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首页> 外文期刊>The journal of physical chemistry, C. Nanomaterials and interfaces >ZnO Nanobridge Array UV Photodetectors
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ZnO Nanobridge Array UV Photodetectors

机译：ZnO纳米桥阵列紫外光电探测器

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This study describes the fabrication of ultraviolet photodetectors with laterally aligned ZnO nanobridge arrays. These nanobridge arrays grow upward in the face-to-face direction, thereby forming biaxial compressive stress where nanobridges intersect. Compared with conventional thin-film photodetectors, the nanobridge devices markedly enhance photosensitivity and blue shift (30 nm) of the spectral response. These phenomena are caused by surface effects of the ZnO nanobridge and strain-induced polarization effects, leading to band structure change. Nanobridge devices are a promising alternative for transforming advanced optoelectronic integration circuits with a 1D structure into miniaturized devices.
机译：这项研究描述了横向排列的ZnO纳米桥阵列的紫外光电探测器的制造。这些纳米桥阵列在面对面的方向上向上生长，从而在纳米桥相交处形成双轴压缩应力。与传统的薄膜光电探测器相比，纳米桥器件显着增强了光谱响应的光敏性和蓝移（30 nm）。这些现象是由ZnO纳米桥的表面效应和应变诱导的极化效应引起的，从而导致能带结构变化。纳米桥器件是一种将一维结构的先进光电集成电路转变成小型器件的有前途的选择。

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