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首页> 外文期刊>Journal of Low Power Electronics >Ultrathin Compound Semiconductor in Bulk Planar Junctionless Transistor for High-Performance Nanoscale Transistors
【24h】

Ultrathin Compound Semiconductor in Bulk Planar Junctionless Transistor for High-Performance Nanoscale Transistors

机译：适用于高性能纳米级晶体管的体平面无结晶体管中的超薄化合物半导体

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As scaling of devices continues it limits the use of silicon as channel material for devices since supply voltage cannot be scaled at the same rate. Bulk planar junctionless transistor (BPJLT) with compound III-V semiconductors as channel material is proposed in this work. They have the potential to replace the silicon channel in a BPJLT with high mobility and large energy band gap. Transistors based on these materials are mainly used in high-speed and high-frequency applications. BPJLT with III-V semiconductors as channel material show low band to band tunneling leakage current and improved I_(on)/I_(off). Also, mole fraction of InGaAs is adjusted and Gaussian distribution doping profile of channel is proposed to obtain better off characteristics.
机译：随着器件缩放的不断进行，由于电源电压无法以相同的速率缩放，因此限制了硅作为器件沟道材料的使用。在这项工作中，提出了以化合物III-V半导体为沟道材料的体平面无结晶体管（BPJLT）。它们具有以高迁移率和大能带隙取代BPJLT中的硅通道的潜力。基于这些材料的晶体管主要用于高速和高频应用。以III-V族半导体为沟道材料的BPJLT显示出低带间隧穿漏电流，并改善了I_（on）/ I_（off）。另外，调整了InGaAs的摩尔分数，并提出了沟道的高斯分布掺杂分布，以获得更好的截止特性。

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