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Modern Electronic Materials
Modern Electronic Materials
中文名称:现代电子材料
ISSN:
出版周期:
-
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1.
Stress topology within silicon single-crystal cantilever beam
机译:
单晶硅悬臂梁内的应力拓扑
作者:
Alexander P. Kuzmenko
;
Dmitrii I. Timakov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第2期
2.
SnSe
2
island films investigation
机译:
SnSe
2 ce:inf>岛屿电影调查
作者:
Oleg I. Rabinovich
;
Asker R. Kushhov
;
Dahir S. Gaev
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第3期
3.
Object–relational architecture of information support of the multi-circuit calculation multilayer semiconductor nanostructures
机译:
多电路计算多层半导体纳米结构信息支持的对象关系结构
作者:
Karina K. Abgaryan
;
Polina A. Sechenykh
;
Irina A. Supryadkina
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第2期
4.
Magnetic structural effect (MSE) in epitaxial films of cerium oxide and lanthanum zirconate
机译:
氧化铈和锆酸镧外延膜的磁结构效应(MSE)
作者:
Fatima Kh. Chibirova
;
Galina V. Kotina
;
Elena A. Bovina
;
Alla V. Klochikhina
;
Gzhemma V. Tarasova
;
Vladimir R. Khalilov
;
Andrei A. Polysan
;
Yurii N. Parkhomenko
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第2期
5.
Structure, phase composition and mechanical properties of ZrO
2
partially stabilized with Y
2
O
3
机译:
ZrO的结构,相组成和力学性能
2 ce:粗体> ce:inf>
用Y部分稳定化 ce:粗体>
2 ce:粗体> ce:inf>
O ce:粗体>
3 ce:粗体> ce:inf>
作者:
Mikhail A. Borik
;
Vladimir T. Bublik
;
Mariya Yu. Vilkova
;
Alexey V. Kulebyakin
;
Elena E. Lomonova
;
Philipp O. Milovich
;
Valentina A. Myzina
;
Polina A. Ryabockina
;
Nataliya Yu. Tabachkova
;
Sergey N. Ushakov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第1期
6.
Influence of the
ab-initio
calculation parameters on prediction of energy of point defects in silicon
机译:
ab-initio ce:italic>计算参数对硅中点缺陷能量预测的影响
作者:
Mariya G. Ganchenkova
;
Irina A. Supryadkina
;
Karine K. Abgaryan
;
Dmitriy I. Bazhanov
;
Ilya V. Mutigullin
;
Vladimir A. Borodin
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第4期
7.
Study of structural and dimensional characteristics of the melt spun
p
-Bi
0.5
Sb
1.5
Te
3
powders compacted by vacuum hot pressing and spark plasma sintering
机译:
熔融纺丝
p ce:italic> -Bi
0.5 ce:inf> Sb
1.5 ce:inf> Te
3 ce:inf>通过真空热压和火花等离子烧结压实的粉末
作者:
Andrei A. Melnikov
;
Vladimir G. Kostishin
;
Sergey A. Kichik
;
Vladimir V. Alenkov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第4期
8.
The effect of additives on the properties of bismuth Mn–Zn ferrite
机译:
添加剂对铋锰锌铁氧体性能的影响
作者:
Irina I. Kaneva
;
Vladimir G. Kostishin
;
Valerii G. Andreev
;
Aleksei N. Nikolaev
;
Evgeniya I. Volkova
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第3期
9.
Study of degradation of photovoltaic cells based on A
3
B
5
nanoheterostructures under ionizing radiation
机译:
电离辐射下基于A
3 ce:sup> B
5 ce:sup>纳米异质结构的光伏电池降解研究
作者:
Marina N. Orlova
;
Sergey Yu. Yurchuk
;
Sergey I. Didenko
;
Konstantin I. Tapero
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第2期
10.
Properties of Si quantum dot/SiO
x
porous film structures synthesized using hydrogen fluoride technology
机译:
利用氟化氢技术合成的Si量子点/ SiO
x ce:inf> ce:italic>多孔膜结构的性质
作者:
Viktor A. Dan’ko
;
Sergei O. Zlobin
;
Ivan Z. Indutnyi
;
Igor P. Lisovskyy
;
Vladimir G. Litovchenko
;
Ekaterina V. Mikhailovskaya
;
Petr E. Shepelyavyi
;
Evgeniya V. Begun
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第1期
11.
Distribution of D1 dislocation luminescence centers in Si
+
-implanted silicon and the photoluminescence model
机译:
Si
+ ce:sup>注入的硅中D1位错发光中心的分布及光致发光模型
作者:
Sergeyi N. Nagornykh
;
Vladimir I. Pavlenkov
;
David I. Tetelbaum
;
Aleksey N. Mikhaiylov
;
Aleksey I. Belov
;
Dmitry S. Korolev
;
Andrey N. Shushunov
;
Aleksandr I. Bobrov
;
Dmitry A. Pavlov
;
Elena I. Shek
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第2期
12.
