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首页> 外文期刊>The journal of physical chemistry, A. Molecules, spectroscopy, kinetics, environment, & general theory >Velocity Distributions of SiF and SiF_2 in an SiF_4 Plasma Molecular Beam
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Velocity Distributions of SiF and SiF_2 in an SiF_4 Plasma Molecular Beam

机译：SiF_4等离子体分子束中SiF和SiF_2的速度分布

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Our imaging of radicals interacting with surfaces (IRIS) technique has been used to measure the velocity distributions of SiF and SiF_2 molecules in an effusive SiF_4 plasma molecular beam as a function of applied rf power. Modeling the kinetic data yields the corresponding translational temperatures Θ_T. The translational temperatures of both SiF and SiF_2 increase with radio frequency (rf) power, from 571 ± 180 K at 80 W to 869 ± 54 K at 200 W for SiF, and from 427 ± 65 K at 80 W to 557 ± 31 K at 200 W for SiF_2. These differences in Θ_T for SiF, and from 427 ± 65 K at 80 W to 557 ± 31 K at 200 W for SiF_2. These differences in Θ_T for SiF and SiF_2 indicate that the SiF_4 plasma is not in full thermal equilibrium. Possible mechanisms for the trend of increasing Θ_T with rf power are discussed by correlating SiF and SiF_2 velocities with relative gas-phase densities. In addition, the effects of Θ_T on the surface scatter coefficients for each molecule have also been addressed.
机译：我们对与表面相互作用的自由基进行成像（IRIS）技术已被用来测量SiF_4等离子体分子束中SiF和SiF_2分子的速度分布与所施加的射频功率的关系。对动力学数据建模会产生相应的平移温度Θ_T。 SiF和SiF_2的平移温度都随射频（rf）功率而增加，从80 W的571±180 K到200 W的SiF的869±54 K，从80 W的427±65 K到80 W的557±31 K SiF_2的功率为200W。对于SiF，Θ_T的这些差异;对于SiF_2，从80 W的427±65 K到200 W的557±31K。 SiF和SiF_2的Θ_T差异表明SiF_4等离子体未达到完全热平衡。通过将SiF和SiF_2速度与相对气相密度相关联，讨论了随rf功率增加Θ_T趋势的可能机制。此外，还解决了Θ_T对每个分子的表面散射系数的影响。

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