...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Progress in photovoltaics >Four-junction solar cells using-lattice-matched II-VI and III-V semiconductors
【24h】

Four-junction solar cells using-lattice-matched II-VI and III-V semiconductors

机译：使用晶格匹配的II-VI和III-V半导体的四结太阳能电池

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Four-junction solar cells are designed using lattice-matched II-VI (ZnCdSeTe) and III-V (AlGaAsSb) semiconductors grown on GaSb substrates. These materials have a zinc blende crystal structure, similar thermal expansion coefficients, and bandgaps that cover the entire solar spectrum. Numerical simulations of the energy conversion efficiencies of various designs for both the AMO and AM1.5D spectra are performed using published material parameters. These results indicate that the achievable 1 sun AMO efficiency is 43% for an optimal design and 40% for a more practical design; for comparison the ideal limit provided by Henry's model is 49%. While for the AM1.5D spectrum an optimal design can reach 46% under 1 sun and 55% under 1000 suns while a more practical design can reach 44 and 54%, respectively; for comparison Henry's model gives 51 and 62%, respectively.
机译：使用在GaSb衬底上生长的晶格匹配的II-VI（ZnCdSeTe）和III-V（AlGaAsSb）半导体设计四结太阳能电池。这些材料具有锌混合晶体结构，相似的热膨胀系数和覆盖整个太阳光谱的带隙。使用公布的材料参数对AMO和AM1.5D光谱进行各种设计的能量转换效率的数值模拟。这些结果表明，对于最佳设计，可实现的1 sun AMO效率为43％，对于更实际的设计，则为40％。为了进行比较，亨利模型提供的理想极限为49％。对于AM1.5D光谱，最佳设计可以在1个太阳下达到46％，在1000个太阳下达到55％，而更实际的设计可以分别达到44％和54％。为了进行比较，亨利的模型分别给出了51％和62％。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号