Method of separate determination of high-ohmic sample resistance and contact resistance
机译:
分别确定高欧姆样品电阻和接触电阻的方法
作者:
Vadim A. Golubiatnikov
;
Fedor I. Grigor’ev
;
Aleksandr P. Lysenko
;
Natal?ya I. Strogankova
;
Mukhamed B. Shadov
;
Aleksandr G. Belov
;
Vladimir E. Kanevsky
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第3期
13.
Carbon nanostructures reduced from graphite oxide as electrode materials for supercapacitors
机译:
氧化石墨还原的碳纳米结构作为超级电容器的电极材料
作者:
Yurii M. Shulga
;
Natalya Yu. Shulga
;
Yurii N. Parkhomenko
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第1期
14.
Research of morphology and structure of 3C–SiC thin films on silicon by electron microscopy and X-ray diffractometry
机译:
电子显微镜和X射线衍射法研究硅上3C-SiC薄膜的形貌和结构
作者:
Alexander S. Gusev
;
Sergei M. Ryndya
;
Andrei V. Zenkevich
;
Nikolai I. Kargin
;
Dmitrii V. Averyanov
;
Maksim M. Grekhov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第4期
15.
Metal–carbon nanocomposites based on pyrolysed polyacrylonitrile
机译:
基于热解聚丙烯腈的金属-碳纳米复合材料
作者:
Irina A. Zaporotskova
;
Lev V. Kozhitov
;
Nikita A. Anikeev
;
Olesya A. Davletova
;
Alena V. Popkova
;
Dmitrii G. Muratov
;
Egor V. Yakushko
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第2期
16.
Mathematical modeling of point defect cluster formation in silicon based on molecular dynamic approach
机译:
基于分子动力学方法的硅中点缺陷簇形成的数学建模
作者:
Karine K. Abgaryan
;
Olga V. Volodina
;
Sergey I. Uvarov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第3期
17.
The polymer–polymorphoid nature of glass aging process
机译:
玻璃老化过程的聚合物-多晶型物性质
作者:
Victor S. Minaev
;
Nikolai M. Parfenov
;
Sergey P. Timoshenkov
;
Victor V. Kalugin
;
Ludmila P. Batyunya
;
Damir Zh. Mukimov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第4期
18.
Trimethyl(phenyl)silane — a precursor for gas phase processes of SiC
x
:H film deposition: Synthesis and characterization
机译:
三甲基(苯基)硅烷-SiC气相工艺的前体
x ce:italic> ce:inf>:H膜沉积:合成与表征
作者:
Evgeniya N. Ermakova
;
Sergey V. Sysoev
;
Lyubov’ D. Nikulina
;
Irina P. Tsyrendorzhieva
;
Vladimir I. Rakhlin
;
Marina L. Kosinova
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第4期
19.
Acoustic properties of La
3
Ga
5.3
Ta
0.5
Al
0.2
O
14
crystal
机译:
La
3 ce:inf> Ga
5.3 ce:inf> Ta
0.5 ce:inf> Al
0.2 ce:inf> O
14 ce:inf>晶体
作者:
Dmitry V. Roshchupkin
;
Dmitry V. Irzhak
;
Eugeny V. Emelin
;
Sergei A. Sakharov
;
Alexey N. Zabelin
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第1期
20.
Tilt boundary formation in GeSi/Si (001) vicinal heterosystem
机译:
GeSi / Si(001)邻域异质系统中的倾斜边界形成
作者:
Aleksei V. Kolesnikov
;
Evgenii M. Trukhanov
;
Aleksandr S. Ilin
;
Ivan D. Loshkarev
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第1期
21.
Peculiarities of electronic structure of silicon-on-insulator structures and their interaction with synchrotron radiation
机译:
绝缘体上硅结构的电子结构的特殊性及其与同步辐射的相互作用
作者:
Vladimir A. Terekhov
;
Dmitrii N. Nesterov
;
Evelina P. Domashevskaya
;
Sergey Yu. Turishchev
;
Gennadii N. Kamaev
;
Aleksandr Kh. Antonenko
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第3期
22.
Problems of reliability of electronic components
机译:
电子元件的可靠性问题
作者:
Vyacheslav A. Kharchenko
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2015年第3期
23.
Study of structure and surface morphology of two-layer contact Ti/Al metallization
机译:
两层接触式Ti / Al金属化层的结构和表面形态研究
作者:
Kirill D. Vanyukhin
;
Roman V. Zakharchenko
;
Nikolay I. Kargin
;
Mikhail V. Pashkov
;
Lev A. Seidman
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第2期
24.
Investigation of CaMoO
4
single crystals with low residual absorption
机译:
具有低残留吸收的CaMoO
4 ce:inf>单晶的研究
作者:
Nina S. Kozlova
;
Oleg A. Buzanov
;
Marina B. Bykova
;
Evgeniya V. Zabelina
;
Vasily N. Kornoukhov
;
Anna P. Kozlova
;
Anastasiia G. Chernykh
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第2期
25.
Magnetoresistance of proton irradiated Si
0.97
Ge
0.03
whiskers
机译:
质子辐照Si的磁致电阻
0.97 ce:inf> Ge
0.03 ce:inf>晶须
作者:
Nadezhda T. Pavlovskaya
;
Petr G. Litovchenko
;
Yuriy O. Ugrin
;
Yuriy V. Pavlovskyy
;
Igor P. Ostrovskii
;
Krzysztof Rogacki
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第3期
26.
