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首页> 外文期刊>Journal of Micromechanics and Microengineering >An innovating technological approach for Si-SiGe superlattice integration into thermoelectric modules
【24h】

An innovating technological approach for Si-SiGe superlattice integration into thermoelectric modules

机译：Si-SiGe超晶格集成到热电模块中的创新技术方法

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This paper presents the development of doped polycrystalline Si-SiGe superlattices as thermoelectric (TE) elements integrated into generators. The modules dimension is 1 cm{sup}2, Si and SiGe are in situ doped (n and p types) and realized by CVD (chemical vapor deposition) on a 4 inch (001) silicon wafer. Si-SiGe superlattice growth will be studied, as well as the integration into thermoelectric modules. Interest in using superlattices as TE materials will be justified by their thermal conductivity measurements. Moreover, process fabrication and different geometry designs will be presented. Finally, the first measurements realized on these modules allowed scavenging 320 mV for a temperature difference of 90 K.
机译：本文介绍了作为发电机中集成的热电（TE）元素的掺杂多晶Si-SiGe超晶格的发展。模块尺寸为1 cm {sup} 2，Si和SiGe原位掺杂（n和p型），并通过CVD（化学气相沉积）在4英寸（001）的硅晶片上实现。将研究Si-SiGe超晶格的生长，以及与热电模块的集成。使用超晶格作为TE材料的兴趣将通过其热导率测量得到证明。此外，将介绍工艺制造和不同的几何设计。最后，在这些模块上实现的首次测量允许在90 K的温差下清除320 mV。

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