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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Measurement of transversal ambipolar diffusion coefficient in microcrystalline silicon
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Measurement of transversal ambipolar diffusion coefficient in microcrystalline silicon

机译：微晶硅中横向双极性扩散系数的测量

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Transport properties of microcrystalline silicon (mu c-Si) are analyzed by diffusion-induced time resolved microwave conductivity (DTRMC), a new contactless method. Computer simulations show that with this method the ambipolar diffusion coefficient of carriers in the transversal direction, even for thin layers (typically 100 nm), can be determined. Ex situ measurements are made on several samples with various mu c-Si thicknesses deposited in the same conditions. The evolution of transport parameters with layer thickness is correlated with the inhomogeneity of the layer structure detected by ellipsometry. In particular, we demonstrate that the presence of an amorphous interface between the substrate and mu c-Si can be the main limiting factor of transversal transport. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 8]
机译：通过扩散诱导的时间分辨微波电导率（DTRMC）（一种新的非接触方法）分析了微晶硅（μc-Si）的传输特性。计算机仿真表明，使用这种方法，即使对于薄层（通常为100 nm），也可以确定载流子在横向上的双极性扩散系数。在几个样品中进行异位测量，这些样品在相同条件下沉积有不同的μc-Si厚度。传输参数随层厚度的变化与椭圆偏光法检测到的层结构的不均匀性有关。特别是，我们证明了衬底与mu c-Si之间无定形界面的存在可能是横向运输的主要限制因素。 （C）2000 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：8]

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