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Probing Depth of Total Electron-Yield XAS: Monte-Carlo Simulations of Auger Electron Trajectories

机译:总电子产量XAS的探测深度:俄歇电子轨迹的蒙特卡罗模拟

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摘要

The signal formation in total electron-yield (TEY) XAS has been modelled for keV absorption edges using a computationally fast Monte-Carlo algorithm for the simulation of the Auger electron trajectories. It is shown that a pure KLL Auger-yield model achieves good agreement with experimental data for the K-edge TEY attenuation in Al and Cu. Advantages of the Monte-Carlo simulation approach over empirical and analytical models for the TEY are pointed out.
机译:已使用计算快速的蒙特卡洛算法对俄歇电子轨迹进行了模拟,从而针对keV吸收边缘对总电子产率(TEY)XAS中的信号形成进行了建模。结果表明,纯的KLL Auger屈服模型与Al和Cu的K边缘TEY衰减实验数据吻合良好。指出了蒙特卡罗模拟方法相对于TEY的经验模型和分析模型的优势。

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