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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Forouhi-Bloomer analysis to study amorphization in Si
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Forouhi-Bloomer analysis to study amorphization in Si

机译：Forouhi-Bloomer分析研究Si中的非晶化

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Single crystal Si (100) was irradiated with 120 keV Ar+ for fluences ranging from 6 x 10(13) to 1 X 10(16) ionS/cm(2) and the real and imaginary parts of the dielectric function were measured using a spectroscopic ellipsometer in the energy range 1.5-5 eV. The pseudodielectric functions of the irradiated specimens were analyzed using Forouhi-Bloomer model for the first time. It was found that a minimum of four absorption terms is required to obtain 'good' fits to the experimental data. The parameters of the fit show distinct behavior above and below amorphization threshold. This paper demonstrates that Forouhi-Bloomer interband model for pseudodielectric functions can be used to follow structural changes too. (c) 2005 Published by Elsevier B.V.
机译：用120 keV Ar +辐照单晶硅（100），使注量范围从6 x 10（13）到1 X 10（16）ionS / cm（2），并使用分光镜测量介电函数的实部和虚部椭偏仪的能量范围为1.5-5 eV。首次使用Forouhi-Bloomer模型分析了被辐照样品的伪介电功能。已经发现，至少需要四个吸收项才能获得对实验数据的“良好”拟合。拟合参数显示出在非晶化阈值之上和之下的不同行为。本文证明伪介电函数的Forouhi-Bloomer带间模型也可以用来跟踪结构变化。 （c）2005年由Elsevier B.V.

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