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Realizing a stable magnetic double-well potential on an atom chip

机译:在原子芯片上实现稳定的磁双阱电势

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摘要

We discuss design considerations and the realization of a magnetic double-well potential on ail atom chip using current-carrying wires. Stability requirements for the trapping potential lead to a typical size of order microns for such a device. We also present experiments using the device to manipulate cold, trapped atoms.
机译:我们讨论了设计考虑因素以及使用载流导线在所有原子芯片上实现双磁势的可能性。对于俘获电势的稳定性要求导致这种装置的典型尺寸为几微米。我们还介绍了使用该设备操纵冷阱原子的实验。

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