature instability on subthreshold swing of SiC MOSFET
机译:
SiC MOSFET亚阈值摆动上的负偏置温度不稳定性
作者:
Cheng-Tyng Yen
;
Hsiang-Ting Hung
;
Chien-Chung Hung
;
Lurng-Shehng Lee
;
Chwan-Ying Lee
;
Yao-Feng Huang
;
Fu-Jen Hsu
;
Tzong-Liang Chen
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Charge carrier processes;
Interface states;
Logic gates;
Negative bias temperature instability;
Threshold voltage;
78.
Low density of near-interface traps at the AI2O3/4H-SIC interface with Al2O3 made by low temperature oxidation of Al
机译:
通过低温氧化Al2O3的AI2O3 / 4H-SiC接口处的低密度的近界面陷阱。
作者:
Rabia Y. Khosa
;
Einar ?. Sveinbj?msson
;
Michael Winters
;
Jawad ul Hassan
;
Robin Karhu
;
Erik Janzén
;
Niklas Rorsman
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Aluminum oxide;
Oxidation;
Films;
Logic gates;
Dielectrics;
MOS devices;
Hafnium compounds;
79.
Simulation study of switching-dependent device parameters of high voltage 4H-SiC GTOs
机译:
高压4H-SIC GTOS切换依赖性设备参数的仿真研究
作者:
Aderinto Ogunniyi
;
James Schr?ck
;
Miguel Hinojosa
;
Heather OBrien
;
Aivars Lelis
;
Stephen Bayne
;
Sei-Hyung Ryu
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Logic gates;
Switches;
Thyristors;
Current density;
Performance evaluation;
Substrates;
80.
Effect of neutron irradiation on epitaxial 4H-SiC PiN UV-photodiodes
机译:
中子辐射对外延4H-SiC栓紫外光二极管的影响
作者:
A. V. Afanasyev
;
V. A. Ilyin
;
V. V. Luchinin
;
S. A. Reshanov
;
A. Sch?ner
;
K. A. Sergushichev
;
A. A. Smimov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Neutrons;
Radiation effects;
Resistance;
Degradation;
Silicon carbide;
Pins;
Nonhomogeneous media;
81.
Properties of SiO2/4H-SiC interfaces with an oxide deposited by a high-temperature process
机译:
高温工艺沉积氧化物的SiO2 / 4H-SiC界面的性质
作者:
Marilena Vivona
;
Patrick Fiorenza
;
Ferdinando Iucolano
;
Andrea Severino
;
Simona Lorenti
;
Fabrizio Roccaforte
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Interface states;
Temperature;
MOS capacitors;
Nitrogen;
Annealing;
Silicon carbide;
82.
Design and fabrication of 1400V 4H-SiC accumulation mode MOSFETs (ACCUFETs)
机译:
1400V 4H-SIC累积模式MOSFET(ACCUFET)的设计和制造
作者:
Woongje Sung
;
B. J. Baliga
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Fabrication;
Threshold voltage;
MOSFET;
Silicon carbide;
Doping;
Structural rings;
Nanoscale devices;
83.
Dislocation revelation and categorization for thick free-standing GaN substrates grown by HVPE
机译:
HVPE生长的粗立式GaN基材的错位启示和分类
作者:
Y. Yao
;
Y. Ishikawa
;
Y. Sugawara
;
D. Yokoe
;
M. Sudo
;
N. Okada
;
K. Tadatomo
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Etching;
Geometry;
Substrates;
Transmission electron microscopy;
Correlation;
84.
Cryogenic characterisation and modelling of commercial SiC MOSFETs
机译:
商业SIC MOSFET的低温表征和建模
作者:
L. J. Woodend
;
P. M. Gammon
;
V. A. Shah
;
A. Pérez-Tomás
;
F. Li
;
D. P. Hamilton
;
M. Myronov
;
P. A. Mawby
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature;
Silicon carbide;
MOSFET;
Cryogenics;
Temperature dependence;
Threshold voltage;
85.
Numerical study of energy capability of Si/SiC LDMOSFETs
机译:
Si / SiC LDMOSFET能量能力的数值研究
作者:
C. W. Chan
;
F. Li
;
P. A. Mawby
;
P. M. Gammon
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Silicon carbide;
Silicon-on-insulator;
Substrates;
Resistance;
Heating;
Integrated circuit modeling;
86.
Suppression of the forward degradation in 4H-SiC PiN diodes by employing a recombination-enhanced buffer layer
机译:
通过采用重组增强缓冲层抑制4H-SiC引脚二极管的前向降解
作者:
Takeshi Tawara
;
Tetsuya Miyazawa
;
Mina Ryo
;
Masaki Miyazato
;
Takumi Fujimoto
;
Kensuke Takenaka
;
Shinichiro Matsunaga
;
Masaaki Miyajima
;
Akihiro Otsuki
;
Yoshiyuki Yonezawa
;
Tomohisa Kato
;
Hajime Okumura
;
Tsunenobu Kimoto
;
Hidekazu Tsuchida
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Degradation;
Buffer layers;
PIN photodiodes;
Charge carrier lifetime;
Stacking;
MOSFET;
Power systems;
87.
The effect of incomplete ionization on SiC devices during high speed switching
机译:
高速切换过程中不完全电离对SIC器件的影响
作者:
Kohei Ebihara
;
Kotaro Kawahara
;
Hiroshi Watanabe
;
Shuhei Nakata
;
Satoshi Yamakawa
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Ionization;
Silicon;
Switches;
MOSFET;
Semiconductor process modeling;
Rail transportation;
88.
