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Growth of amorphous silicon nanowires via a solid-liquid-solid mechanism

机译：通过固液固机理生长非晶硅纳米线

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Amorphous silicon nanowires (a-SiNW)with an average diameter of ca.20 nm were synthesized at about 950deg C under an Ar/H_2 atmosphere on a large area of a (lll) Si substrate without supplying any gaseous or liquid Si sources.The Si substrate,deposited with a layer of Ni(ca.40 nm thick),served itself as a silicon source for the growth of the a-SiNWs.In contrast to the well-known vapor-liquid-solid (VLS) for conventional whisher growth,it was found that growth of the a-SiNWs was controlled by a solid-liquid-solid (SLS) mechanism,which is analogous to the VLS model.
机译：在Ar / H_2气氛下，在（III）Si衬底的大面积上，在不提供任何气态或液态Si源的情况下，在约950摄氏度下合成了平均直径约为20 nm的非晶硅纳米线（a-SiNW）。沉积有一层Ni（约40 nm厚）的Si衬底本身可作为a-SiNWs生长的硅源。与传统的晶须用众所周知的气液固（VLS）相反生长，发现a-SiNWs的生长受固-液-固（SLS）机理的控制，类似于VLS模型。

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