...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Transferable tight-binding model for germanium
【24h】

Transferable tight-binding model for germanium

机译：锗的可转移紧密结合模型

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We present a transferable sp(3)s* tight-binding (TB) model for germanium within the first-nearest-neighbor interaction including both on-site and nearest-neighbor spin-orbit interactions. We have obtained TB parameters by optimizing the band structure and cohesive energy of Ge comparing with an ab-initio result. Our TB model produces the correct spin-orbit splitting and conduction band structure, which are very useful for studying the excited states. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：我们在第一近邻相互作用中介绍了锗的可转移sp（3）s *紧密结合（TB）模型，包括现场和近邻自旋轨道相互作用。我们通过优化Ge的能带结构和内聚能与从头算的结果相比较，获得了TB参数。我们的TB模型产生正确的自旋轨道分裂和导带结构，这对于研究激发态非常有用。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号