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首页> 外文期刊>The Journal of Chemical Physics >HYPERTHERMAL H ATOM INTERACTIONS WITH D/SI(100) - EFFECTS OF INCIDENT H ATOM KINETIC ENERGY ON THE REMOVAL OF ADSORBED D
【24h】

HYPERTHERMAL H ATOM INTERACTIONS WITH D/SI(100) - EFFECTS OF INCIDENT H ATOM KINETIC ENERGY ON THE REMOVAL OF ADSORBED D

机译：与D / SI（100）的高温热原子相互作用-入射原子动力学能量对吸附D的去除的影响

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The interactions of H atoms having hyperthermal energies with a monodeuteride-terminated Si(100) surface are investigated. H atoms having mean kinetic energies of 1.0 and 2.9 eV are generated by 248 and 193 nm laser photolysis, respectively, of a pulsed, free-jet expansion of HI. Full characterization of the laser photolysis conditions allows the determination of the relative, as well as absolute, H atom exposures for these two kinetic energies. The depletion probability of adsorbed D per incident H atom is identical for species having incident kinetic energies of 1.0 and 2.9 eV and has an absolute value of 0.3 +/- 0.2. [References: 45]
机译：研究了具有超热能的H原子与单氘化物封端的Si（100）表面的相互作用。分别通过248和193 nm的HI脉冲自由喷射膨胀激光光解产生平均动能为1.0和2.9 eV的H原子。激光光解条件的全面表征可以确定这两个动能的相对和绝对H原子暴露量。对于具有1.0和2.9 eV的入射动能的物质，每个入射H原子吸附D的耗尽可能性相同，并且绝对值为0.3 +/- 0.2。 [参考：45]

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