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Asymmetric Underlap Dual Material Gate DG-FET for Low Power Analog/RF Applications

机译：低功耗模拟/ RF应用的不对称重叠双材料栅极DG-FET

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This paper presents a systematic comparative study on effect of asymmetric spacer, on Analog/RF performance of Asymmetric Underlap (ASYM-UDL) Dual Material Gate (DMG) DG NMOSFETs. The asymmetric spacer in ASYM-UDLDMG DG NMOSFETs is proposed for the first time and the performance improvement of the device is compared with the Symmetry Underlap (SYM-UDL) DMG DG NMOSFET having symmetric spacer. The performance of the devices is compared in relation to the analog/RF parameters, the on current (I_(on)), the transconductance (g_m), the transconductance generation factor (g_m/I_d), the intrinsic gain (g_mR_o), the intrinsic capacitances, the intrinsic resistances, the transport delay and the inductance. The analysis suggested that the average I_(on), g_m, and g_mR_o, increases by 62.150%, 53.113% and 30.837% respectively compared to the SYM-UDL DMG DG NMOSFET.
机译：本文对不对称间隔物对不对称下叠（ASYM-UDL）双材料栅极（DMG）DG NMOSFET的模拟/ RF性能的影响进行了系统的比较研究。首次提出了ASYM-UDLDMG DG NMOSFET中的非对称间隔物，并将该器件的性能改进与具有对称间隔物的对称下叠（SYM-UDL）DMG DG NMOSFET进行了比较。将器件的性能与模拟/ RF参数，导通电流（I_（on）），跨导（g_m），跨导生成因子（g_m / I_d），固有增益（g_mR_o），本征电容，本征电阻，传输延迟和电感。分析表明，与SYM-UDL DMG DG NMOSFET相比，平均I_（on），g_m和g_mR_o分别增加了62.150％，53.113％和30.837％。

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