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DC magnetron power dependence of a-SiC : H IR absorption properties

机译:a-SiC的直流磁控管功率依赖性:H IR吸收特性

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摘要

The infrared absorption properties of a-SiC:H thin films dependence with the dc magnetron power density were investigated. The films were deposited in a mixture of CH4, H-2 and Ar. The target used was polycrystalline Si. We found that the de magnetron power density has an important contribution to the film composition. There is a strong dependence of the Si-H and Si-C bonds with the dc power density. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译:研究了a-SiC:H薄膜的红外吸收特性与直流磁控管功率密度的关系。将膜沉积在CH4,H-2和Ar的混合物中。使用的目标是多晶Si。我们发现,磁控管的功率密度对薄膜的组成有重要贡献。 Si-H和Si-C键与dc功率密度密切相关。 (c)2007 Elsevier B.V.保留所有权利。

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