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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Positron states in hydrogenated amorphous silicon
【24h】

Positron states in hydrogenated amorphous silicon

机译：氢化非晶硅中的正电子态

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Low-hydrogen-concentration a-Si:H grown by HW-CVD forms a continuous random network with no detectable free volume in the form of microvoids, and no evidence of a microcrystalline phase. Over a wide temperature range we observe a single positron state in the amorphous network with a temperature-independent lifetime of 322 ps. From the temperature dependence of the positron diffusion we show that this is a localized state and present direct observation of hopping diffusion of positrons. On annealing up to 400 degreesC the amorphous network is seen to relax and the first stages of crystallization occur. There is also evidence of vacancy clustering to form a low concentration of microvoids. The structural relaxation has a very low-activation energy, around 0.1 eV, and is interpreted in terms of a reconfiguration of the fundamental defect identifed by positron annihilation. (C) 2002 Published by Elsevier Science B.V. [References: 24]
机译：通过HW-CVD生长的低氢浓度a-Si：H形成了连续的随机网络，没有微孔形式的可检测自由体积，也没有微晶相的迹象。在很宽的温度范围内，我们在非晶网络中观察到一个正电子状态，其寿命与温度无关，为322 ps。从正电子扩散的温度依赖性，我们表明这是一个局部状态，并且可以直接观察到正电子的跳跃扩散。在高达400摄氏度的退火温度下，可以看到非晶网络松弛并且发生了结晶的第一阶段。也有证据表明空位聚集形成低浓度的微孔。结构弛豫具有非常低的活化能，大约为0.1 eV，并且被解释为通过正电子an灭确定的基本缺陷的重构。 （C）2002年由Elsevier Science B.V.出版[参考文献：24]

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