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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Electrical properties of TiO2 thin films
【24h】

Electrical properties of TiO2 thin films

机译：TiO2薄膜的电性能

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The electrical properties of n-type titanium dioxide thin films deposited by magnetron-sputtering method have been investigated by temperature-dependent conductivity. We observed that the temperature dependence of the electrical conductivity of titanium dioxide films exhibits a crossover from T-1/4 to T-1/2 dependence in the temperature range between 80 and 110 K. Characteristic parameters describing conductivity, such as the characteristic temperature (T-0). hopping distance (R-hop), average hopping energy (Delta(hop)), Coulomb gap (Delta(C)), localization length (xi) and density of states (N(E-F)), were determined, and their values were discussed within the models describing conductivity in TiO2 thin films.
机译：通过与温度有关的电导率研究了磁控溅射法沉积的n型二氧化钛薄膜的电学性能。我们观察到，在80至110 K的温度范围内，二氧化钛薄膜电导率的温度依赖性呈现出从T-1 / 4到T-1 / 2的交叉关系。描述电导率的特征参数，例如特征温度（T-0）。确定了跳跃距离（R-hop），平均跳跃能量（Delta（hop）），库仑间隙（Delta（C）），定位长度（xi）和状态密度（N（EF）），它们的值为在描述TiO2薄膜电导率的模型中进行了讨论。

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