Nitride HEMTs vs arsenides: The ultimate battle?
机译:
氮化物HEMT与砷化物:终极战斗?
作者:
Yuri V. Fedorov
;
Sergey V. Mikhaylovich
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第1期
27.
Ge distribution in Si
0.9
Ge
0.1
alloy ingot grown from thin melt layer
机译:
从薄熔体层生长的Si
0.9 ce:inf> Ge
0.1 ce:inf>合金锭中的Ge分布
作者:
Michael A. Gonik
;
Arne Cr?ll
;
Amalia Ch. Wagner
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第4期
28.
DLTS spectra of silicon diodes with
p
+
-
n
-junction irradiated with high energy krypton ions
机译:
p ce:italic>
+ ce:sup>-
n ce:italic>-结的硅二极管的DLTS光谱用高能k离子辐照
作者:
Nikolai A. Poklonski
;
Nikolay I. Gorbachuk
;
Sergey V. Shpakovski
;
Viktor A. Filipenia
;
Arkady S. Turtsevich
;
Sergey V. Shvedov
;
Nha Vo Quang
;
Nguyen Thi Thanh Binh
;
Vladimir A. Skuratov
;
Andreas D. Wieck
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第2期
29.
Study of the effect of passivation layers on capacitance of AlGaN/GaN heterostructures
机译:
钝化层对AlGaN / GaN异质结构电容的影响研究
作者:
Kira L. Enisherlova
;
Vladimir G. Goryachev
;
Tatyana F. Rusak
;
Semen A. Kapilin
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第4期
30.
Diagnostics of impurity composition of high-purity monosilane by results of the analysis of a test silicon single crystal
机译:
通过测试硅单晶的分析结果诊断高纯度甲硅烷的杂质组成
作者:
Vladimir A. Gavva
;
Anatolii V. Gusev
;
Tatiana V. Kotereva
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第4期
31.
The wave equation: From eikonal to anti-eikonal approximation
机译:
波动方程:从正向近似到反向近似
作者:
Luis Vázquez
;
Salvador Jiménez
;
Alexander B. Shvartsburg
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第2期
32.
Functional 2D nanomaterials for optoelectronics based on langmuir bacteriorhodopsin films
机译:
基于朗缪尔细菌视紫红质薄膜的光电功能二维纳米材料
作者:
Sergei I. Valyansky
;
Eugene K. Naimi
;
Lev V. Kozhitov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第3期
33.
Study of optimization options for second generation solar cell materials by multilevel modeling
机译:
多级建模研究第二代太阳能电池材料的优化方案
作者:
Dmitry N. Krasikov
;
Andrey A. Knizhnik
;
Alexey V. Gavrikov
;
Boris V. Potapkin
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第3期
34.
High resolution X-ray diffraction study of proton irradiated silicon crystals
机译:
质子辐照硅晶体的高分辨率X射线衍射研究
作者:
Igor S. Smirnov
;
Irina G. Dyachkova
;
Elena G. Novoselova
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第1期
35.
X-ray topographic study of defects in Si-based multilayer epitaxial power devices
机译:
硅基多层外延功率器件中缺陷的X射线形貌研究
作者:
Iren L. Shulpina
;
Vladimir A. Kozlov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第1期
36.
Doping optimization of solar grade (SOG) silicon ingots for increasing ingot yield and cell efficiency
机译:
太阳能级(SOG)硅锭的掺杂优化可提高锭的产量和电池效率
作者:
Azat A. Betekbaev
;
Bulat N. Mukashev
;
Laurent Pelissier
;
Philippe Lay
;
Gautier Fortin
;
Lotfi Bounaas
;
Danel M. Skakov
;
Artem A. Pavlov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第3期
37.
Pyro- and electromagnetic effects in ferrite/barium titanate composite
机译:
铁氧体/钛酸钡复合材料的热释和电磁效应
作者:
Andrey A. Pankov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第3期
38.
The effect of surface treatment in polyacrylic acid solution on the photoluminescent properties of porous silicon
机译:
聚丙烯酸溶液中表面处理对多孔硅光致发光性能的影响
作者:
Vladimir M. Kashkarov
;
Aleksandr S. Lenshin
;
Pavel V. Seredin
;
Dmitriy A. Minakov
;
Boris L. Agapov
;
Vladimir N. Tsipenyuk
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第4期
39.
Microwave assisted combustion synthesis and characterization of nickel ferrite nanoplatelets
机译:
微波辅助燃烧合成镍铁氧体纳米片及其表征
作者:
M. Venkatesh
;
G. Suresh Kumar
;
S. Viji
;
S. Karthi
;
E.K. Girija
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第3期
40.
Trends in the development of the epitaxial nitride compounds technology
机译:
外延氮化物化合物技术的发展趋势
作者:
Aleksei A. Arendarenko
;
Viktor A. Oreshkin
;
Yurii N. Sveshnikov
;
Igor N. Tsyplenkov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第2期
41.
