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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Structure of copper-doped tungsten oxide films for solid-state memory
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Structure of copper-doped tungsten oxide films for solid-state memory

机译：用于固态存储的铜掺杂氧化钨膜的结构

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Copper-doped WO3 films, which are an active media for programmable metallization cell memory devices, are studied. The highlights of this study are the intercalation products forming on the interface between the WO3 and Cu during thermal evaporation and also after thermal or photothermal diffusion of Cu into WO3 films. The diffusion profile is established using Auger spectroscopy. Further characterization is provided using Raman spectroscopy which gives evidence for formation of products with a lower valence state related to W and oxidation products related to Cu. The composition of the intercalation products containing Cu is confirmed using X-ray diffraction which shows the formation of copper oxides and tungstates.
机译：研究了掺杂铜的WO3膜，它们是用于可编程金属化单元存储设备的活性介质。这项研究的重点是在热蒸发过程中以及在铜热或光热扩散到WO3薄膜后，WO3和Cu之间的界面上形成的插层产物。使用俄歇光谱法建立扩散曲线。使用拉曼光谱提供了进一步的表征，这提供了形成具有与W有关的较低价态的产物和与Cu有关的氧化产物的证据。使用X射线衍射确认了包含Cu的插层产物的组成，该X射线衍射显示出氧化铜和钨酸盐的形成。

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