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Das Phanomen der effektiv negativen thermischen Dehnungskoeffizienten an DCB-Substraten fur Leistungsanwendungen

机译:电力应用DCB基板上有效负热膨胀系数的现象

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摘要

Fur auf DCB-Substraten verlotete Bauelemente entstehen durch thermische Zyklusbelastung mechanische Belastungen durch die Fehlanpassung, die zur Ermudung deren Lotverbindungen fuhren konnen. Fur keramische Zweipoler, z.B. Chipwiderstande und -kondensatoren, ist als Faustregel fur Aufbauten auf Leiterplatten bekannt, dass der "thermische Mismatch" mit der BE-Grosse zunimmt, die Lotverbindungen grosser Bauelemente daher eher ausfallen. Fur Aufbauten auf keramischen Schaltungstragern wird gemeinhin dieses Problem als weit geringer angesehen, da das Substrat besser angepasst ist, der thermische Mismatch daher gering ausfallt. Diese fur Aufbauten mit im Vergleich zur Keramik dunnen Metallisierungen sicherlich richtige Annahme wurde hinterfragt fur dicke Metallisierungen mit hoher Stromtragfahigkeit. Es wurden dazu fur DCB-Aufbauten mit Substraten verschiedener Dicke sowohl experimentelle Verformungsmessungen als auch FE-Simulationen mit dem Ziel durchgefuhrt, die Lotbeanspruchung fur Zweipoler, die uber die Atzgraben der Cu-Metallisierung gelotet werden, zu analysieren. Es wurden dabei Effekte der Verkopplung des Substrats zum Heatsink, das Eigenwolbverhalten des Substrates mit verschiedenen Layouts auf Vorder- und Ruckseite sowie das lokale Beanspruchungsverhalten von Lotverbindungen von Chipkondensatoren (Bauformen 0805 und 1206) untersucht. Es konnte herausgearbeitet werden, dass bei geeigneter Wahl der warmeleitenden Verbindung zur Heatsink das DCB von dieser entkoppelt ist sowie durch geeignete Wahl des Ruckseitenlayouts das Eigenwolbverhalten optimiert werden kann. Daruber hinaus wurde ein Ausdehnungs-Phanomen festgestellt, das Phanomen des lokal scheinbar negativen CTE auf der DCB-Oberseite. Es entsteht an den freigeatzten Kanten durch die grossere thermische Eigendehnung des strukturierten DCB Kupfers, welches an seiner Unterseite durch die Keramik festgehalten wird und an seiner Oberseite sich relativ starker in den freien Spalt hinein ausdehnt. Dadurch schliesst sich der Spalt bei Erwarmung, resultierend in einem scheinbar negativen CTE an der Oberseite mit Maximum unmittelbar an den Cu-Kanten. Dieser negative CTE fuhrt in Verbindung mit dem positiven CTE des Bauelementes zu einem grossen thermischen Mismatch. Wird ein Zweipoler in diesem Bereich ohne Kenntnis des Phanomens gelotet, kann es zu einem fruhen Ausfall der Lotverbindungen kommen. Es besteht eine komplizierte Abhangigkeit von DCB-Dicke, Spaltbreite und Zweipoler-Grosse. Im Fall einer dicken Cu-Metallisierung werden die Lotverbindungen eines kleinen Bauelementes, welches den Spalt gerade uberbruckt, hoher beansprucht als eines grosseren, dessen Lotverbindungen weiter vom Azgraben entfernt sind. Damit wir die o.g. Faustregel in ihr Gegenteil verkehrt. Auf der Basis der im Paper diskutierten Simulationsergebnisse kann der Anwender wichtige Hinweise fur die Problematik und deren Vermeidung entnehmen.
机译:对于焊接在DCB基板上的组件,由于不匹配导致的热循环负载会产生机械负载,这可能导致其焊接连接疲劳。对于陶瓷两极,例如作为在印刷电路板上组装的经验法则,片式电阻器和电容器众所周知,“热失配”随着元件的尺寸而增加,从而大型元件的焊接连接往往会失效。对于陶瓷电路载体上的结构,通常认为该问题要少得多,因为可以更好地适应衬底并且因此热失配较低。对于陶瓷具有较薄金属镀层的结构,与陶瓷相比,这种假设无疑是正确的,但对于具有高载流量的厚金属镀层却提出了质疑。为此,对具有不同厚度的基板的DCB结构进行了实验变形测量和有限元模拟,目的是分析在Cu金属化的蚀刻沟槽上进行两极焊接的焊接应力。检查了基板与散热器的耦合,基板前后表面布局不同的基板的固有曲率以及片式电容器(0805和1206型)焊接点的局部应力行为的影响。可以计算出,通过适当选择与散热器的导热连接,可以将DCB与散热器分离,并且可以通过适当选择背面布局来优化自翘曲性能。另外,发现了膨胀现象,即DCB上侧的局部明显为负的CTE现象。由于结构化DCB铜的更大的热膨胀,它出现在被蚀刻的边缘,该铜在其下侧被陶瓷保持,而在其上侧则相对更强地扩展到自由间隙中。这会在加热时缩小间隙,从而导致顶部的CTE明显为负,而直接在Cu边缘处产生最大值。负CTE与组件的正CTE一起会导致较大的热失配。如果在不知道该现象的情况下在此区域焊接了两端子极,则焊接连接可能会提前失效。 DCB厚度,间隙宽度和两极尺寸之间存在复杂的关系。在较厚的铜金属镀层上,与桥接距离较远的较大组件相比,刚好弥合间隙的小组件的焊料连接承受更大的应力。这样我们就可以使用上面的经验法则变成了相反的说法。根据本文讨论的仿真结果,用户可以获得有关该问题以及如何避免该问题的重要信息。

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