The simulation of carbon material structure based on polyacrylonitrile obtained under IR heating
机译:
红外加热下基于聚丙烯腈的碳材料结构的模拟
作者:
Lev V. Kozhitov
;
Nguen Kh. V?et
;
Anna V. Kostikova
;
Irina V. Zaporotskova
;
Vladimir V. Kozlov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第1期
42.
Finely divided methylsilsesquioxane particles with SiO
4/2
fragments in structure
机译:
结构上具有SiO
4/2 ce:inf>碎片的细分的甲基倍半硅氧烷颗粒
作者:
Pavel A. Averichkin
;
Yuri B. Andrusov
;
Igor A. Denisov
;
Tursunbek B. Klychbaev
;
Yuri N. Parkhomenko
;
Natalia A. Smirnova
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第1期
43.
Oxygen and erbium distribution in diffusion doped silicon
机译:
扩散掺杂硅中的氧和分布
作者:
Mikhail N. Drozdov
;
Natalya V. Latukhina
;
Margarita V. Stepikhova
;
Valentina A. Pokoeva
;
Mikhail A. Surin
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第1期
44.
Magnetoresistive effect in nanosized strontium ferromolybdate with dielectric interlayers
机译:
介电层间纳米钼酸锶锶的磁阻效应
作者:
Marta V. Yarmolich
;
Nikolay A. Kalanda
;
Ivan А. Svito
;
Aliaksandr L. Zhaludkevich
;
Nikolai A. Sobolev
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第4期
45.
Research of acceptor impurity thermal activation in GaN:?Mg epitaxial layers
机译:
GaN:?Mg外延层中受主杂质热活化的研究
作者:
Aleksandr V. Mazalov
;
Damir R. Sabitov
;
Vladimir A. Kureshov
;
Anatoliy A. Padalitsa
;
Aleksandr A. Marmalyuk
;
Rauf Kh. Akchurin
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第2期
46.
Dielectric behavior of CaCu
3
Ti
4
O
12
: Poly Vinyl Chloride ceramic polymer composites at different temperature and frequencies
机译:
CaCu
3 ce:inf> Ti
4 ce:inf> O
12 ce:inf>:不同温度和频率下的聚氯乙烯陶瓷聚合物复合材料
作者:
Ajay Pratap Singh
;
Y.P. Singh
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第4期
47.
Formation of Ni/C based polyacrylonitrile nanocomposites under IR-radiation
机译:
Ni / C基聚丙烯腈纳米复合材料的红外辐射形成
作者:
Dmitriy G. Muratov
;
Egor V. Yakushko
;
Lev V. Kozhitov
;
Alena V. Popkova
;
M.A. Pushkarev
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第3期
48.
Carbon nanotubes: Sensor properties. A review
机译:
碳纳米管:传感器特性。回顾
作者:
Irina V. Zaporotskova
;
Natalia P. Boroznina
;
Yuri N. Parkhomenko
;
Lev V. Kozhitov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2016年第4期
49.
Anisotropy of mechanical properties and hardening mechanism in ZrO
2
–Y
2
O
3
solid solution crystals
机译:
ZrO
2 ce:inf> –Y
2 ce:inf> O
3 ce:inf>固溶体晶体
作者:
Mikhail А. Borik
;
Vasilij R. Borichevskij
;
Vladimir T. Bublik
;
Tatyana V. Volkova
;
Aleksej V. Kulebyakin
;
Elena E. Lomonova
;
Filipp O. Milovich
;
Valentina A. Myzina
;
Polina A. Ryabochkina
;
Sergei V. Seryakov
;
Nataliya Yu. Tabachkova
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第4期
50.
Buffer layers in heterostructures
机译:
异质结构中的缓冲层
作者:
Vyacheslav A. Kharchenko
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第4期
51.
Buffer layers in heterostructures
机译:
异质结构中的缓冲层
作者:
Vyacheslav A. Kharchenko
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第4期
52.
Non-local dispersion and ultrasonic tunneling in concentrationally graded solids
机译:
浓度梯度固体中的非局部分散和超声隧穿
作者:
Alexander B. Shvartsburg
;
Mikhail D. Malinkovich
;
Alexander M. Kislyuk
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第4期
53.
Influence of plastic formation parameters on structural characteristics of thermoelectric material during hot extrusion
机译:
热挤压过程中塑性参数对热电材料结构特性的影响
作者:
Anatoly I. Prostomolotov
;
Mikhail V. Mezhennyi
;
Nataliya A. Verezub
;
Mihail G. Lavrentev
;
Vladimir B. Osvenskii
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第4期
54.
Synthesis and dielectric properties of ferroelectric-ferrimagnetic PZT-SFMO composites
机译:
铁电-铁磁性PZT-SFMO复合材料的合成及介电性能
作者:
Alexander V. Petrov
;
Jan Macutkevic
;
Juras Banys
;
Nikolay A. Kalanda
;
Leonid I. Gurskii
;
Alexander V. Solnyshkin
;
Artyom O. Plyushch
;
Polina P. Kuzhir
;
Nikolai A. Sobolev
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第1期
55.
