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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Comparative study of hydrogen stability in hydrogenated amorphous and crystalline silicon
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Comparative study of hydrogen stability in hydrogenated amorphous and crystalline silicon

机译：氢化非晶硅和晶体硅中氢稳定性的比较研究

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The dependence of hydrogen effusion and diffusion on hydrogen concentration was studied for crystalline and amorphous Si:H samples which were hydrogenated by hydrogen ion implantation. The results are compared to data for a-Si:H and mu c-Si:H films grown with various H concentrations. Although general trends of the H concentration dependence of H stability are similar, there are differences between cSi:H and a-Si:H. These differences involve larger hydrogen-generated microstructural effects in c-Si:H and a hydrogen diffusion coefficient in compact material increasing in a-Si:H and decreasing in c-Si:H with increasing H concentration. A different flexibility of the atomic network in amorphous and crystalline Si could be the origin, Microcrystalline Si:H films show a similar concentration dependence of H diffusion as a-Si:H. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 14]
机译：对于通过氢离子注入氢化的结晶和非晶Si：H样品，研究了氢的扩散和扩散对氢浓度的依赖性。将结果与以各种H浓度生长的a-Si：H和mu c-Si：H薄膜的数据进行比较。尽管H浓度对H浓度依赖性的一般趋势相似，但cSi：H和a-Si：H之间存在差异。这些差异涉及氢在c-Si：H中产生的更大的微观结构效应，以及致密材料中的氢扩散系数在a-Si：H中增加，而在c-Si：H中随着H浓度的增加而减小。原子网络在非晶硅和晶体Si中的不同柔韧性可能是起源，微晶Si：H薄膜显示出与a-Si：H相似的H扩散浓度依赖性。 （C）2000 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：14]

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