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首页> 外文期刊>Journal de Physique, IV: Proceedings of International Conference >CMOS 80 K-300 K SPICE Parameter for IRFPA Readout Circuit Design
【24h】

CMOS 80 K-300 K SPICE Parameter for IRFPA Readout Circuit Design

机译：用于IRFPA读出电路设计的CMOS 80 K-300 K SPICE参数

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This work presents the low temperature characteristics of commercial complementary-mental-oxide-semiconductor devices, which may be used in the readout electronics of the infrared focal plane array detector. Measurements are performed with the temperature calibration of the device under test. Two most important temperature dependent parameters of the drain current characteristics of the device, the threshold voltage and the carrier mobility are studied. Carrier freeze out effect is considered in the threshold voltage calculation. Two kinds of empirical carrier mobility model are studied, and better model is included in the SPICE mobility model. A revised SPICE MOS level 3 parameter extraction scheme is proposed to extract new mobility model parameters.
机译：这项工作提出了可用于红外焦平面阵列检测器的读出电子设备中的商用互补金属氧化物半导体器件的低温特性。通过被测设备的温度校准进行测量。研究了器件漏极电流特性的两个最重要的温度相关参数，即阈值电压和载流子迁移率。在阈值电压计算中考虑了载波冻结效应。研究了两种经验的载流子迁移模型，在SPICE迁移模型中包含了更好的模型。提出了一种改进的SPICE MOS 3级参数提取方案，以提取新的迁移率模型参数。

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