Structural, electrical and luminescent characteristics of ultraviolet light emitting structures grown by hydride vapor phase epitaxy
机译:
氢化物气相外延生长的紫外发光结构的结构,电学和发光特性
作者:
A.Y. Polyakov
;
Jin-Hyeon Yun
;
A.S. Usikov
;
E.B. Yakimov
;
N.B. Smirnov
;
K.D. Shcherbachev
;
H. Helava
;
Y.N. Makarov
;
S.Y. Kurin
;
N.M. Shmidt
;
O.I. Rabinovich
;
S.I. Didenko
;
S.A. Tarelkin
;
B.P. Papchenko
;
In-Hwan Lee
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第1期
56.
Conventional hydrothermal synthesis of titanate nanotubes: Systematic discussions on structural, optical, thermal and morphological properties
机译:
钛酸纳米管的常规水热合成:关于结构,光学,热和形态性质的系统讨论
作者:
S. Muniyappan
;
T. Solaiyammal
;
K. Sudhakar
;
A. Karthigeyan
;
P. Murugakoothan
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第4期
57.
Spectrophotometric determination of optical parameters of lithium niobate films
机译:
分光光度法测定铌酸锂薄膜的光学参数。
作者:
Nina S. Kozlova
;
Vladimir R. Shayapov
;
Evgeniya V. Zabelina
;
Anna P. Kozlova
;
Roman N. Zhukov
;
Dmitry A. Kiselev
;
Mikhail D. Malinkovich
;
Marina I. Voronova
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第3期
58.
Separate determination of the photoelectric parameters of
n
+
-
p
(
n
)-
p
+
silicon structure base region by noncontact method based on measurements of quantum efficiency relationships at two wavelengths
机译:
分别确定
n ce:italic>
+ ce:sup>-
p ce:italic>(
n ce:italic>)-
p ce:italic>
+ ce:sup>非接触硅结构基区基于在两个波长下的量子效率关系的测量
作者:
Oleg G. Koshelev
;
Nikita G. Vasiljev
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第3期
59.
Structural, morphological and dielectric studies of zirconium substituted CoFe
2
O
4
nanoparticles
机译:
锆取代的CoFe
2 ce:inf> O
4 ce:inf>纳米颗粒的结构,形态和介电研究
作者:
S. Anand
;
A. Persis Amaliya
;
M. Asisi Janifer
;
S. Pauline
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第4期
60.
Metallic nanofilms on single crystal silicon: Growth, properties and applications
机译:
单晶硅上的金属纳米膜:生长,性质和应用
作者:
Nikolay?I. Plusnin
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第2期
61.
Monte Carlo simulation for calculating the exchange couplings in Ca
2
Cr
N
O
6
(
N
= Mo, Re) double perovskites
机译:
蒙特卡罗模拟,用于计算Ca
2 ce:inf> Cr
N ce:italic> O
6 ce:inf>(
N ce:italic> = Mo,Re)双钙钛矿
作者:
O. El rhazouani
;
Y. Ziat
;
A. Benyoussef
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第3期
62.
Modified and improved Hummer's synthesis of graphene oxide for capacitors applications
机译:
改良和改进的悍马合成石墨烯用于电容器的应用
作者:
M. Sohail
;
M. Saleem
;
Sana Ullah
;
Noor Saeed
;
Ayesha Afridi
;
Majid Khan
;
M. Arif
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第3期
63.
Ionic conductivity in BC
3
type boron carbon nanolayers
机译:
BC
3 ce:inf>型硼碳纳米层中的离子电导率
作者:
Irina V. Zaporotskova
;
Sergey V. Boroznin
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第2期
64.
Impact of doping on the performance of p-type Be-doped Al
0.29
Ga
0.71
As Schottky diodes
机译:
掺杂对p型Be掺杂Al
0.29 ce:inf> Ga
0.71 ce:inf> As性能的影响肖特基二极管
作者:
Noorah A. Al-Ahmadi
;
Fadiah A. Ebrahim
;
Hala A. Al-Jawhari
;
Riaz H. Mari
;
Mohamed Henini
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第2期
65.
Quantum conductance staircase of holes in silicon nanosandwiches
机译:
纳米硅三明治中孔的量子电导阶梯
作者:
Nikolay T. Bagraev
;
V.S. Khromov
;
Leonid E. Klyachkin
;
Anna M. Malyarenko
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第1期
66.
Effect of SiC substrate properties on structural perfection and electrical parameters of AlGaN/GaN layers
机译:
SiC衬底性能对AlGaN / GaN层的结构完善和电参数的影响
作者:
Kira L. Enisherlova
;
Tatyana F. Rusak
;
Vyacheslav I. Korneev
;
Anna N. Zazulina
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第1期
67.
Current state and perspectives for organo-halide perovskite solar cells. Part 1. Crystal structures and thin film formation, morphology, processing, degradation, stability improvement by carbon nanotubes. A review
机译:
有机卤化物钙钛矿太阳能电池的现状和前景。第1部分。碳纳米管的晶体结构和薄膜形成,形态,加工,降解,稳定性提高。回顾
作者:
Nigmat Ashurov
;
Boris L. Oksengendler
;
Sergey Maksimov
;
Sayyora Rashiodva
;
Artur R. Ishteev
;
Danila S. Saranin
;
Igor N. Burmistrov
;
Denis V. Kuznetsov
;
Anvar A. Zakhisov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第1期
68.
