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An Ultra-Low Power CMOS Temperature Sensor for Passive RFID Application

机译：用于无源RFID应用的超低功耗CMOS温度传感器

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This paper presents an ultra-low power CMOS Temperature Sensor for RFID Application. The proposed temperature sensor employs an inverter-based ring oscillator to generate a PTAT frequency, which is followed by a counter to achieve digital output conversion. The proposed temperature sensor is fabricated in TSMC 0.18 μm CMOS process and covers an area of 0.062 mm~2. The measurement results show that this temperature sensor consumes 113 nW power at 0.5 V supply voltage. The measured resolution is 0.3℃/LSB within the range from -40℃ to 80℃ and the error is -0.7/1.2℃ after 2-point calibration.
机译：本文提出了一种用于RFID应用的超低功耗CMOS温度传感器。所提出的温度传感器采用基于反相器的环形振荡器来生成PTAT频率，然后跟随一个计数器以实现数字输出转换。提出的温度传感器采用台积电0.18μmCMOS工艺制造，覆盖面积为0.062 mm〜2。测量结果表明，该温度传感器在0.5 V电源电压下消耗113 nW功率。在两点校准后，测得的分辨率为-40℃至80℃，分辨率为0.3℃/ LSB，误差为-0.7 / 1.2℃。

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