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机译:金属化薄膜电容器与高压IGBT模块保持同步
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机译:高压短路测试中高压压装IGBT模块的鲁棒性评估
机译:基于金属溅射的石墨烯,其包含氧化锡/还原的石墨烯氧化物/ Ni作为高压电化学电容器的电极
机译:设计用于直流总线电压至3300VDC的金属化薄膜电容,以保持高压IGBT模块的步伐
机译:金属铁电半导体电容器中铌酸锂薄膜的电学特性。
机译:审查高压胶片电容器的技术和材料
机译:栅极 - 发射器预阈值电压作为EGBT芯片故障监控的Health敏感参数,在高压MultiChip IGBT电源模块中监控
机译:用于多芯片模块的薄膜去耦电容器