The use of AES and EELS for complex analysis of two-dimensional coatings and their growth process
机译:
AES和EELS用于二维涂层及其生长过程的复杂分析
作者:
Nikolay I. Plusnin
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第4期
69.
Formation of cross-cutting structures with different porosity on thick silicon wafers
机译:
在厚硅片上形成具有不同孔隙率的横切结构
作者:
Vera A. Yuzova
;
Fedor F. Merkushev
;
Eugene A. Lyaykom
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第2期
70.
Structural properties of the formation of zinc-containing nanoparticles obtained by ion implantation in Si (001) and subsequent thermal annealing
机译:
通过在Si(001)中进行离子注入并随后进行热退火获得的含锌纳米颗粒形成的结构特性
作者:
Ksenia B. Eidelman
;
Nataliya Yu. Tabachkova
;
Kirill D. Shcherbachev
;
Yuri N. Parkhomenko
;
Vladimir V. Privesentsev
;
Denis M. Migunov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第3期
71.
Synthesis and characterization of Fe-doped ZnO thin films deposited by chemical spray pyrolysis
机译:
化学喷雾热解沉积Fe掺杂ZnO薄膜的合成与表征
作者:
T. Srinivasulu
;
K. Saritha
;
K.T. Ramakrishna Reddy
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第2期
72.
Elastically strained GeSiSn layers and GeSiSn islands in multilayered periodical structures
机译:
多层期刊结构中的弹性应变GeSiSn层和GeSiSn岛
作者:
Vyacheslav A. Timofeev
;
Alexandr I. Nikiforov
;
Artur R. Tuktamyshev
;
Aleksey A. Bloshkin
;
Vladimir I. Mashanov
;
Sergey A. Teys
;
Ivan D. Loshkarev
;
Natalia A. Baidakova
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第2期
73.
Electron paramagnetic resonance study of Ce doped partially stabilized ZrO
2
crystals
机译:
Ce掺杂的部分稳定ZrO
2 ce:inf>晶体的电子顺磁共振研究
作者:
Mikhail А. Borik
;
Rushana М. Eremina
;
Elena Е. Lomonova
;
Valentina А. Myzina
;
Vyacheslav V. Osiko
;
Ilshat I. Fazlizhanov
;
Vladimir A. Shustov
;
Ivan V. Yatsyk
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第3期
74.
Precipitated nickel doped ZnO nanoparticles with enhanced low temperature ethanol sensing properties
机译:
具有增强的低温乙醇感测性能的沉淀镍掺杂ZnO纳米粒子
作者:
Umadevi Godavarti
;
V.D. Mote
;
Madhavaprasad Dasari
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第4期
75.
Fabrication and study of sol-gel ZnO films for use in Si-based heterojunction photovoltaic devices
机译:
用于硅基异质结光伏器件的溶胶-凝胶氧化锌薄膜的制备和研究
作者:
Daniya Mukhamedshina
;
Konstantin Mit’
;
Nikolay Chuchvaga
;
Nurlan Tokmoldin
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第4期
76.
Study of silicon chip soldering in high-power transistor housing
机译:
高功率晶体管壳体硅芯片焊接研究
作者:
Vasily S. Anosov
;
Denis V. Gomzikov
;
Maxim I. Ichetovkin
;
Lev A. Seidman
;
Roman I. Tychkin
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2017年第3期
77.
Effect of sintering temperature on dielectric properties of barium titanate ceramics and composite
机译:
烧结温度对钛酸钡陶瓷和复合材料介电性能的影响
作者:
Olga V. Malyshkina
;
Gregory S. Shishkov
;
Andrey A. Martyanov
;
Alexandra I. Ivanova
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第4期
关键词:
piezoelectric ceramicsbarium titanatemagnetoelectric compositepermittivityCurie temperaturespontaneous polarizationpyroelectric effectpiezoelectric coefficient;
78.
Effect of growth conditions on the mechanical properties of lanthanum-gallium tantalate crystals
机译:
生长条件对镧 - 镓钽酸盐晶体力学性能的影响
作者:
Mark V. Weintraub
;
Nina S. Kozlova
;
Evgeniya V. Zabelina
;
Mikhail I. Petrzhik
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第2期
关键词:
langatatesingle crystalgrowth atmospheremechanical propertiesmicrohardness testinstrumental indentationmicrohardnesshardnesselastic moduluselastic recovery coefficientanisotropy;
79.
Europium monoxide as a basis for creating a high-temperature spin injector in the semiconductor spintronics
机译:
一氧化铕作为在半导体闪奖中创造高温旋转注射器的基础
作者:
Arnold S.?Borukhovich
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第3期
关键词:
compositeeuropium monoxidemagnetic semiconductormagnetizationspintronicsspin-polarized current transportsuper paramagnetizm;
80.
