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首页> 外文期刊>Journal of nanoscience and nanotechnology >Synthesis and In-Situ TEM Transport Measurements of Individual GaN Nanowires and Nanotubes
【24h】

Synthesis and In-Situ TEM Transport Measurements of Individual GaN Nanowires and Nanotubes

机译：单个GaN纳米线和纳米管的合成和原位TEM传输测量

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High-purity GaN nanowires and nanotubes of various morphologies and sizes have been synthesized through epitaxial growth on [001]-oriented sapphire substrates. The GaN nanowires grown on Ni catalyst particles possess an average diameter of ～100 nm and rather smooth surface; whereas GaN nanotubes guided by Au particles exhibit large diameters (100～500 nm) and rough surface morphology. The microstructures and crystallography of GaN nanowires and nanotubes were analyzed using a high-resolution transmission electron microscope (HRTEM). For the first time the electrical transport in individual GaN nanowires and nanotubes was in-situ measured inside the microscope. The electrical transport was mainly affected by the nanocrystal quality and nano-structure/contact interfaces.
机译：通过在[001]取向的蓝宝石衬底上外延生长，合成了各种形态和尺寸的高纯度GaN纳米线和纳米管。在Ni催化剂颗粒上生长的GaN纳米线的平均直径约为100 nm，表面相当光滑。 Au粒子引导的GaN纳米管直径大（100〜500 nm），表面形貌粗糙。使用高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）分析了GaN纳米线和纳米管的微观结构和晶体学。首次在显微镜内部原位测量了单个GaN纳米线和纳米管中的电传输。电传输主要受纳米晶体质量和纳米结构/接触界面的影响。

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