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Impact of chlorine dissociation for modified chemical vapor deposition

机译：氯离解对改性化学气相沉积的影响

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Modified chemical vapor deposition (MCVD) is the platform technology used to create a wide range of silica-based optical fibers. This paper reports on the extension of the reaction scheme embedded within a computational fluid dynamics model of the MCVD process to include chlorine dissociation and recombination. Simulations employing this modified kinetic scheme indicate that chlorine dissociation acts primarily as a 'heat sink' in cases where the operating conditions promote a high peak temperature in the narrow reaction zone where most of the SiCl4 oxidation occurs. The extended model allows a wider range of operating parameters to be examined in terms of the deposition profile of silica 'soot' particles on the substrate tube wall.
机译：改性化学气相沉积（MCVD）是用于创建各种二氧化硅基光纤的平台技术。本文报道了在MCVD过程的计算流体动力学模型中嵌入的反应方案的扩展，其中包括氯的分解和重组。采用这种改进的动力学方案的模拟表明，在操作条件促进大多数SiCl4氧化发生的狭窄反应区域中出现较高的峰值温度的情况下，氯的离解主要充当“散热器”。扩展模型允许根据二氧化硅“烟灰”颗粒在基管壁上的沉积曲线来检查更广泛的操作参数。

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