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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Structural and electronic properties of optimized a-Si : H films
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Structural and electronic properties of optimized a-Si : H films

机译：优化的a-Si：H膜的结构和电子性能

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Intrinsic a-Si:H films grown using optimized larger hydrogen dilution conditions have been studied. Capacitance measurements show a decrease in defect density with increasing him thickness. For films with thickness of 1.3 mu m transient photocapacitance data indicate electronic transitions due to microcrystallites embedded in an amorphous matrix. Atomic force microscopy measurements enable us to identify crystallites at the film surface, while Kelvin probe force microscopy is used to measure their electronic properties. The correlation between the structural and electronic properties is discussed. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 16]
机译：研究了使用优化的较大氢稀释条件生长的本征a-Si：H薄膜。电容测量结果表明，缺陷密度随厚度的增加而降低。对于厚度为1.3μm的薄膜，瞬态光电容数据表明由于嵌入非晶态基质中的微晶导致电子跃迁。原子力显微镜测量使我们能够识别薄膜表面的微晶，而开尔文探针力显微镜则用于测量其电子性能。讨论了结构和电子性能之间的相关性。 （C）2000 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：16]

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