• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Chinese science bulletin >The ferroelectric thin films of SrBi_2Ta_2O_9 prepared using pulsed laser deposition
【24h】

The ferroelectric thin films of SrBi_2Ta_2O_9 prepared using pulsed laser deposition

机译：脉冲激光沉积制备SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

LATELY, the ferroelectric random access memories (FRAM) have become one of the most attractive subjects in solid devices due to faster access time as dynamic RAM, the non-volatility as erasable programmable read-only memory, radiation-hardness and lower power requirements. Perovskite ferroelectrics such as Pb(ZrTi)O_3 (PZT) are the most popular ferroelectric thin film materials. However, commercial usage has been hindered by serious degradation problems of PZT materials, such as fatigue. In 1995, C.A-Paz de Araujo et al. reported that layered perovskite-like ferroelectrics had fatigue-free characteristics. Capacitors made from these materials did not show significant fatigue after 10~(12) switching cycles and exhibited good retention characteristics and low leakage currents.
机译：最近，铁电随机存取存储器（FRAM）已成为固态设备中最吸引人的主题之一，原因是动态RAM的存取时间更快，可擦写可编程只读存储器的非易失性，辐射硬度和较低的功耗要求。钙钛矿铁电体，例如Pb（ZrTi）O_3（PZT）是最受欢迎的铁电薄膜材料。但是，PZT材料的严重降解问题（例如疲劳）已阻碍了商业用途。 1995年，C.A-Paz de Araujo等人。报道称钙钛矿状铁电体具有无疲劳特性。由这些材料制成的电容器在10〜（12）个开关周期后没有表现出明显的疲劳，并且表现出良好的保持特性和低泄漏电流。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号