Switching analysis for all-SiC module
机译:
全版本模块的切换分析
作者:
Shinji Sato
;
Hidekazu Tanisawa
;
Kenichi Koui
;
Hiroki Takahashi
;
Yoshinori Murakami
;
Fumiki Kato
;
Kinuyo Watanabe
;
Hiroshi Sato
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Multichip modules;
Silicon carbide;
Switches;
Analytical models;
Capacitance;
Switching loss;
Gallium nitride;
89.
Reduction of dislocation density of SiC crystals grown on seeds after H2 etching
机译:
H2蚀刻后种子上生长的SiC晶体脱位密度的降低
作者:
Xiufang Chen
;
Fusheng Zhang
;
Xianglong Yang
;
Yan Peng
;
Xuejian Xie
;
Tian Li
;
Xiaobo Hu
;
Xiangang Xu
;
Guanglei Li
;
Ruiqi Wang
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Crystals;
Silicon carbide;
Etching;
Surface morphology;
Thermal stability;
Morphology;
90.
Conductance signal from near-interface traps in n-type 4H-SiC MOS capacitors under strong accumulation
机译:
在强累积下,来自N型4H-SIC MOS电容器近接口陷阱的电导信号
作者:
R. Y. Khosa
;
E. ?. Sveinbj?rnsson
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOS capacitors;
Electron traps;
Sodium;
Tunneling;
Silicon carbide;
Temperature measurement;
Capacitance-voltage characteristics;
91.
On deep level transient spectroscopy of extended defects in n-Type 4H-SiC
机译:
在N型4H-SIC中延长缺陷的深层瞬态光谱
作者:
J. Weber
;
H. B. Weber
;
M. Krieger
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Capacitance-voltage characteristics;
Semiconductor device measurement;
Schottky barriers;
Transient analysis;
Spectroscopy;
Stacking;
Filling;
92.
Exploration of bulk and epitaxy defects in 4H-SiC using large scale optical characterization
机译:
使用大规模光学表征的4H-SIC批量和外延缺陷的探讨
作者:
R. T. Leonard
;
M. J. Paisley
;
S. Bubel
;
J. J. Sumakeris
;
A. R. Powell
;
Y. Khlebnikov
;
J. C. Seaman
;
J. Ambati
;
A. A. Burk
;
M. J. OLoughlin
;
E. Balkas
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Epitaxial growth;
Substrates;
Crystals;
Message systems;
Fasteners;
Silicon carbide;
Semiconductor process modeling;
93.
New efficient canal of THz emission from SiC natural superlattices in conditions of Wannier-Stark localization
机译:
Wannier-Stark定位条件下的SIC自然超晶格的新高效运河
作者:
V. I. Sankin
;
A. V. Andrianov
;
A. G. Petrov
;
S. S. Nagalyuk
;
P. P. Shkrebiy
;
A. O. Zacharin
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Oscillators;
Superlattices;
Silicon carbide;
Electric fields;
Electroluminescence;
Electromagnetic radiation;
Irrigation;
94.
1200V SiC Trench-MOSFET optimized for high reliability and high performance
机译:
1200V SIC Trench-MOSFET优化,可用于高可靠性和高性能
作者:
D. Peters
;
T. Aichinger
;
T. Basler
;
W. Bergner
;
D. Kueck
;
R. Esteve
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Reliability;
Silicon carbide;
Junctions;
Temperature distribution;
95.
Comprehensive and detailed study on the modeling of commercial SiC power MOSFET devices using TCAD
机译:
使用TCAD的商用SIC电源MOSFET器件建模的综合详细研究
作者:
Johanna Müting
;
Bhagyalakshmi Kakarla
;
Ulrike Grossner
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Scattering;
Mathematical model;
Semiconductor device modeling;
Silicon carbide;
MOSFET;
Rough surfaces;
Surface roughness;
96.
Oxidation effect for the carbon related defect formation in SiC/SiO2 interface by first principles calculation
机译:
第一个原理计算,SiC / SiO2接口中碳相关缺陷形成的氧化效应
作者:
Kenta Chokawa
;
Kenji Shiraishi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Oxidation;
Carbon;
MOSFET;
Electron traps;
Thermal engineering;
Energy states;
97.
1200 V SiC IE-UMOSFET with low on-resistance and high threshold voltage
机译:
1200 V SIC IE-UMOSFET,具有低导通电阻和高阈值电压
作者:
S. Harada
;
Y. Kobayashi
;
A. Kinoshita
;
N. Ohse
;
T. Kojima
;
M. Iwaya
;
H. Shiomi
;
H. Kitai
;
S. Kyogoku
;
K. Ariyoshi
;
Y. Onishi
;
H. Kimura
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Silicon carbide;
MOSFET;
Threshold voltage;
JFETs;
Resistance;
Epitaxial growth;
98.
Effect of neutron irradiation on SiC etching in KOH melt
机译:
中子辐射对酸值熔体SiC蚀刻的影响
作者:
E. N. Mokhov
;
O. P. Kazarova
;
S. S. Nagalyuk
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Etching;
Radiation effects;
Crystals;
Neutrons;
Annealing;
Chemicals;
99.
Analysis self-healing of gate leakage current due to oxide traps to improve reliability of gate electrode
机译:
氧化疏水阀由于氧化物疏水阀的分析自愈,提高栅电极可靠性
作者:
S. Sato
;
H. Shimizu
;
A. Shima
;
Y. Shimamoto
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Oxidation;
Reliability;
Silicon carbide;
Substrates;
Leakage currents;
Electrodes;
100.
Bulk growth of low resistivity n-type 4H-SiC using co-doping
机译:
低电阻率N型4H-SIC的散装生长使用共掺杂
作者:
H. Suo
;
K. Eto
;
T. Kato
;
K. Kojima
;
H. Osawa
;
H. Okumura
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Conductivity;
Substrates;
Crystals;
Nitrogen;
Stacking;
Aluminum;
Epitaxial growth;
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