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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Use of real-time ion-mass spectrometry and discharge voltage trending for analysis of a-Si DC plasma CVD processes
【24h】

Use of real-time ion-mass spectrometry and discharge voltage trending for analysis of a-Si DC plasma CVD processes

机译：使用实时离子质谱和放电电压趋势分析a-Si DC等离子体CVD工艺

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DC discharge voltage monitoring is a convenient non-intrusive tool for in-line monitoring of plasma-deposited amorphous silicon deposition processes. We discuss the observed variations of the discharge voltage due to (i) changing hydrogen dilution of silane, (ii) etch back of silicon by a hydrogen plasma, (iii) admixing of germane and methane and correlate the results with in situ ion-mass spectroscopy, We suggest that negative ion formation by electron attachment to silane and/or higher-silane species causes the changes of discharge voltage. Time dependences following discharge initiation are discussed in terms of the relative concentrations of silane versus higher-silane species. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 6]
机译：直流放电电压监测是一种方便的非侵入式工具，用于在线监测等离子体沉积的非晶硅沉积过程。我们讨论了由于（i）改变硅烷的氢稀释率，（ii）通过氢等离子体回蚀硅，（iii）锗烷和甲烷的混合而引起的放电电压变化，并将结果与​​原位离子质量相关联光谱学，我们认为，由于电子附着在硅烷和/或高级硅烷上而形成的负离子会引起放电电压的变化。根据硅烷相对于高级硅烷种类的相对浓度讨论了放电开始后的时间依赖性。 （C）2002 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：6]

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