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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Effect of Pb impurity on the localized states of Se-Ge glassy alloy
【24h】

Effect of Pb impurity on the localized states of Se-Ge glassy alloy

机译：铅杂质对Se-Ge玻璃态合金局部状态的影响

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Space charge limited conduction (SCLC) is investigated in vacuum evaporated thin films of (Ge20Se80)(1-x)Pb-x (x = 0, 0.02, 0.04, 0.06). I-V characteristics have been measured at various fixed temperatures. At high fields (similar to 10(4) V Cm-1), current could be fitted to the theory of space charge limited conduction in case of uniform distribution of localized states in the mobility gap of these materials. Using the above theory, the density of localized states near Fermi level is calculated. A reversal in density of localized states is obtained at 4 at.% of Pb. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：在（Ge20Se80）（1-x）Pb-x（x = 0，0.02，0.04，0.06）的真空蒸发薄膜中研究了空间电荷限制传导（SCLC）。 I-V特性已在各种固定温度下测量。在高场（类似于10（4）V Cm-1）下，如果这些材料的迁移率间隙中的局域态均匀分布，则电流可以适合空间电荷受限的传导理论。使用以上理论，可以计算费米能级附近的局部态密度。在Pb的4 at。％处获得了局部状态密度的逆转。 （c）2007 Elsevier B.V.保留所有权利。

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