Enhancement of piezoelectric properties of lithium niobate thin films by different annealing parameters
机译:
不同退火参数增强铌酸锂薄膜的压电性能
作者:
Roman N. Zhukov
;
K.S. Kushnerev
;
Dmitry A. Kiselev
;
Tatiana S. Ilina
;
Ilya V. Kubasov
;
Alexander M. Kislyuk
;
Mikhail D. Malinkovich
;
Yuri N. Parkhomenko
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第2期
关键词:
Lithium niobaterf magnetron sputteringpost-growth heat treatmentscanning probe microscopypiezoelectric force microscopyhistogram of distribution of vertical and lateral piezoresponse;
81.
Heat capacity and thermodynamic functions of E-AlMgSi (Aldrey) aluminum conductor alloy doped with gallium
机译:
E-Almgsi(aldrey)铝导体合金掺杂镓的热容量和热力学功能
作者:
Izatullo N. Ganiev
;
Firdavs A. Aliev
;
Haydar O. Odinazoda
;
Ahror M. Safarov
;
Jamshed H. Jayloev
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第1期
关键词:
aluminumE-AlMgSi (Aldrey) alloygalliumheat capacityheat conductivity"cooling" modeenthalpyentropyGibbs energy;
82.
Technology of thermally stimulated diagnostics of anisotropy and optical axes in crystals
机译:
晶体中各向异性和光学轴的热刺激诊断技术
作者:
Viktor M. Timokhin
;
Vladimir M. Garmash
;
Valentin A. Tedzhetov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第4期
关键词:
diagnosticscrystalline materialsanisotropyoptical axisthermally stimulated currents;
83.
Basic approaches to simulation of resist mask formation in computational lithography
机译:
计算光刻中抗蚀剂掩模形成模拟的基本方法
作者:
Nikita N. Balan
;
Vladidmir V. Ivanov
;
Alexey K. Kuzovkov
;
Evgenia V. Sokolova
;
Evgeniy S. Shamin
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第1期
关键词:
photoresistprojection photolithographyVT5CM1k-means clustering method;
84.
Formation of hierarchical structures from functionalized multi-walled carbon nanotubes in aerosil containing solutions
机译:
从含溶液中官能化多壁碳纳米管的层次结构的形成
作者:
Alexander P. Kuzmenko
;
Thet Phyo Naing
;
Andrey E. Kuzko
;
Alexey V. Kochura
;
Myo Min Than
;
Nay Win Aung
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第1期
关键词:
self-organization and self-assemblystabilized multiwalled carbon nanotubessp 2-hybridizationπ- and σ-carbon bondscontrolled ordering of carbon nanotubes;
85.
Optimization of passivation in AlGaN/GaN heterostructure microwave transistor fabrication by ICP CVD
机译:
ICP CVD的Algan / GaN异质结构微波晶体管制造优化
作者:
Anastasia A. Sleptsova
;
Sergey V. Chernykh
;
Dmitry A. Podgorny
;
Ilya A. Zhilnikov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第2期
关键词:
silicon nitrideplasmachemical depositionICP CVDAlGaN/GaN HEMTpassivationcurrent-voltage curves;
86.
Aharonov–Bohm oscillations and equilibrium current distributions in open quantum dot and in ring interferometer
机译:
开放量子点和环干涉仪中的AHARONOV-BOHM振荡和平衡电流分布
作者:
Olga A. Tkachenko
;
Dmitry G. Baksheev
;
Vitaly A. Tkachenko
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第2期
关键词:
ballistic quantum dotring electron interferometerconductanceequilibrium currentmagnetic momentAharonov–Bohm oscillations;
87.
Effect of mechanical treatment type on the strength of undoped single crystal indium antimonide wafers
机译:
机械处理类型对未掺杂的单晶铟锑晶片强度的影响
作者:
Svetlana S. Kormilitsina
;
Elena V. Molodtsova
;
Stanislav N. Knyzev
;
Roman Yu. Kozlov
;
Dmitry A. Zavrazhin
;
Elena V. Zharikova
;
Yuri V. Syrov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第4期
关键词:
indium antimonideCzochralsky methodthin wafersyield strengthmechanical treatmentchemical polishingcrystallographic orientationwafer roughness;
88.
Investigation of the thermal parameters of an aluminum heater with nanoporous alumina
机译:
用纳米多孔氧化铝进行铝加热器热参数的研究
作者:
Ekaterina N. Muratova
;
Vyacheslav A. Moshnikov
;
Katsiaryna V. Chernyakova
;
Igor A. Vrublevsky
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第3期
关键词:
heateraluminumporous anodic aluminacarbon fiberthermal patternthermal imaging study;
89.
KVL and KCL verification by cotton conductive yarn resistor instead of carbon resistor fixation with Ag nanoparticles for sustainable e-textiles application
机译:
KVL和KCL通过棉花导电纱线电阻验证,代替碳电阻固定,用于可持续电子纺织品的AG纳米粒子
作者:
Redwanul Hasan
;
Minhazul Islam
;
Sazid Hossain
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第4期
关键词:
conductivesustainabilitynanoparticlesresistore-textile;
90.
