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【24h】

Secondary-Electron Emission Effects in Plasma Immersion Ion Implantation with Dielectric Substrates

机译：介电基质在等离子体浸没离子注入中的二次电子发射效应

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Using a dynamic sheath model, we have studied the secondary-electron emission effects at one-dimensional planar dielectric surface in plasma immersion ion implantation. The temporal evolution of the sheath thickness, the surface potential of dielectric, and the ions doses accumulated on the dielectric surface are obtained. The numerical results demonstrate hat the harging effects are greatly enhanced by the secondary electron emission effects, so the sheath thickness becomes thinner, the surface potential of dielectric decreases fast and the ions doses accumulated on the dielectric surface significantly increases.
机译：使用动态鞘管模型，我们研究了等离子浸没离子注入中一维平面介电表面的二次电子发射效应。获得了护套厚度，电介质的表面电势以及电介质表面上累积的离子剂量随时间变化的信息。数值结果表明，二次电子发射效应大大提高了哈格纳效应，使鞘层厚度变薄，电介质的表面电势迅速降低，并且在电介质表面累积的离子剂量显着增加。

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