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首页> 外文期刊>Journal of Electronic Materials >Low-Resistance and Thermally Stable Pd/Ru Ohmic Contacts to p-Type GaN
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Low-Resistance and Thermally Stable Pd/Ru Ohmic Contacts to p-Type GaN

机译：与p型GaN的低电阻和热稳定Pd / Ru欧姆接触

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We report on low-resistance and thermally stable Pd/Ru ohmic contacts to surface-treated p-GaN (3 x 10~(17) cm~(-3)). It is shown that annealing at 500 deg C for 2 min in a N_2 ambient improves ohmic contact properties. Specific contact resistance is measured to be 9.2 (+-0.2) X 10~(-4) and 2.4 (+-0.2) X 10~(-5) OMEGAcm~2 for the as-deposited and annealed samples, respectively. Atomic force microscopy results show that the surfaces of both the contacts are remarkably smooth with a root-mean-square (rms) roughness of about 0.6 nm. The current-voltage-temperature (I-V-T) and calculation results indicate that, for the as-deposited cotact, thermionic field emission is dominant, while for the ennealed contact, field emission dominates the current flow.
机译：我们报道了对表面处理过的p-GaN（3 x 10〜（17）cm〜（-3））的低电阻和热稳定的Pd / Ru欧姆接触。结果表明，在N_2环境中在500摄氏度下退火2分钟可改善欧姆接触性能。对于沉积和退火的样品，测量的比接触电阻分别为9.2（+ -0.2）X 10〜（-4）和2.4（+ -0.2）X 10〜（-5）OMEGAcm〜2。原子力显微镜结果表明，两个触点的表面都非常光滑，且均方根（rms）粗糙度约为0.6 nm。电流-电压-温度（I-V-T）和计算结果表明，对于刚沉积的铜箔，热电子场发射占主导地位，而对于退火接触，场发射占主导地位。

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