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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >High hole and electron mobilities in nanocrystalline silicon thin-film transistors
【24h】

High hole and electron mobilities in nanocrystalline silicon thin-film transistors

机译：纳米晶硅薄膜晶体管中的高空穴和电子迁移率

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We report for the first time high hole and electron mobilities in directly deposited plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin-film transistors (TFTs) fabricated at 260 degrees C. This is made possible simply using Cr drain-source Schottky contacts with high-purity and high-crystallinity nc-Si:H channel layer, which creates highly conductive Cr silicided contacts, reducing both hole and electron injection barriers. The p-channel nc-Si:H TFTs show a field-effect hole mobility (mu(hFE)) of 25 cm(2) V-1 s(-1), a threshold voltage (V-T) of -3.8 V, a subthreshold slope (S) of 0.25 V/dec, and an ON/OFF current ratio of more than 106, while the n-channel nc-Si:H TFTs show a field-effect electron mobility (mu(eFE)) of 150 cm(2) V-1 s(-1), a V-T of 2 V, a S of 0.3 V/dec, and an ON/OFF current of more than 10(7). The TFT performance reported here offers promise for low-temperature complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuit integration. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：我们首次报告了在260摄氏度下制造的直接沉积的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）氢化纳米晶硅（nc-Si：H）薄膜晶体管（TFT）中的高空穴和电子迁移率。只需使用具有高纯度和高结晶度nc-Si：H沟道层的Cr漏源肖特基接触，即可形成高导电性的Cr硅化接触，从而减少空穴和电子注入势垒。 p沟道nc-Si：H TFT显示的场效应空穴迁移率（mu（hFE））为25 cm（2）V-1 s（-1），阈值电压（VT）为-3.8 V，a亚阈值斜率（S）为0.25 V / dec，开/关电流比大于106，而n沟道nc-Si：H TFT的场效应电子迁移率（mu（eFE））为150 cm （2）V-1 s（-1），VT为2 V，S为0.3 V / dec，开/关电流大于10（7）。此处报道的TFT性能为低温互补金属氧化物半导体（CMOS）电路集成提供了希望。 （c）2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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