首页> 外文期刊>Photonics and Nanostructures: Fundamentals and Applications >SOI nanophotonic waveguide structures fabricated with deep UV lithography
【24h】

SOI nanophotonic waveguide structures fabricated with deep UV lithography

机译:深紫外光刻技术制备的SOI纳米光子波导结构

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

To reduce the dimensions of photonic integrated circuits, high-contrast wavelength-scale structures are needed. We developed a fabrication process for Silicon-on-insulator nanophotonics, based on standard CMOS processing techniques with deep UV lithography. Measurements using either end-fire incoupling or grating-based fibre couplers show photonic crystal waveguides with moderate propagation losses (7.5 dB/mm) and photonic wires with very low propagation losses (0.24 dB/mm).
机译:为了减小光子集成电路的尺寸,需要高对比度的波长尺度结构。我们基于具有深紫外光刻技术的标准CMOS处理技术,开发了绝缘体上硅纳米光子学的制造工艺。使用端射耦合或基于光栅的光纤耦合器进行的测量显示,光子晶体波导具有中等的传播损耗(7.5 dB / mm),光子线具有非常低的传播损耗(0.24 dB / mm)。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号