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首页> 外文期刊>Chemical Physics Letters >CLUSTER MODEL OF O-2(-) ADSORPTION ON REGULAR AND DEFECT SITES AND F-S CENTERS OF THE MGO(100) SURFACE
【24h】

CLUSTER MODEL OF O-2(-) ADSORPTION ON REGULAR AND DEFECT SITES AND F-S CENTERS OF THE MGO(100) SURFACE

机译：O-2（-）吸附在MGO（100）表面常规和缺陷部位以及F-S中心上的簇模型

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We have investigated the interaction of O-2(-) with Mg2+ ions at terraces, edges and corners and with the F-s centers of the MgO (100) surface by means of ab initio cluster model wave functions. While O-2 is unbound or weakly bound at surface cations, O-2(-) is electrostatically bound with adsorption energies from 2 to 4 eV depending on the local coordination. O-2 interacts with the electrons trapped at the F-s centers to form O-2(-) and F-s(+). In a similar way, O-2 becomes O-2(-) on F-s(+) centers with the formation of F-s(2+)-O-2(-) surface complexes. The high cost for the ionization of the F-s centers is compensated by the electrostatic attraction between O-2(-) and the charged vacancies. The effect of the local electric iield on the g-tensor is discussed. [References: 26]
机译：我们已经通过从头算簇模型波函数研究了O-2（-）与Mg2 +离子在阶地，边缘和拐角处以及与MgO（100）表面的F-s中心的相互作用。虽然O-2在表面阳离子上未结合或弱结合，但O-2（-）的静电吸附能是2-4 eV，取决于局部配位。 O-2与在F-s中心捕获的电子相互作用，形成O-2（-）和F-s（+）。以类似的方式，O-2在F-s（+）中心上变为O-2（-），形成F-s（2 +）-O-2（-）表面络合物。 F-2中心电离的高成本由O-2（-）和带电空位之间的静电吸引所补偿。讨论了局部电场对g张量的影响。 [参考：26]

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