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Electronic mechanism of thermal destruction of radiation-induced E'-centers in crystalline and glassy SiO_2

机译:晶体和玻璃态SiO_2中辐射诱发的E'中心热破坏的电子机理

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摘要

The thermal decay regularities for radiation-induced E'-centers in crystalline and glassy SiO_2 were investigated. The results obtained point out that the destruction of E'-centers can be described as ionization process of deep centers in electric field. In terms of used model, the electric field and electron-vibration coupling parameters are sensitive to structural disorder. The most weak electron-phonon coupling in E'-centers is observed for amorphous systems.
机译:研究了晶体和玻璃态SiO_2中辐射诱导的E'中心的热衰减规律。结果表明,E'中心的破坏可以描述为电场深中心的电离过程。根据使用的模型,电场和电子振动耦合参数对结构无序敏感。对于非晶体系,在E'中心观察到最弱的电子-声子耦合。

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