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首页> 外文期刊>Physical Review, B. Condensed Matter >ELECTRONIC STRUCTURES, AND BAND OFFSETS OF HETEROCRYSTALLINE SUPERLATTICES (3C-ALN)(3N)/(2H-ALN)(2N) AND (3C-SIC)(3N)/(2H-SIC)(2N) (N=1,2,3)
【24h】

ELECTRONIC STRUCTURES, AND BAND OFFSETS OF HETEROCRYSTALLINE SUPERLATTICES (3C-ALN)(3N)/(2H-ALN)(2N) AND (3C-SIC)(3N)/(2H-SIC)(2N) (N=1,2,3)

机译：杂晶超晶格（3C-ALN）（3N）/（2H-ALN）（2N）和（3C-SIC）（3N）/（2H-SIC）（2N）的电子结构和能带偏移（N = 1,2 ，3）

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The electronic structures and the band offsets of heterocrystalline superlattices (3C-AlN)(3n)/(2H-AlN)(2n) and (3C-SiC)(3n)/(2H-SiC)(2n) (n = 1, 2, and 3) are studied by ab initio calculations. The results indicate that the band lineups at both (3C-SiC)I(2H-SiC) and (3C-AlN)/(2H-AlN) interfaces are of type-II with small valence-band offsets and large conduction band offsets. The effects of lattice relaxation on the band offsets of the (3C-AlN)/(2H-AlN) system are also investigated. It is found that the band gaps of the heterocrystalline superlattices decrease rapidly with the increase of the slab thickness. This abnormal band-gap behavior is shown to be related to the internal electric fields induced by the intrinsic spontaneous polarization of the 2H structures. [References: 14]
机译：杂晶超晶格（3C-AlN）（3n）/（2H-AlN）（2n）和（3C-SiC）（3n）/（2H-SiC）（2n）的电子结构和能带偏移（n = 1， 2和3）通过从头算来研究。结果表明（3C-SiC）I（2H-SiC）和（3C-AlN）/（2H-AlN）界面处的能带排列均为II型，价带偏移小，导带偏移大。还研究了晶格弛豫对（3C-AlN）/（2H-AlN）系统能带偏移的影响。发现随着平板厚度的增加，异晶超晶格的带隙迅速减小。该异常的带隙行为被证明与2H结构的固有自发极化引起的内部电场有关。 [参考：14]

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