Potential of using inert gas flows for controlling the quality of as-grown silicon single crystal
机译:
使用惰性气体流动来控制硅单晶质量的潜力
作者:
Tatyana V. Kritskaya
;
Vladimir N. Zhuravlev
;
Vladimir S. Berdnikov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第1期
关键词:
Czochralski methodsilicon meltsingle crystalargon gasmain flowadditional flowhomogeneityoxygencarbon.;
91.
Coupling effect in field Hall elements based on thin-film SOI MOS transistors
机译:
基于薄膜SOI MOS晶体管的场厅元素耦合效应
作者:
Aleksey V. Leonov
;
Victor N. Murashev
;
Dmitry N. Ivanov
;
V.D. Kirilov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第4期
关键词:
transistorsilicon on insulatorfield Hall sensorcharge couplingmagnetic field;
92.
Comparison between optical and electrophysical data on free electron concentration in tellurium doped n-GaAs
机译:
碲掺杂N-GaAs中自由电子浓度的光学和电神科数据的比较
作者:
Tatyana G. Yugova
;
Aleksandr G. Belov
;
Vladimir E. Kanevskii
;
Evgeniya I. Kladova
;
Stanislav N. Knyazev
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第3期
关键词:
gallium arsenideelectron concentrationHall effectreflection spectrumplasmon–phonon coupling;
93.
Effect of bismuth additions on the thermophysical and thermodynamical properties of E-AlMgSi (Aldrey) aluminum semiconductor alloy
机译:
铋添加对E-Almgsi(醛脂)铝半导体合金热物理性和热力学性能的影响
作者:
Izatullo N. Ganiev
;
Aslam P. Abulakov
;
Jamshed H. Jayloev
;
Umarali Sh. Yakubov
;
Amirsho G. Safarov
;
Vladimir Dz. Abulkhaev Abstract
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第3期
关键词:
E-AlMgSi (Aldrey) aluminum alloybismuthheat capacityheat conductivity"cooling" modeenthalpyentropyGibbs energy;
94.
Effect of surface charge self-organization on gate-induced 2D electron and hole systems
机译:
表面电荷自组织对栅极诱导的2D电子和孔系统的影响
作者:
Vitaly A. Tkachenko
;
Olga A. Tkachenko
;
Dmitry G. Baksheev
;
Oleg P. Sushkov
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第3期
关键词:
undoped structuresgate-induced 2D systemssurface chargedisorder freezing temperature;
95.
IR luminescence of CaGa2O4 : Yb3+ excited by 940 and 980 nm radiation
机译:
CAGA2O4的IR发光:YB3 +激发940和980nm辐射
作者:
Ul’ana A. Mar’ina
;
Viktor A. Vorob’ev
;
Alexandr P. Mar’in
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第1期
关键词:
luminophoresgallatesCaGa2O4rare-earth elementsYb3+;
96.
Photonic and Terahertz applications as the next gallium arsenide market driver
机译:
光子和太赫兹应用作为下一个砷化镓市场司机
作者:
Nikolay A. Kulchitsky
;
Arkady V. Naumov
;
Vadim V. Startsev
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第3期
关键词:
gallium arsenideCzochralski methodvertical directional crystallizationepitaxial GaAs wafersmarketpricesdemandconsumption;
97.
Mathematical modeling of thermal processes during 'cassette' crystallization of chalcogenides
机译:
硫芥子生成剂“盒式”结晶热处理的数学建模
作者:
Anatoly I. Prostomolotov
;
Nataliya A. Verezub
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第1期
关键词:
thermoelectricchalcogenidesdirectional crystallizationcassette methodmathematical modelingmeltheat exchangeheat radiationconvection;
98.
Electrical conductivity of YBa2Cu3O7-δ single crystals under conditions of anionic ordering in Cu(1)O1-δ layers
机译:
在Cu(1)O1-δ层中阴离子排序条件下YBA2Cu3O7-δ单晶的电导率
作者:
Nikolay A. Kalanda
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第2期
关键词:
high-temperature superconductivityYBa2Cu3O7-δ single crystalsoxygen non-stoichiometryelectrical conductivityorder parameter;
99.
Theoretical study of metal composite based on pyrolyzed polyacrylonitrile monolayer containing Fe-Co, Ni-Co and Fe-Ni metal atom pairs and silicon amorphizing admixture
机译:
基于含Fe-Co,Ni-Co和Fe-Ni金属原子对的热解聚丙烯腈单层的金属复合材料的理论研究及硅比形混合物
作者:
Irina V. Zaporotskova
;
Daniel P. Radchenko
;
Lev V. Kozhitov
;
Pavel A. Zaporotskov
;
Alena V. Popkova
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2020年第3期
关键词:
pyrolyzed polyacrylonitriletransition metalsmetal-carbon nanocompositesDFT;
100.
Scanning probe microscopic study of P(VDF-TrFE) based ferroelectric nanocomposites
机译:
基于P(VDF-TRFE)铁电纳米复合材料的扫描探针微观研究
作者:
Yulia S.Terekhova
;
Dmitry A.Kiselev
;
Alexander V.Solnyshkin
期刊名称:
《Modern Electronic Materials》
|
2021年第1期
关键词:
nanocompositesferroelectric polymerpiezoelectric propertiesscanning probe microscop;
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