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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Simulations of generation-recombination noise of n-i-n a-Si : H devices using AMPS-ID
【24h】

Simulations of generation-recombination noise of n-i-n a-Si : H devices using AMPS-ID

机译：使用AMPS-ID模拟n-i-n a-Si：H器件的产生重组噪声

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AMPS-1D is an accepted computer program to simulate time-averaged electrical properties of a-Si:H devices, In this paper. AMPS-1D is applied to calculate resistance fluctuations produced by generation-recombination (g-r) processes at defects in 1.56-mum thick n-i-n devices. The results are compared to measured noise data. Calculated differential g-r rates appear to coincide with the observed characteristic noise frequencies for all temperatures. when taken at 0.35 mum from the contact and correspond to the calculated inverse electron lifetimes. The position-dependent g-r rate explains why a distribution of rates is observed in the noise spectra in a-Si:H. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 8]
机译：AMPS-1D是公认的计算机程序，用于模拟a-Si：H器件的时均电学特性。 AMPS-1D用于计算在厚度为1.56-μm的n-i-n器件中缺陷处由生成重组（g-r）工艺产生的电阻波动。将结果与测得的噪声数据进行比较。在所有温度下，计算出的差分g-r速率似乎与观察到的特征噪声频率一致。当从接触点取0.35微米时，它对应于计算的逆电子寿命。位置相关的g-r速率解释了为什么在a-Si：H的噪声频谱中观察到速率分布。 （C）2002 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：8]

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