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【24h】

Organosilyl/-germyl polyoxotungstate hybrids for covalent grafting onto silicon surfaces: Towards molecular memories

机译：用于共价接枝到硅表面的有机甲硅烷基/锗甲基聚氧钨酸盐杂化物：走向分子记忆

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Organosilyl/-germyl polyoxo-tungstate hybrids [PW_9O _(34)(tBuSiO)_(3-) Ge(CH_2)_2CO _2H]~(3-) (1a), [PW_9O_(34)(tBu-SiO) _3Ge(CH_2)_2CONHCH_2C=CH]~(3-) (2a), [PW_(11)O_(39)Ge(CH_2)_2CO _2H]~(4-) (3a), and [PW_(11)O_(39)Ge(CH _2)_2CONHCH_2C ≡ CH]~(4-) (4a) have been prepared as tet-rabutylammonium salts and character-ized in solution by multinuclear NMR spectroscopy. The crystal structure of (NBu_4) _31a.H_2O has been determined and the electrochemical behavior of la and 2a has been investigated by cyclic voltammetry. Covalent grafting of 2 a onto an n-type silicon wafer has been achieved and the electrochemical be-havior of the grafted clusters has been investigated. This represents the first example of covalent grafting of Keggin-type clusters onto a Si surface and a step towards the realization of POM-based multilevel memory devi-ces.
机译：有机硅烷基/锗烷基多氧钨酸杂化物[PW_9O _（34）（tBuSiO）_（3-）Ge（CH_2）_2CO _2H]〜（3-）（1a），[PW_9O_（34）（tBu-SiO）_3Ge（ CH_2）_2CONHCH_2C = CH]〜（3-）（2a），[PW_（11）O_（39）Ge（CH_2）_2CO _2H]〜（4-）（3a）和[PW_（11）O_（39） Ge（CH _2）_2CONHCH_2C≡CH]〜（4-）（4a）已制备为叔丁基丁基铵盐，并通过多核NMR光谱法在溶液中表征。确定了（NBu_4）_31a.H_2O的晶体结构，并通过循环伏安法研究了1a和2a的电化学行为。已经实现了将2 a共价接枝到n型硅晶片上，并研究了接枝簇的电化学行为。这代表了将Keggin型簇共价接枝到Si表面上的第一个示例，并且是实现基于POM的多级存储设备的一步。

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