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Multi-scale modeling of oxygen molecule adsorption on a Si(100)-p(2 x 2) surface

机译:氧分子在Si(100)-p(2 x 2)表面上吸附的多尺度建模

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摘要

The first steps of molecular oxygen adsorption and further incorporation on a Si(100)-p(2 x 2) surface are described here using density functional theory for the atomistic mechanisms. In this study, our aim is to combine this approach with kinetic Monte Carlo simulations to get an insight into the description of the oxide growth on silicon surface. We detail the reaction paths and corresponding energy barriers for the atomistic mechanisms: oxygen dissociation, adsorption and migration. We then explain how these data emanating from first principle calculations can be implemented in our kinetic Monte Carlo code OXCAD. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译:分子氧吸附和进一步掺入Si(100)-p(2 x 2)表面的第一步在此使用原子原子机理的密度泛函理论进行了描述。在这项研究中,我们的目标是将该方法与动力学蒙特卡洛模拟相结合,以深入了解硅表面氧化物生长的描述。我们详细介绍了原子机理的反应路径和相应的能垒:氧的离解,吸附和迁移。然后,我们解释如何从第一性原理计算中得出的这些数据可以在我们的动力学蒙特卡洛代码OXCAD中实现。 (c)2007 Elsevier B.V.保留所有权利。

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